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Al和N极性AlN生长特性的第一性原理
被引量:
1
1
作者
庄芹芹
林伟
+1 位作者
王元樟
张小英
《厦门理工学院学报》
2013年第3期30-34,共5页
使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的...
使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌.
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关键词
深紫外LED
ALN
极性
可控
生长
第一性原理计算
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职称材料
题名
Al和N极性AlN生长特性的第一性原理
被引量:
1
1
作者
庄芹芹
林伟
王元樟
张小英
机构
厦门理工学院光电与通信工程学院
光电技术福建省高校重点实验室
厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室
出处
《厦门理工学院学报》
2013年第3期30-34,共5页
基金
福建省教育厅科技计划项目(JA10249
JB12182)
文摘
使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明:Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌.
关键词
深紫外LED
ALN
极性
可控
生长
第一性原理计算
Keywords
deep ultraviolet (DUV) LED
A1N
polar-controlled-growth
first-principles calculation
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Al和N极性AlN生长特性的第一性原理
庄芹芹
林伟
王元樟
张小英
《厦门理工学院学报》
2013
1
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