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MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究 被引量：1
1
作者 牛智川 周增圻 +1 位作者 林耀望 李朝勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第12期897-900,共4页
本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×... 本文报道了用ＭＢＥ生长轻掺Ｓｉ高迁移率ＧａＡｓ材料的杂质补偿特性实验研究．已得到７７Ｋ温度下迁移率为１６．２×１０４ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）的ＧａＡｓ材料．样品的Ｈａｌｌ测量结果表明：在较低的杂质浓度范围（１×１０１３ｃｍ－３＜ｎ＜１×１０１５ｃｍ－３）内，在大体相同的生长温度（５９０℃左右）下，选择适当的生长速率Ｇｒ会增强对浅受主杂质的抑制作用，同时也会抑制Ｓｉ的自补偿效应，减小杂质的补偿度Ｎａ／Ｎｄ之值，从而提高ＭＢＥ外延ＧａＡｓ材料的迁移率． 展开更多
关键词 砷化镓 MBE生长 掺杂 硅 杂质补偿 迁移率
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弱場磁阻法測定P型硅杂質补偿
2
《复旦学报（自然科学版）》 CAS 1960年第2期235-242,共8页
Ⅰ.导言在半导体的研究工作或器件制造的工作中常要分別确定其中Ⅲ族及Ⅴ族杂貭濃度——即施主和受主的杂貭濃度。硅单晶体一般是p型的,因为硅中含有多量的硼杂貭。而且还含有大量的被补偿了的施主,因此测定硅中杂貭补偿的情况特别重要... Ⅰ.导言在半导体的研究工作或器件制造的工作中常要分別确定其中Ⅲ族及Ⅴ族杂貭濃度——即施主和受主的杂貭濃度。硅单晶体一般是p型的,因为硅中含有多量的硼杂貭。而且还含有大量的被补偿了的施主,因此测定硅中杂貭补偿的情况特别重要。室温时的霍尔系数和电阻率仅和p型杂貭,n型杂貭补偿以后的杂质密度有关, 展开更多
关键词 样品架 施主 电阻率 电阻系数 磁阻法 杂质补偿 单晶体 价带 能带结构 电离能 受主 状态密度 电位差
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陶瓷传感器的现状与发展趋势(Ⅲ)
3
作者 孙鸿涛 武明堂 《传感技术学报》 CAS CSCD 1990年第3期51-54,共4页
7.光电传感器光电传感器历来是半导体器件的独特领域,随着透明陶瓷的出现,对陶瓷材料的光电特性研究也日趋活跃,本文仅讨论典型的三类陶瓷材料.7.1 Cd（SSe）光敏电阻CdS是目前灵敏度最高的光电导材料之一,它的制造与一般陶瓷膜的生产相... 7.光电传感器光电传感器历来是半导体器件的独特领域,随着透明陶瓷的出现,对陶瓷材料的光电特性研究也日趋活跃,本文仅讨论典型的三类陶瓷材料.7.1 Cd（SSe）光敏电阻CdS是目前灵敏度最高的光电导材料之一,它的制造与一般陶瓷膜的生产相似.纯CdS光敏电阻结对可见光的灵敏度还不够理想,为提高光敏电阻的灵敏度,需要掺入Cu<sup>+</sup>,Ag<sup>+</sup>,La<sup>3+</sup>,Al<sup>3+</sup>和Cl<sup>-</sup>,这些离子起到了敏化作用和杂质补偿作用。 展开更多
关键词 陶瓷材料 杂质补偿 光电导材料 半导体器件 光电特性 透明铁电陶瓷 SQUID 敏化作用 陶瓷膜 紫外光区
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基于第一性原理研究杂质补偿对硅光电性能的影响
4
作者 王秀宇 王涛 +2 位作者 崔雨昂 吴溪广润 王洋 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期263-272,共10页
通过磷(P)和硼(B)共掺杂在硅禁带中构建了P^(+)/B^(-)局域态能级,形成了具有杂质补偿结构的硅.采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理研究了杂质补偿硅(n/p-Sic)的电子态密度、介电函数和折射率等光电性能.态密度研究表明,相同浓度P和... 通过磷(P)和硼(B)共掺杂在硅禁带中构建了P^(+)/B^(-)局域态能级,形成了具有杂质补偿结构的硅.采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理研究了杂质补偿硅(n/p-Sic)的电子态密度、介电函数和折射率等光电性能.态密度研究表明,相同浓度P和B掺杂(12.5%)的n-Si和p-Si被完全杂质补偿后,费米能级位于两相邻态密度峰构成的谷底,且态密度不为零.在介电函数和折射率研究中,发现n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时,在低能区具有最大的介电函数和最大折射率.此外,对比本征硅及其掺杂物的介电常数实部(Re),发现如下规律:在E> 4 eV的高能区,本征Si,n/p-Si和p-Sic的Re为负值;而在0.64 <E <1.50 eV的低能区,n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时的Re为负值;这表明在此掺杂比例下n-Sic能在更低的能量下就能获得较好的金属性,从而揭示了其价带电子更易被低能量的长波长光激发.理论研究表明,n-Sic在掺杂比例C_(B)/C_(P0)=0.25时具有较好的光电性能,可能与n-Si被B杂质补偿后部分Si—Si键变成Si—B键的同时产生的Si悬挂键以及在Si禁带中形成的局域态能级有关. 展开更多
关键词 第一性原理 态密度 杂质补偿硅 光学性质
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N-InSb的杂质补偿度对其非线性电导的影响
5
作者 徐建人 龚雅谦 +1 位作者 郑国珍 郭少令 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第6期338-345,共8页
在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在较高电场区呈现出很强的非线性电导,对此,我们采用了二带导电模型进行了分析和讨论,提出了利用高补偿低浓... 在深低温强磁场条件下,对不同电学参数(掺杂量,补偿度等)的N-InSb材料的过热电子输运特性进行了系统研究,结果表明:高补偿材料能在较高电场区呈现出很强的非线性电导,对此,我们采用了二带导电模型进行了分析和讨论,提出了利用高补偿低浓度N-InSb材料来改善锑化铟远红外探测器性能的新方法,从而为锑化铟过热电子远红外探测器的选材提供了可靠依据. 展开更多
关键词 锑化铟 杂质补偿度 非线性电导
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硅单晶杂质补偿度对超高反压大功率晶体管耐压特性的影响
6
作者 吴仲墀 钱佑华 +1 位作者 张维宽 罗振华 《应用科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期91-94,共4页
一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低... 一、引言 超高反压大功率晶体管DF104是电视机的重要电子器件。提高其质量和合格率是发展国产电视机的重要课题之一。在严格的器件设计和工艺条件下,采用低补偿度的优质硅单晶材料,能有效地提高这晶体管的击穿电压及其合格率,从而降低其成本。 实验用的衬底硅单晶片是电阻率大体相同(P≈80Ωom)的N-Si。实验时,从同一硅单晶锭切下硅片,用55K低温霍尔法和迭代法抽样检测其杂质补偿度K,再将和抽样检测样品相邻的硅片,经严格抛光清洗之后投片生产晶体管。每次生产条件严格保持相同。对生产出的晶体管,统测其耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)及其合格率ξ,η等。合格率ξ和η分别定义为耐压≥某额定耐压BV_(ceo)和BV_(cbo)的成品数对总成品数之比。 展开更多
关键词 晶体管 杂质补偿度 硅 DF104 耐压
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