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磁控溅射工艺引起硅表面超薄钝化层电子结构变化 被引量：2
1
作者 高明 杜汇伟 +3 位作者 杨洁 陈姝敏 徐静 马忠权 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第19期1841-1848,共8页
通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子... 通过真空热退火、有效少子寿命（πeff）的测量（利用微波光电导衰减μ-PCD法）和表面-界面光电子能谱分析（X-ray Photoemission Spectroscopy,XPS）等方法,研究了磁控溅射沉积ITO（Indium Tin Oxide）薄膜过程中,等离子体中载能粒子束（原子/离子和紫外辉光）对超薄Si Ox（1.5~2.0 nm）/c-Si（150μm）样品界面区的原子成键和电子态的损伤问题,并就ITO薄膜的硅表面电子态有效钝化功能进行了研究.结果表明,溅射沉积ITO薄膜材料后该样品的πeff衰减了90%以上,从105μs减少到5μs.但是,适当退火条件可以恢复少子寿命到30μs,表明Si Ox/c-Si之间界面态的降低有助于改善氧化层的钝化效果.ITO薄膜和c-Si之间Si Ox薄层的形成和它的结构随退火温度的变化,是导致界面态、少子寿命变化的主要原因,且得到了XPS深度剖析分析的确认. 展开更多
关键词 溅射损伤 SiOx/c-Si界面 μ-PCD 有效少子寿命 真空退火 XPS
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少子寿命跟踪在异质结电池生产中的应用
2
作者 李锋 史金超 +3 位作者 杨伟光 于波 宋登元 于威 《中国科学：技术科学》 EI CSCD 北大核心 2017年第2期170-175,共6页
异质结电池是量产的高效晶体硅太阳电池之一,开发简单有效的监控方案是规模化生产的前题.通过监测a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n^+),TCO/a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n^+)... 异质结电池是量产的高效晶体硅太阳电池之一,开发简单有效的监控方案是规模化生产的前题.通过监测a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i),a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)/a-Si:H(n^+),TCO/a-Si:H(p^+)/a-Si:H(i)/c-Si/aSi:H(i)/a-Si:H(n^+)三种异质结的有效少子寿命来监控太阳电池生产过程中各层薄膜的沉积质量,追踪电池性能,结果发现,各异质结的隐性开压(impliedVoc),赝填充因子(pFF)等在低于~2ms时,与寿命呈明显的正相关关系,而当少子寿命超过~2ms时,上述电参数变化很小,趋于饱和状态,最终的电池效率也遵循这一规律.这可以解释为硅材料在非平衡态下的费米能级之差随着表面复合的减少趋于极大值所致.研究表明,采用少子寿命跟踪的方法,可以判断非晶硅层的质量、透明氧化物薄膜沉积过程中对非晶硅的轰击损伤、分析和预测电池性能,同时可监控产线的稳定性和异常情况. 展开更多
关键词 有效少子寿命 钝化 异质结太阳电池
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线性微波化学气相沉积制备AlO_x/SiN_x双层薄膜及钝化性能的研究
3
作者 张健 巴德纯 +1 位作者 张振厚 赵崇凌 《真空》 CAS 2016年第3期7-11,共5页
通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高... 通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高质量的AlO_x薄膜和SiN_x薄膜,AlO_x薄膜生长速度达到了180nm/min,SiN_x薄膜生长速度达到了135nm/min;经过AlO_x/SiN_x双层薄膜钝化的P型单晶硅有效少子寿命达到了2300μs,且经过800℃产线烧结工序,少子寿命下降幅度很低,热稳定性优异。 展开更多
关键词 线性微波化学气相沉积 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 有效少子寿命
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