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计算晶胞能量确定砷化锗镉晶体的吸收缺陷
1
作者 李春彦 石秀梅 +1 位作者 邹辉 巩丽红 《牡丹江医学院学报》 2008年第1期7-10,共4页
目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果:根据计算... 目的:通过晶胞形成能量分析砷化锗镉晶体的本征缺陷。方法:通过砷化锗镉晶体合成特点及其是p-型半导体的检测结果,确定了纯砷化锗镉(CdGeAs2)晶体的各种可能本征缺陷模型,并利用密度泛函理论计算各种可能缺陷的晶胞能量。结果:根据计算锗占砷位晶胞能量最低。结论:锗占砷位是最可能的吸收缺陷,这与国外用EPR推测出的缺陷类型相一致,同时计算得出铬掺杂能够有效地降低晶体在中红外区的吸收,进而克服了晶体在中红外区强吸收。 展开更多
关键词 砷化锗镉 晶胞能量 吸收缺陷 掺杂
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