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射频Si/SiGe/Si HBT的研究
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作者 廖小平 殷刚毅 《电子器件》 CAS 2003年第2期136-138,共3页
在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率f_τ和最高振荡频率f_(max)的关系,成功地制备了f_τ为2... 在Si/SiGe/Si HBT与Si工艺兼容的研究基础上,对射频Si/SiGe/Si HBT的射频特性和制备工艺进行了研究,分析了与器件结构有关的关键参数寄生电容和寄生电阻与Si/SiGe/Si HBT的特征频率f_τ和最高振荡频率f_(max)的关系,成功地制备了f_τ为2.5GHz、f_(max)为2.3GHz的射频Si/SiGe/Si HBT,为具有更好的射频性能的Si/SiGe/Si HBT的研究建立了基础。 展开更多
关键词 Si/SiGe/SiHBT 特征频率fT 最高振荡频率fmax
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