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SiC MOS结构空间电荷区杂质离化的研究 被引量：1
1
作者 尚也淳 张义门 张玉明 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期630-633,共4页
在研究SiCMOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel Pool效应 ,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型 .基于对一维Poisson方程的求解 ,分析了场致离化对SiCMOS结构特性的影响 ,结果表明 ,电场的作用会提高SiC中杂质... 在研究SiCMOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel Pool效应 ,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型 .基于对一维Poisson方程的求解 ,分析了场致离化对SiCMOS结构特性的影响 ,结果表明 ,电场的作用会提高SiC中杂质离化浓度 ,使析冻效应减弱 。 展开更多
关键词 碳化硅 杂质离化 空间电荷区 MOS结构
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杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
2
作者 李春霞 徐静平 +1 位作者 吴海平 黎沛涛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第5期470-473,共4页
文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅... 文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。 展开更多
关键词 碳化硅 MOS场效应晶体管 杂质离化 迁移率
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杂质不完全离化对MISiC气体传感器的影响
3
作者 王巍 代作海 +3 位作者 王晓磊 唐政维 徐洋 王平 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2010年第9期67-69,73,共4页
研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进... 研究了杂质不完全离化对金属—绝缘体—碳化硅(MISiC)传感器性能的影响。考虑到Pool-Frenkel效应和外加电场的作用,建立了MISiC器件空间电荷区泊松方程。运用准中性近似,对所建立的泊松方程进行数值计算,得到了空间电荷区的电势分布,进而得到MISiC传感器的I-V与C-V特性。实验结果表明:室温下SiC器件中杂质不完全离化,随着温度的升高,杂质离化率增大。在外加电场的作用下,杂质的离化率增加,并最终导致MISiC器件I-V与C-V曲线的移动。 展开更多
关键词 金属-绝缘体-碳化硅 杂质离化 泊松方程 Pool-Frenkel效应 气体传感器
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