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题名P-N结太阳电池暗特性的数值分析
被引量：1
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作者
张翠丽
胡建民
王月媛
王秀英
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机构
哈尔滨师范大学
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出处
《哈尔滨师范大学自然科学学报》
CAS
2017年第6期39-42,共4页
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基金
黑龙江省高等学校教改工程项目(SJGY20170198)
黑龙江省高等教育学会教育科研课题重点项目(16Z040)
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文摘
以Ga As/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗I-V特性曲线影响的基本规律.研究结果表明,串联电阻的变化对开启电压没有影响,而随串联电阻的增大,在正向电压高于开启电压的范围内暗I-V特性曲线斜率减小;在正向电压低于开启电压范围内I-V特性曲线斜率随并联电阻的减小逐渐增大并接近纯电阻电路的I-V特性;随二极管反向饱和电流的增大,P-N结的开启电压明显减小,而随品质因子的增大开启电压基本不变.
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关键词
固体物理学
太阳电池
P-N结
暗i-v特性曲线
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Keywords
Solid State Physics
Solar cells
P - N junction
dark i - v characteristic curve
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分类号
O48
[理学—固体物理]
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题名体缺陷性质对晶硅电池暗I-V特性的影响
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作者
陆晓东
宋扬
王泽来
赵洋
张金晶
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机构
渤海大学新能源学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2016年第10期39-44,共6页
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基金
国家自然科学基金资助(No.61575029
No.11304020)
辽宁省教育厅一般项目资助(No.L2012401)
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文摘
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明:晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分为三个基本区域;随受主型、施主型和复合中心型缺陷密度的增加,电池的开路电压、短路电流、填充因子和效率等参数均发生退化;在反向偏压下,受主型缺陷的密度增加,不会引起不同偏压下晶硅电池暗电流的明显变化,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会引起各偏压下晶硅电池暗电流出现明显变化;在正向偏压下,受主型缺陷可很好地保持晶硅电池暗I-V特性曲线基本性质,但施主型和复合中心型缺陷密度大于某阈值时,会导致晶硅电池暗I-V特性曲线的性质发生明显变化。
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关键词
晶硅电池
有限差分法
晶体缺陷
暗i-v特性曲线
理想因子
总电流密度
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Keywords
crystalline silicon cells
finite difference method
crystal defect
dark i-v characteristic curve
ideal factor
total current density
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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题名有源层表面性质对晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性的影响
- 3
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作者
陆晓东
宋扬
王泽来
赵洋
张宇峰
吕航
张金晶
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机构
渤海大学新能源学院
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出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
2017年第1期51-56,71,共7页
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基金
国家自然科学基金资助(No.61575029
No.11304020)
辽宁省教育厅一般项目(No.L2012401)
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文摘
利用有限差分法求解半导体器件基本方程,研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明:当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷,且三者起施主型和受主型陷阱作用时,正向偏压下的晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线与理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线相同,但当正向偏压大于PN开启电压0.59V,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线,且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大;当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时,晶硅电池暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线将偏离理想二极管Ⅰ-Ⅴ特性曲线;就对暗Ⅰ-Ⅴ特性曲线的影响而言,复合中心最大,施主型次之,受主型最小。
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关键词
晶硅电池
暗i-v特性曲线
理想因子
总电流密度
缺陷态
有限差分
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Keywords
crystalline silicon cells
dark i-v characteristic curve
ideal factor
total current density
defect mode
finite difference
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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