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多晶硅电阻中晶粒数、晶粒平均长度及激活能的确定
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作者 阮刚 Thomas Otto +2 位作者 肖夏 Reinhard Streiter Thomas Gessner 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期135-140,共6页
提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法．用该法得出的结果同 透射电子显微镜（ＴＥＭ）的实测统计结果符合较好，平均偏差小于１５％．给出了基于多晶硅电阻电流温度关系实 测曲线得出的晶粒边界激活... 提出了一种基于实测伏安特性确定多晶硅电阻中晶粒数及晶粒平均长度的方法．用该法得出的结果同 透射电子显微镜（ＴＥＭ）的实测统计结果符合较好，平均偏差小于１５％．给出了基于多晶硅电阻电流温度关系实 测曲线得出的晶粒边界激活能．结果显示：经 Ｈ２　气氛、４５０℃、３０ ｍｉｎ退火的样品，其激活能高于未退火的． 展开更多
关键词 多晶硅电阻 晶粒数 晶粒平均长度 激活能
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