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可见光在CsI:Na转换屏中传输的模拟研究 被引量：4
1
作者 郭金川 牛憨笨 周彬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第7期801-806,共6页
本文用 Monte Carlo方法模拟了 X射线与转换屏作用产生的可见光子在无晶柱和理想晶柱转换屏中的传输过程 ,给出了可见光子在转换屏中的点扩展函数 ,并计算了其 MTF.结果表明 ,晶柱结构的转换屏能有效地改善转换屏的空间分辨特性 .同时 ... 本文用 Monte Carlo方法模拟了 X射线与转换屏作用产生的可见光子在无晶柱和理想晶柱转换屏中的传输过程 ,给出了可见光子在转换屏中的点扩展函数 ,并计算了其 MTF.结果表明 ,晶柱结构的转换屏能有效地改善转换屏的空间分辨特性 .同时 ,本文还给出了转换屏的转换效率及传输效率与球管电压。 展开更多
关键词 空间分辨特性 传输效应 MonteCarlo方法 可见光子 CsI:Na转换屏 X射线 晶柱 点扩展函数 光电子学
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α－Si_3N_4晶须、晶柱与生长温度关系的研究 被引量：2
2
作者 徐功骅 来月英 +3 位作者 刘艳生 尉京志 吴华武 张克宏 《复合材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期55-59,共5页
本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ_３Ｎ_４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得... 本文采用无定形氮化硅超细粉制备α－Ｓｉ_３Ｎ_４晶须和晶柱，并对生长温度对晶须中的缺陷的影响进行了研究。结果表明：晶须生长时能否得到完整的晶体，与其生长温度有关，只有某一温度范围（１４３０℃±３０℃）生长时，才能得到比较完整的晶体，晶须的生长温度太高或太低均会引起晶体生长的不完整性，晶须中会出现大量的缺陷，温度继续升高时，在晶须中又出现了晶粒，继而生长成晶柱。 展开更多
关键词 晶须 晶柱 氮化硅 生长温度
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晶柱粘连对CsI∶Na转换屏分辨特性的影响 被引量：5
3
作者 郭金川 牛憨笨 周彬 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期1214-1217,共4页
本文用 Monte Carlo方法研究了 Cs I∶Na转换屏中晶柱之间的粘连对其空间分辨特性的影响 ,给出了不同粘连程度下可见光在转换屏中的点扩展函数及相应的 MTF曲线 .通过几种不同粘连系数下模拟结果的比较可见 ,要获得一个高分辨的转换屏... 本文用 Monte Carlo方法研究了 Cs I∶Na转换屏中晶柱之间的粘连对其空间分辨特性的影响 ,给出了不同粘连程度下可见光在转换屏中的点扩展函数及相应的 MTF曲线 .通过几种不同粘连系数下模拟结果的比较可见 ,要获得一个高分辨的转换屏应尽可能减小晶柱之间的粘连 .对于一个实际的转换屏其粘连系数至少应在 40 %以下 ,最好控制在 2 0 展开更多
关键词 CsI:Na 转换屏 晶柱粘连 空间分辨率 Nonte CARLO方法 晶柱 X射线像增强器 数字非晶硒平板探测器
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纳米晶柱热稳定性研究 被引量：2
4
作者 周浪 周耐根 宋照东 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期34-38,共5页
以纳米晶柱作为表面量子点的模型,以不同截面尺寸的Al纳米晶柱为例,对其在不同温度下的弛豫过程进行了一系列分子动力学模拟,采用了Ercolessi等建立的原子镶嵌势计算原子间的相互作用力.结果表明:对于沿相互垂直的{110}和{211}面切割形... 以纳米晶柱作为表面量子点的模型,以不同截面尺寸的Al纳米晶柱为例,对其在不同温度下的弛豫过程进行了一系列分子动力学模拟,采用了Ercolessi等建立的原子镶嵌势计算原子间的相互作用力.结果表明:对于沿相互垂直的{110}和{211}面切割形成的近正方形截面晶柱,其截面厚度存在一热稳定性转变临界值.小于该值时纳米晶柱迅速失稳,发生熔融-重结晶的过程;大于该值时只发生缓慢的表面原子迁移重组.两种情况下形成的稳定结构均为由{111}和{100}面组成的正多面体纳米岛,只是两种面的相对面积比有所不同;该临界尺寸随温度升高而呈近线性增大.模拟结果还显示,纳米晶柱的高度对其稳定性没有明显影响. 展开更多
关键词 纳米晶柱 量子点 热稳定性 分子动力学
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大面积高分辨率CsI(Tl)X射线转换屏实验研究 被引量：1
5
作者 廖华 胡昕 +3 位作者 杨勤劳 王光超 王云程 阔晓梅 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 北大核心 2014年第2期174-178,共5页
通过对X射线转换屏制备过程中,Tl+掺杂浓度、基底刻蚀、晶柱生长过程和防潮解等方面的大量实验研究,得到最佳掺杂浓度(摩尔比为0.055%)及合适的基底刻蚀深度(5μm)与工艺,实现对晶柱生长过程中表面形貌、温度、压力和转速的控制,研制出... 通过对X射线转换屏制备过程中,Tl+掺杂浓度、基底刻蚀、晶柱生长过程和防潮解等方面的大量实验研究,得到最佳掺杂浓度(摩尔比为0.055%)及合适的基底刻蚀深度(5μm)与工艺,实现对晶柱生长过程中表面形貌、温度、压力和转速的控制,研制出有效直径为100 mm、空间分辨率约为12lp/mm(厚度为300μm)的CsI(Tl)X射线转换屏. 展开更多
关键词 数字成像 掺杂浓度 基底刻蚀 晶柱生长 空间分辨 X射线转换屏
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采用纳米晶柱阵列衬底抑制失配位错形成的分子动力学模拟研究 被引量：1
6
作者 周耐根 周浪 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期3064-3070,共7页
运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果表明:采用纳米晶柱阵列衬底可以在不形成失配位错的条件下释放其上生长的外延薄膜晶体中的失配应变... 运用分子动力学方法对纳米晶柱阵列衬底上铝簿膜的外延生长进行了模拟研究.所采用的原子间相互作用势为嵌入原子法(EAM)多体势.模拟结果表明:采用纳米晶柱阵列衬底可以在不形成失配位错的条件下释放其上生长的外延薄膜晶体中的失配应变,有效地抑制其中失配位错的形成,获得高质量的外延薄膜晶体;这种纳米晶柱阵列的几何设计应满足两个基本条件:1)晶柱的横截面尺寸应大于对应温度下的晶柱热失稳临界尺寸,以克服纳米结构的热失稳,模拟显示700K下铝的热失稳临界尺寸为1.9nm;2)晶柱的高度与间距之比应大于0.76,以保证晶柱间"沟底"部分生长的低质量的薄膜被完全遮蔽而停止生长,并且相邻晶柱上的外延层能够互相桥连形成无失配位错、高质量的薄膜晶体. 展开更多
关键词 失配位错 分子动力学 纳米晶柱 铝
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表面增生合成水晶簇与天然水晶簇鉴别
7
作者 谢平辉 《云南地质》 2008年第4期434-436,共3页
水热法合成的表面增生水晶的晶体习性与天然水晶近似,但包体性质、偏光镜干涉色、晶体表面特征等方面有明显区别,藉此可作鉴别。
关键词 外表形态 晶柱表面特征 包体性质 鉴别 人工及天然水晶
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硅晶柱的磨削研究
8
作者 黄蓉 《时代农机》 2017年第1期87-88,共2页
硅片是现代电子工业的主要原材料,对于直径小于200mm的硅片,传统的加工工艺流程为:单晶生产→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。而因为硅这类脆硬材料的物理性能,使其在磨削时由于它的磨削... 硅片是现代电子工业的主要原材料,对于直径小于200mm的硅片,传统的加工工艺流程为:单晶生产→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片→倒角→研磨→腐蚀→抛光→清洗→包装。而因为硅这类脆硬材料的物理性能,使其在磨削时由于它的磨削阻抗力大很难磨削,文章对硅晶柱的磨削方法加以研究。 展开更多
关键词 加工工艺 硅晶柱磨削 磨削理论 研究方法
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