期刊文献+
共找到6篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
Y_3Ga_5O_(12)单晶及其晶纤的生长 被引量:1
1
作者 王其良 陈继勤 钟永成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期296-300,共5页
本文介绍了用CZ法生长Nd:Y_3Ga_5O_(12)(YGG)大单晶。YGG熔体易挥发,且其对流花样呈涡流状。X射线衍射相分析表明挥发物为Ga_2O_3。加大炉内保护气N_2压力或用98%N_2及2%O_2的混合气体,都可明显的抑制Ga_2O_3的挥发。常压激光加热基... 本文介绍了用CZ法生长Nd:Y_3Ga_5O_(12)(YGG)大单晶。YGG熔体易挥发,且其对流花样呈涡流状。X射线衍射相分析表明挥发物为Ga_2O_3。加大炉内保护气N_2压力或用98%N_2及2%O_2的混合气体,都可明显的抑制Ga_2O_3的挥发。常压激光加热基座生长(LHPG)法不能生长YGG单晶光纤。对晶纤的X射线能谱分析(EDS)表明,YGG中Ga_2O_3探发很严重,且Ga从中心迁移到边缘,造成晶纤中组分极不均匀。 展开更多
关键词 Y3Ga5O12 YGG单 提拉法
下载PDF
氧化物单晶晶纤的生长规律
2
作者 陈继勤 丁祖昌 +2 位作者 符森林 卢子宏 陈溪芳 《浙江大学学报(自然科学版)》 CSCD 1990年第4期622-627,共6页
用LHPG法可以生长出优质单晶纤维,其条件是:(1)熔区长度调整到1_c=K(D+d),其中K在0.55~0.75间,其值与晶体表面能有关;(2)在V_f=(D/d),V_s条件下,选择合适的V_f可以使△d/d极小。(3)源棒均匀,即△D=0。式中D、d别为源棒和晶纤直径,V_f和... 用LHPG法可以生长出优质单晶纤维,其条件是:(1)熔区长度调整到1_c=K(D+d),其中K在0.55~0.75间,其值与晶体表面能有关;(2)在V_f=(D/d),V_s条件下,选择合适的V_f可以使△d/d极小。(3)源棒均匀,即△D=0。式中D、d别为源棒和晶纤直径,V_f和V_s分别为提拉晶纤和输送源棒速率。文中用晶体生长理论讨论了上述规律。 展开更多
关键词 生长 氧化物
下载PDF
铌酸锂单晶光纤包层研究
3
作者 阙文修 姚熹 霍玉晶 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1996年第1期80-84,共5页
通过镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同轴向生长、不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度、扩散时间、MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有... 通过镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同轴向生长、不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度、扩散时间、MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有阶跃和抛物折射率分布的包层,并对包层晶纤的模式特性进行了观察,得到低次模传输。 展开更多
关键词 镁离子内扩散 铌酸锂 包层
下载PDF
铌酸锂单晶光纤包层研究
4
作者 阙文修 霍玉晶 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 1995年第1期80-84,共5页
通过镁离子内扩散铌酸锂晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同的轴向生长,不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度,扩散时间,MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有... 通过镁离子内扩散铌酸锂晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同的轴向生长,不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度,扩散时间,MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有阶跃和抛物折射率分布的包层,并对包层晶纤的模式特性进行了观察,得到低次模传输。 展开更多
关键词 镁离子内扩散 铌酸锂 包层
全文增补中
新型复合晶纤
5
《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期55-55,共1页
关键词 复合 玻璃钢 辅料 粘度 收缩率
下载PDF
新型复合晶纤
6
作者 李雄 《建材工业信息》 2004年第4期25-25,共1页
关键词 长春市华盛新材料发展有限公司 复合 玻璃钢 注射 喷射
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部