期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
1
作者
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期87-98,共12页
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所...
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。
展开更多
关键词
摩尔定律
CMOS器件
无
结
场效应管
量子阱
场效应
晶体
管
碳纳米
管
场效应
晶体
管
石墨烯
场效应
晶体
管
二维半导体
场效应
晶体
管
真空沟道
场效应管
下载PDF
职称材料
离子敏感场效应管的结构优化建模
2
作者
王钰妍
《科技与创新》
2021年第24期152-154,共3页
离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶...
离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶液中离子浓度浓度变化而直接变化。首先对离子敏感场效应管进行仿真建模,分析其工作原理。建模过程主要解决了对于液体电解质的自建材料计算与半导体电解质接触面边界条件的模拟仿真。传统的离子敏感场效应管的敏感度上限为59.6 mV/pH,又称为能斯特极限。为了突破能斯特极限提高器件性能,通过采用无结型场效应管的结构来设计离子敏感场效应管,最后仿真得到敏感度更高、精度更好的器件结构。
展开更多
关键词
离子敏感
场效应管
pH值测量
无
结
型
场效应管
仿真建模
下载PDF
职称材料
题名
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
1
作者
肖德元
张汝京
机构
上海新昇半导体科技有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期87-98,共12页
基金
国家科技重大专项资助项目(2015ZX02401)
文摘
迄今为止,现有的晶体管都是基于PN结或肖特基势垒结而构建的。在未来的几年里,CMOS制造技术的进步将导致器件的沟道长度小于10nm。在这么短的距离内,为使器件能够工作,将不得不采用非常高的掺杂浓度梯度。进入纳米领域,常规CMOS器件所面临的许多问题都与PN结相关,传统的按比例缩小将不再足以继续通过制造更小的晶体管而获得器件性能的提高。半导体工业界正在努力从器件几何形状,结构以及材料方面寻求新的解决方案。文中研究了无结场效应器件制备工艺技术及其进展,这些器件包括半导体无结场效应晶体管、量子阱场效应晶体管、碳纳米管场效应晶体管、石墨烯场效应晶体管、硅烯场效应晶体管、二维半导体材料沟道场效应晶体管和真空沟道场效应管等。这些器件有可能成为适用于10nm及以下技术节点乃至按比例缩小的终极器件。
关键词
摩尔定律
CMOS器件
无
结
场效应管
量子阱
场效应
晶体
管
碳纳米
管
场效应
晶体
管
石墨烯
场效应
晶体
管
二维半导体
场效应
晶体
管
真空沟道
场效应管
Keywords
Moore′s law
CMOS
junctionless field effect transistor
quantum well field effect transistor
carbon nano-tube field effect transistor
graphene field effect transistor
2D semiconductor material channel field effect transistor
vacuum channel field effect transistor
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
离子敏感场效应管的结构优化建模
2
作者
王钰妍
机构
上海电力大学
出处
《科技与创新》
2021年第24期152-154,共3页
文摘
离子敏感场效应管是在金属氧化物场效应管的基本结构上,通过改变栅极结构与材料得到的一种可以直接测量电解质溶液里离子浓度变化的新型器件。该器件除了有传统场效应管的基本性质之外,还有一个重要的性质,即其栅极电压会跟着电解质溶液中离子浓度浓度变化而直接变化。首先对离子敏感场效应管进行仿真建模,分析其工作原理。建模过程主要解决了对于液体电解质的自建材料计算与半导体电解质接触面边界条件的模拟仿真。传统的离子敏感场效应管的敏感度上限为59.6 mV/pH,又称为能斯特极限。为了突破能斯特极限提高器件性能,通过采用无结型场效应管的结构来设计离子敏感场效应管,最后仿真得到敏感度更高、精度更好的器件结构。
关键词
离子敏感
场效应管
pH值测量
无
结
型
场效应管
仿真建模
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展
肖德元
张汝京
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2016
0
下载PDF
职称材料
2
离子敏感场效应管的结构优化建模
王钰妍
《科技与创新》
2021
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
