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正交各向异性材料中微裂纹的最大屏蔽效应
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作者 左宏 陈宜亨 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期65-69,共5页
通过对正交各向异性材料中不同的微裂纹屏蔽源泉的分析，发现在Ｈｕｔｃｈｉｎｓｏｎ所指出的屏蔽效应的第２个源泉（即微裂纹形成引起的残余应力释放导致应力场的再分布）中，还应计及微裂纹形成引起的远场应力在微裂纹处产生的应力场... 通过对正交各向异性材料中不同的微裂纹屏蔽源泉的分析，发现在Ｈｕｔｃｈｉｎｓｏｎ所指出的屏蔽效应的第２个源泉（即微裂纹形成引起的残余应力释放导致应力场的再分布）中，还应计及微裂纹形成引起的远场应力在微裂纹处产生的应力场的释放（可称为诱导应力），从而应重新考虑应力场的分布，在文中所研究的各向异性脆性材料中，在计及诱导应力释放对应力场的影响及局部材料刚度下降的影响时，当微裂纹倾角与微裂纹处的最大拉应力方向垂直时，微裂纹对主裂纹的屏蔽效应达到最大值，该结果与Ｏｒｔｉｚ在连续损伤力学的构架下得到的结果一致． 展开更多
关键词 微裂纹 正交向各异性 最大屏敝效应 材料
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