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BN_xP_(1-x)光电薄膜的性能及在紫外探测中的应用
1
作者
姜娜
何彬
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第7期8-10,共3页
通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料。利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有良好的粘合性,不容易脱落。利用紫外-可见光分光光度计(UV)研究了薄膜的紫外吸收特性。并测量出在254nm和...
通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料。利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有良好的粘合性,不容易脱落。利用紫外-可见光分光光度计(UV)研究了薄膜的紫外吸收特性。并测量出在254nm和365nm波段其量子效率分别为33%和40%,当波长大于400nm时,其量子效率陡然下降。经研究证明:BNxP1-x作为一种宽带隙半导体材料在日盲型紫外探测领域中具有极大的潜能。
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关键词
日
盲
型
紫外
探测
宽带隙半导体
BNxP1-x薄膜
紫外
吸收
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职称材料
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
2
作者
包西昌
李超
+2 位作者
张文静
王玲
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期835-838,共4页
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值...
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
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关键词
日
盲
型
紫外
探测
器
ALGAN
响应率
电容特性
下载PDF
职称材料
题名
BN_xP_(1-x)光电薄膜的性能及在紫外探测中的应用
1
作者
姜娜
何彬
机构
第二炮兵工程学院
出处
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004年第7期8-10,共3页
基金
第二炮兵创新人才工程项目
文摘
通过化学气相沉积法在单晶GaAs衬底上成功生长了BNxP1-x薄膜材料。利用扫描电镜观察到该薄膜表面十分光滑,其生长层与衬底之间具有良好的粘合性,不容易脱落。利用紫外-可见光分光光度计(UV)研究了薄膜的紫外吸收特性。并测量出在254nm和365nm波段其量子效率分别为33%和40%,当波长大于400nm时,其量子效率陡然下降。经研究证明:BNxP1-x作为一种宽带隙半导体材料在日盲型紫外探测领域中具有极大的潜能。
关键词
日
盲
型
紫外
探测
宽带隙半导体
BNxP1-x薄膜
紫外
吸收
Keywords
visible-blind UV photodetectors
wide bandgap semiconductors
boron nitride phosphide(BN_xP_(1-x)) films
UV absorption
分类号
TB43 [一般工业技术]
下载PDF
职称材料
题名
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
2
作者
包西昌
李超
张文静
王玲
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院研究生院
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010年第5期835-838,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(6070802860807037)
文摘
对采用金属有机化学气相沉积方法生长的p-Al0.43Ga0.57N/i-Al0.43Ga0.57N/n-Al0.7Ga0.3N异质结构上制备的背照射日盲型AlGaN紫外光电探测器进行了光电性能和电容特性的研究。室温下探测器零偏压时的电流密度为0.44 nA/cm2,278 nm的峰值响应率为0.042 A/W。电容频率特性表明:器件电容随着频率的增大先迅速后缓慢地降低,但在频率高于100 kHz后又加速下降。通过器件低频下的电容计算可得,其耗尽层宽度为160 nm,低于设计的本征层厚度,说明器件的本征层没有完全耗尽。因此,未耗尽本征层的高电阻是引起100 kHz附近电容又快速下降的重要原因,由不同频率下1/C2-V曲线的变化关系及其斜率计算的杂质浓度等结果进一步证实了这一结论。
关键词
日
盲
型
紫外
探测
器
ALGAN
响应率
电容特性
Keywords
Solar blind UV detector
AlGaN
Responsivity
Capacitance characteristics
分类号
TN312.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
BN_xP_(1-x)光电薄膜的性能及在紫外探测中的应用
姜娜
何彬
《传感器技术》
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
2
日盲型AlGaN PIN紫外探测器的电容特性
包西昌
李超
张文静
王玲
李向阳
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2010
0
下载PDF
职称材料
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