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单晶高温合金V槽的激光修复工艺研究
被引量:
12
1
作者
罗登
路媛媛
+2 位作者
郭溪溪
杜锦铮
刘德健
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期31-37,共7页
研究了单晶高温合金的修复工艺对枝晶生长的影响,分析了不同底角V形槽对激光修复枝晶生长的影响。通过在DD5试样上进行激光熔覆来确定合适的工艺参数,发现减小热输入有利于扩大定向枝晶区域。DD5的搭接实验结果表明30%的搭接率有利于减...
研究了单晶高温合金的修复工艺对枝晶生长的影响,分析了不同底角V形槽对激光修复枝晶生长的影响。通过在DD5试样上进行激光熔覆来确定合适的工艺参数,发现减小热输入有利于扩大定向枝晶区域。DD5的搭接实验结果表明30%的搭接率有利于减小搭接区域的杂晶。选用合适的工艺参数对DD6试样的不同底角V槽进行修复。结果表明,V形槽底角在60°-120°的范围内变化时,底部枝晶生长方向变化不大,但侧壁附近杂晶会随着熔池温度的梯度方向与最优生长方向夹角的增大而减小。当V槽底角为120°时,侧壁区域不产生杂晶。
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关键词
激光技术
单晶高温合金
激光修复
最优
生长
方向
枝晶
生长
V槽
原文传递
题名
单晶高温合金V槽的激光修复工艺研究
被引量:
12
1
作者
罗登
路媛媛
郭溪溪
杜锦铮
刘德健
机构
华中科技大学材料科学与工程学院
湖北工业大学工程技术学院
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第5期31-37,共7页
文摘
研究了单晶高温合金的修复工艺对枝晶生长的影响,分析了不同底角V形槽对激光修复枝晶生长的影响。通过在DD5试样上进行激光熔覆来确定合适的工艺参数,发现减小热输入有利于扩大定向枝晶区域。DD5的搭接实验结果表明30%的搭接率有利于减小搭接区域的杂晶。选用合适的工艺参数对DD6试样的不同底角V槽进行修复。结果表明,V形槽底角在60°-120°的范围内变化时,底部枝晶生长方向变化不大,但侧壁附近杂晶会随着熔池温度的梯度方向与最优生长方向夹角的增大而减小。当V槽底角为120°时,侧壁区域不产生杂晶。
关键词
激光技术
单晶高温合金
激光修复
最优
生长
方向
枝晶
生长
V槽
Keywords
laser technique
single-crystal superalloy
laser repairing
optimal growth direction
dendrites growth
V-groove
分类号
TN253 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶高温合金V槽的激光修复工艺研究
罗登
路媛媛
郭溪溪
杜锦铮
刘德健
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
12
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