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一种新型PNP晶体管的数值分析
1
作者 郭慧民 周会 姬成周 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期188-192,共5页
从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出... 从基本半导体方程出发 ,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布 ,载流子浓度分布和输出特性 .晶体管的有效基区宽度约为 50nm .证明了这种晶体管有效基区中的电场是载流子输运的主要机制 ,它的输出特性与MOS场效应管的输出特性相似 .这种晶体管有望用作数字电路中的高速器件 . 展开更多
关键词 PNP晶体管 数值分析 数值模拟 电场分布 载流子浓度 有效基区 基本半导体方程
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温度对硅晶体管有效基区展宽效应的影响
2
作者 郑茳 冯耀兰 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第3期31-33,共3页
关键词 硅晶体管 温度 展宽效应 有效基区
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