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不对称实矩阵的本征对共轭子空间迭代算法 被引量:11
1
作者 钟万勰 林家浩 《计算结构力学及其应用》 CSCD 1990年第4期1-10,共10页
对于大型不对称实矩阵A的本征值问题Ax=λx本文提出了共轭子空间迭代算法,指出怎样计算模最大的前p个本征对的方法,同时还求出了转置阵A^T的前P个本征向量。这个迭代算法是收敛的。数值例题表明了方法的有效性。
关键词 实矩阵 共轭子 空间迭代算法
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Completeness of Eigenfunction Systems for Off-Diagonal Infinite-Dimensional Hamiltonian Operators 被引量:15
2
作者 侯国林 阿拉坦仓 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第2期237-241,共5页
For the off-diagonal infinite dimensional Hamiltonian operators, which have at most countable eigenvalues, a necessary and sufficient condition of the eigenfunction systems to be complete in the sense of Cauchy princi... For the off-diagonal infinite dimensional Hamiltonian operators, which have at most countable eigenvalues, a necessary and sufficient condition of the eigenfunction systems to be complete in the sense of Cauchy principal value is presented by using the spectral symmetry and new orthogonal relationship of the operators. Moreover, the above result is extended to a more general case. At last, the completeness of eigenfunction systems for the operators arising from the isotropic plane magnetoelectroelastic solids is described to illustrate the effectiveness of the criterion. The whole results offer theoretical guarantee for separation of variables in Hamiltonian system for some mechanics equations. 展开更多
关键词 Hamiltonian system infinite dimensional Hamiltonian operator COMPLETENESS Cauchy principalvalue magnetoelectroelastic solid
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含有δ掺杂层的SiGe pMOS量子阱沟道空穴面密度研究 被引量:7
3
作者 胡辉勇 张鹤鸣 +5 位作者 戴显英 吕懿 舒斌 王伟 姜涛 王喜媛 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期4314-4318,共5页
建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 .讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系 ,阈值电压VT 与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟... 建立了含有δ掺杂层的SiGepMOS器件量子阱沟道中空穴面密度的静态与准静态物理模型 ,并对该模型进行了数值分析 .讨论了静态时器件量子阱空穴面密度与δ掺杂层杂质浓度和本征层厚度的关系 ,阈值电压VT 与δ掺杂层杂质浓度NA、量子阱沟道载流子面密度Ps 及本征层厚度di 等参数间的关系 .同时还讨论了准静态时量子阱空穴面密度P′s 展开更多
关键词 Δ掺杂 量子阱 MOS器件 沟道 杂质浓度 阈值电压 空穴 准静态 载流子
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氧化锌中的本征点缺陷对材料光电性能的影响 被引量:6
4
作者 章炜巍 朱大中 沈相国 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第9期79-82,共4页
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响。目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一。本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n型的作用机理... ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响。目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一。本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n型的作用机理、对p型ZnO制备的影响及点缺陷对薄膜绿光发光的贡献。 展开更多
关键词 点缺陷 光电性能 光电器件 发光性能 绿光 ZNO薄膜 氧化锌 电学 领域
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旋转不变的三维物体识别 被引量:5
5
作者 吕静 苏显渝 王海霞 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第12期1492-1497,共6页
提出一种具有旋转不变性的三维物体识别的新方法。该方法通过结构照明的方法,使物体的高度分布以变形条纹的形式编码于二维强度像中。由于条纹图像包含有物体的高度分布信息,因而对条纹图的相关识别具有本征三维识别的特点。旋转不变性... 提出一种具有旋转不变性的三维物体识别的新方法。该方法通过结构照明的方法,使物体的高度分布以变形条纹的形式编码于二维强度像中。由于条纹图像包含有物体的高度分布信息,因而对条纹图的相关识别具有本征三维识别的特点。旋转不变性是通过使用多通道滤波器实现的,此滤波器可以由不同方向三维物体对应的变形条纹图像经计算机处理得到。相关识别方法可以用光学匹配空间滤波器实现。计算机模拟实验证明了这种方法的有效性,它不仅可以实现旋转不变的三维物体识别,还可以给出物体旋转角度的估计值。 展开更多
关键词 三维物体识别 条纹图 旋转不变性 相关识别 图像 多通道 结构照明 空间滤波器 编码
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Fe/Si多层膜的层间耦合与界面扩散 被引量:3
6
作者 倪经 蔡建旺 +3 位作者 赵见高 颜世申 梅良模 朱世富 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期3920-3923,共4页
对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe Si多层膜的层间耦合进行研究 ,并通过退火 ,增大Fe ,Si之间的扩散 ,分析界面扩散对层间耦合的影响 .实验结果表明 ,层状结构良好的制备态的多层膜 ,Fe ,Si之间也存在一定程度的扩散 ,它是... 对以本征Si及重掺杂p型和n型Si作为中间层的Fe Si多层膜的层间耦合进行研究 ,并通过退火 ,增大Fe ,Si之间的扩散 ,分析界面扩散对层间耦合的影响 .实验结果表明 ,层状结构良好的制备态的多层膜 ,Fe ,Si之间也存在一定程度的扩散 ,它是影响层间耦合的主要因素 ,远远超过了半导体意义上的重掺杂 ,使不同种类的Si作为中间层的层间耦合基本一致 .进一步还发现 ,在一定范围内增大Fe ,Si之间的扩散 ,即使多层膜的层状结构已经有了相当的退化 ,Fe Si多层膜的反铁磁耦合强度基本保持不变 . 展开更多
关键词 多层膜 反铁磁 耦合 界面扩散 层状结构 半导体 重掺杂 退火 中间层
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参量激励过程中三波耦合的一般色散关系(Ⅰ)最容易激励参量不稳定性的频率和波矢条件 被引量:6
7
作者 赵正予 魏寒颖 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期441-447,共7页
讨论了在各向同性的均匀无耗电离层背景下激励参量不稳定性的三波耦合过程.首先从波的非线性耦合理论出发,分析入射电磁波和多个等离子体本征波模间的耦合情况;然后得到了无耗情况下参量激励过程满足的色散关系,在激励等离子体波的临界... 讨论了在各向同性的均匀无耗电离层背景下激励参量不稳定性的三波耦合过程.首先从波的非线性耦合理论出发,分析入射电磁波和多个等离子体本征波模间的耦合情况;然后得到了无耗情况下参量激励过程满足的色散关系,在激励等离子体波的临界情况下表现为两种频率和波矢匹配条件,进而从理论上证明最容易激励参量不稳定性的条件是耦合生成电子Langmuir波和离子声波. 展开更多
关键词 色散关系 不稳定性 参量 离子声波 耦合 等离子体波 频率 电离层 电磁波
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用琼斯矩阵本征分析法测量单模光纤偏振模色散 被引量:1
8
作者 汤树成 陶峰 李唐军 《现代有线传输》 2001年第3期18-21,共4页
鉴于琼斯矩阵本征分析法 (JME)在测量偏振模色散时所表现出的优越性和重要性 。
关键词 偏振模色散 单模光纤 琼斯矩阵 原理 分析法
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表面等离激元增强金属光致发光助力表面增强拉曼光谱获取表界面分子的本征化学信息 被引量:5
9
作者 张锦 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2017年第6期1081-1082,共2页
表面增强拉曼光谱(SERS)因其具有单分子的检测灵敏度和特异的分子指纹信息,在表面科学和分析检测领域得到广泛关注。拉曼光谱研究中除了利用谱峰频率外,还利用不同谱峰间的相对强度,以获得吸附分子的吸附构象、分子与金属界面电荷... 表面增强拉曼光谱(SERS)因其具有单分子的检测灵敏度和特异的分子指纹信息,在表面科学和分析检测领域得到广泛关注。拉曼光谱研究中除了利用谱峰频率外,还利用不同谱峰间的相对强度,以获得吸附分子的吸附构象、分子与金属界面电荷转移、材料局域化学性质等多种重要物理化学信息。 展开更多
关键词 表面增强拉曼光谱 金属界面 化学信息 单分子 表面等离激元 光致发光 检测灵敏度
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交联聚合物本征导热性能研究进展 被引量:5
10
作者 龚莹 周文英 +4 位作者 徐丽 寇雨佳 蔡会武 赵伟 闫智伟 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期1-7,共7页
综述了近年来本征导热交联聚合物的最新研究进展,分析了交联聚合物的声子导热机理及影响因素,重点探讨了在交联聚合物内构筑微尺度有序结构的3类方法:引入类晶结构预聚物、固化剂,液晶和介晶单元,以及通过选择交联剂结构来调控相邻分子... 综述了近年来本征导热交联聚合物的最新研究进展,分析了交联聚合物的声子导热机理及影响因素,重点探讨了在交联聚合物内构筑微尺度有序结构的3类方法:引入类晶结构预聚物、固化剂,液晶和介晶单元,以及通过选择交联剂结构来调控相邻分子链间非共价键作用力,建立利于声子传递的导热通道。最后提出了本征导热交联聚合物的发展方向。 展开更多
关键词 交联聚合物 导热 研究进展
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用Numerov算法求解一维无限深势阱的本征问题 被引量:2
11
作者 余瑞兰 蔺玉柱 崔光磊 《巢湖学院学报》 2003年第3期43-47,共5页
用Numerov算法求解一维无限深势阱的十个本征值以及基态、第一、第二和第三激发态波函数的数值解 ,所得到的数值结果和解析解吻合很好 。
关键词 Numerov算法 一维无限深势阱 基态 激发态 波函数 量子力学
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Josephson结阵列中的超混沌行为及超混沌控制 被引量:3
12
作者 安淑君 徐艾诗 冯玉玲 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2016年第1期131-137,共7页
考虑由3个本征电阻电容电感分路的Josephson结串联组成阵列的动力学行为,并根据线性反馈理论提出控制该阵列中超混沌的方案.数值模拟结果表明:由于参数区间不同,因此该阵列系统可处于周期、混沌或超混沌状态;该方案可使阵列中的超混沌... 考虑由3个本征电阻电容电感分路的Josephson结串联组成阵列的动力学行为,并根据线性反馈理论提出控制该阵列中超混沌的方案.数值模拟结果表明:由于参数区间不同,因此该阵列系统可处于周期、混沌或超混沌状态;该方案可使阵列中的超混沌状态进入稳定的周期状态,通过调节反馈强度可获得具有不同周期数稳定的周期状态. 展开更多
关键词 超混沌控制 Josephson结阵列 LYAPUNOV指数
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确定PHEMT器件等效电路的一种新方法
13
作者 谢利刚 张斌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期748-752,共5页
提出了一种新的确定 PHEMT器件小信号等效电路方法 .这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件 ,从而提高非本征元件值的精度 ,使得整个等效电路的精度大大提高 .这种方法迅速而准确 ,用 Matlab编制的... 提出了一种新的确定 PHEMT器件小信号等效电路方法 .这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件 ,从而提高非本征元件值的精度 ,使得整个等效电路的精度大大提高 .这种方法迅速而准确 ,用 Matlab编制的程序可重复使用 .确定的等效电路可以很好地与测量值吻合至 2 0 GHz. 展开更多
关键词 等效电路 解析 优化 S参数
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轻稀土掺杂对TbFeCo材料磁光性能的影响 被引量:1
14
作者 周世杰 张喜燕 +2 位作者 姜峰 齐琳琳 刘志农 《重庆工学院学报》 2004年第5期11-14,共4页
采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜 ,并在TbFeCo中分别引入轻稀土元素Nd、Pr和Ce ,测试了薄膜的磁光性能 ,得到磁光薄膜的克尔回线 ;并研究了薄膜成份对其磁光性能的影响 ,比较不同稀土元素的掺杂效果。结果表明 ,在TbFeCo... 采用射频磁控溅射方法制备了TbFeCo非晶磁光薄膜 ,并在TbFeCo中分别引入轻稀土元素Nd、Pr和Ce ,测试了薄膜的磁光性能 ,得到磁光薄膜的克尔回线 ;并研究了薄膜成份对其磁光性能的影响 ,比较不同稀土元素的掺杂效果。结果表明 ,在TbFeCo薄膜中掺入一定量的轻稀土元素 ,可改善薄膜的磁光性能 ,提高薄膜的本征克尔角、矫顽力和矩形度。其中 ,Nd掺杂的效果最好 ,掺杂后 ,薄膜的磁光克尔角可达 0 .4 7° ,矫顽力可达 3.4× 10 5A/m。 展开更多
关键词 磁光性能 磁光薄膜 掺杂 射频磁控溅射方法 元素 矫顽力 制备 成份 研究
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1+1/2 Cell超导加速腔的本征高阶模场分布研究 被引量:2
15
作者 王桂梅 吴文忠 +6 位作者 鲁向阳 张保澄 全胜文 朱凤 林林 焦飞 赵夔 《高能物理与核物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第11期1077-1080,共4页
为实现高平均流强加速,需要有效地消除超导加速腔中的高阶模场。为研制有效的高阶模耦合器,本文对北京大学DC-SC光阴极超导注入器的核心部件——1+1/2 cell超导加速腔中高阶模场进行了分析研究,用HFSS程序计算给出前31个高阶模场参数,... 为实现高平均流强加速,需要有效地消除超导加速腔中的高阶模场。为研制有效的高阶模耦合器,本文对北京大学DC-SC光阴极超导注入器的核心部件——1+1/2 cell超导加速腔中高阶模场进行了分析研究,用HFSS程序计算给出前31个高阶模场参数,与实验测量较为符合。HFSS计算与Superfish计算结果比较符合很好,验证用HFSS计算可靠,为以后超导腔的升级研究提供有效的手段。 展开更多
关键词 高平均流强 高阶模 超导加速腔 HFSS 分布研究 模场 CELL 程序计算 模耦合器
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Ion Pairing Kinetics Does not Necessarily Follow the Eigen-Tamm Mechanism 被引量:2
16
作者 Qiang Zhang Bing-bing Zhang +1 位作者 Ling Jiang Wei Zhuang 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 2013年第6期694-700,I0004,共8页
The most recognized and employed model of the solvation equilibration in the ionic solutions was proposed by Eigen and Tamm, in which there are four major states for an ion pair in the solution: the completely solvat... The most recognized and employed model of the solvation equilibration in the ionic solutions was proposed by Eigen and Tamm, in which there are four major states for an ion pair in the solution: the completely solvated state, 2SIP (double solvent separate ion pair), SIP (single solvent separate ion pair), and CIP (contact ion pair). Eigen and Tamm suggested that the transition from SIP to CIP is always the slowest step during the whole pairing process, due to a high free energy barrier between these two states. We carried out a series of potential of mean force calculations to study the pairing free energy profiles of two sets of model mono- atomic 1:1 ion pairs 2.0:x and x:2.0. For 2.0:x pairs the free energy barrier between the SIP and CIP states is largely reduced due to the salvation shell water structure. For these pairs the SIP to CIP transition is thus not the slowest step in the ion pair formation course. This is a deviation from the Eigen-Tamm model. 展开更多
关键词 Ion pairing Eigen-Tamm model Potential of mean force
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纳米硅薄膜的镜反射红外光谱研究 被引量:1
17
作者 赵涛 张毅 +4 位作者 陈英颖 吴则嘉 刘晓晗 杨晟远 张林春 《理化检验(物理分册)》 CAS 2005年第2期79-82,共4页
研究探讨了镜反射红外光谱在纳米材料方面的应用。通过等离子化学气相沉积法(PECVD),制备本征和掺磷的纳米硅薄膜(ncSi:H),利用镜反射红外光谱研究了本征和掺磷的纳米硅薄膜的光谱特征。通过实验,发现这两种薄膜中都存在多氢键合方式,PE... 研究探讨了镜反射红外光谱在纳米材料方面的应用。通过等离子化学气相沉积法(PECVD),制备本征和掺磷的纳米硅薄膜(ncSi:H),利用镜反射红外光谱研究了本征和掺磷的纳米硅薄膜的光谱特征。通过实验,发现这两种薄膜中都存在多氢键合方式,PECVD工艺参数如衬底温度、直流电压和掺杂浓度对薄膜结构具有一定的影响。 展开更多
关键词 镜反射 纳米硅薄膜 衬底温度 直流电压 掺杂浓度 掺杂
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低维纳米材料中五次孪晶结构的透射电镜研究 被引量:1
18
作者 陈寒元 李建奇 +1 位作者 高燕 解思深 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第1期29-38,共10页
本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次... 本文对Ag纳米线中的五次孪晶结构进行了深入系统的透射电镜研究。首次获得了Ag纳米线截面的五次孪晶结构的高分辨图像和电子衍射花样;研究了单根孪晶Ag纳米线中五次孪晶的结构特性。结果表明:Ag纳米线沿着[110]方向生长,具有显著的五次孪晶结构特点,其中五次孪晶是由五个{111}晶体旋转组成。并针对五重旋转孪晶产生7°20′本征间隙的这一典型结构问题,进行了统计实验分析,提出了纳米线中五次孪晶的新的结构模型。电子能量损失谱(EELS)研究表明:五次孪晶的中心部位相对于Ag单晶,其Ag M4,5峰向低能量方向有轻微漂移。单根纳米线的选区电子衍射或者是由[112]和[110]方向,或者是由[110]和[111]方向叠加产生的。对五次孪晶纳米线高温动态行为的透射电镜原位观察将有利于了解纳米线的生长机理。 展开更多
关键词 电子衍射 纳米线 位相 EELS 电子能量损失谱 晶体 透射电镜 首次 部位
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ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进 被引量:2
19
作者 尚林涛 刘铭 +2 位作者 周朋 邢伟荣 沈宝玉 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期67-71,共5页
以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实... 以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实验结果显示,ALE低温缓冲层能较快地释放晶格失配应力,降低位错密度。室温和77K的Hall测试显示,引入低温ALE缓冲层生长的InSb/GaAs异质外延薄膜,其InSb外延层本征载流子浓度和迁移率等电学性能较常规的方法有着较大的改进。 展开更多
关键词 分子束外延 原子层外延 INSB GAAS
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Contactless probing of the intrinsic carrier transport single-walled carbon nanotubes 被引量:1
20
作者 Yize Stephanie Li Jun Ge +4 位作者 Jinhua Cai Jie Zhang Wei Lu Jia Liu Liwei Chen 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第11期1623-1630,共8页
Intrinsic carrier transport properties of single-walled carbon nanotubes have been probed by two parallel methods on the same individual tubes: The contactless dielectric force microscopy (DFM) technique and the co... Intrinsic carrier transport properties of single-walled carbon nanotubes have been probed by two parallel methods on the same individual tubes: The contactless dielectric force microscopy (DFM) technique and the conventional field-effect transistor (FET) method. The dielectric responses of SWNTs are strongly correlated with electronic transport of the corresponding FETs. The DC bias voltage in DFM plays a role analogous to the gate voltage in FET. A microscopic model based on the general continuity equation and numerical simulation is built to reveal the link between intrinsic properties such as carrier concentration and mobility and the macroscopic observable, i.e. dielectric responses, in DFM experiments. Local transport barriers in nanotubes, which influence the device transport behaviors, are also detected with nanometer scale resolution. 展开更多
关键词 single-walled carbon nanotubes electronic transport dielectric force microscopy field-effect transistor carrier density carrier mobility
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