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Si基光子器件的p-i-n电学结构模型及分析 被引量：4
1
作者 陈伟伟 赵勇 +3 位作者 杨承霖 钱伟 杨铁权 杨建义 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期8-12,共5页
为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0... 为了设计研制基于载流子色散效应的Si基光子器件,本文针对Si基光子器件的电学结构,利用Silvaco的器件仿真工具Atlas,并根据载流子色散理论,结合有限差分(FD)法,建立了基于pi-n结的电学结构模型。同时,为了提高模型的实际应用水平,采用0.18μm CMOS工艺线制作Si基马赫-曾德尔调制器(MZM),并进行相应的实验验证与分析。本文工作将为从物理层面上优化Si基光子器件设计提供帮助。 展开更多
关键词 Si基光子学 马赫-曾德尔调制器(MZM) 载流子色散 p-i-n结 有限差分(fd)法
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