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碳化硅晶体中异质包裹物与微管道缺陷的关系 被引量：1
1
作者 孟大磊 徐永宽 +1 位作者 冯玢 郝建民 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期72-75,共4页
对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管... 对物理气相传输法(PVT)生长的碳化硅单晶中异质包裹物与微管道缺陷之间的关系进行了研究。首先对生长系统中的气体组分进行热力学分析,进而对碳化硅晶片作光学显微镜和扫描电子显微镜观测,在此基础上分析了异质包裹物的生成及其对微管道缺陷产生的影响。发现在生长初期富硅的气氛会在晶体中引入异质相,而异质相的化学计量比失衡会成为诱发微管产生的源头。 展开更多
关键词 日碳化硅 Gibbs函数 异质包裹物 微管
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