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失配状态对GaN HEMT器件性能影响的研究
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作者 邵国键 陈正廉 +4 位作者 林罡 张茗川 王云燕 刘柱 陈韬 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2021年第6期470-473,共4页
失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱... 失配状态会使GaN HEMT器件的输出功率、效率等偏离设计的额定值,通过EMMI和红外测试系统验证了失配状态对GaN HEMT器件性能的影响。结果表明,EMMI发光强度和器件的最高结温与器件输出功率的变化趋势相反,输出功率越大,EMMI发光强度越弱,器件的最高结温越小。进一步测试器件内部左、中、右三个位置的最高结温分布,器件不同位置的最高结温分布受匹配状态、相位、输出功率等影响较大。在不同占空比工作条件下,器件内部不同位置的最高结温分布各不相同,且温升差异更大。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 失配 微光显微镜 红外测试 电致发光 最高结温分布 温升
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