2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的...2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年,共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品。展开更多
文摘2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年,共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品。