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基于磁链变量的宽电压智能交流接触器触头弹跳抑制策略 被引量：6
1
作者 张长坤 许志红 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2018年第21期4998-5006,共9页
为推进智能交流接触器小型化进程,建立无电容线圈驱动拓扑,并结合接触器电流闭环控制技术,在吸合过程中引入磁链变量,提出在宽范围控制电源电压下智能交流接触器触头弹跳抑制策略,实现宽电压下的触头弹跳抑制。利用两种不同规格的双E型... 为推进智能交流接触器小型化进程,建立无电容线圈驱动拓扑,并结合接触器电流闭环控制技术,在吸合过程中引入磁链变量,提出在宽范围控制电源电压下智能交流接触器触头弹跳抑制策略,实现宽电压下的触头弹跳抑制。利用两种不同规格的双E型直动式接触器验证了通过磁链判别触头是否即将闭合方案的可行性,并以其中一种规格为例探究控制电源电压和励磁相位对磁链变化的影响,建立宽电压触头弹跳抑制策略控制流程并进行实验。实验结果表明,触头弹跳抑制策略能够明显减小宽电压智能交流接触器的触头弹跳时间。 展开更多
关键词 智能交流接触器 无电容 宽电压 磁链 触头弹跳
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基于低压差线性稳压电路的专利技术综述
2
作者 叶盛 张婕 《科教导刊（电子版）》 2017年第15期148-150,共3页
低压差线性稳压电路 （即 LDO, Low Dropout Regulator） 以其电路简单, 噪声低及功耗低等优点, 在电源管理领域获得广泛应用.本文对基于低压差线性稳压电路领域发展的专利申请趋势、 专利申请产出国和专利申请人分布进行了统计分析, ... 低压差线性稳压电路 （即 LDO, Low Dropout Regulator） 以其电路简单, 噪声低及功耗低等优点, 在电源管理领域获得广泛应用.本文对基于低压差线性稳压电路领域发展的专利申请趋势、 专利申请产出国和专利申请人分布进行了统计分析, 并针对重点专利发展技术的低噪声、 高电源抑制比技术, 瞬态响应技术以及无片外电容技术的三大主要技术分支, 对其技术手段的实现以及技术方向的发展脉络进行了统计分析. 展开更多
关键词 低压差线性稳压 低噪声 电源抑制比 瞬态响应 无电容
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无电容型LDO的研究现状与进展 被引量：10
3
作者 邹志革 邹雪城 +3 位作者 雷鑑铭 杨诗洋 陈晓飞 余国义 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期241-246,共6页
无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在... 无电容型低压差线性稳压器(LDO)除具有低噪声和高精度的特点外,还具有便于SoC系统集成和低应用成本的优点。与传统LDO相比,无电容型LDO无法利用输出电容的ESR补偿零点,也无法使输出电容在负载电流瞬态变化时为其提供充放电电流,从而在稳定性和瞬态特性上遇到巨大挑战。分析讨论了无电容型LDO的设计挑战;回顾了无电容型LDO在提高稳定性和改善瞬态特性上的最新研究成果。 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无电容型LDO 集成稳压器
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基于反嵌套共源共栅米勒补偿的LDO设计 被引量：5
4
作者 康瑞 代国定 +1 位作者 李沉沉 刘帅 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2018年第11期20-23,共4页
基于反嵌套式共源共栅米勒补偿提出了单极点系统的无电容型LDO线性稳压器.该稳压器采用由反相增益级和反相可变增益级组成的可变增益缓冲器,可提高LDO的压摆率和负载瞬态变化时的稳定性.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一款2.5V200mA... 基于反嵌套式共源共栅米勒补偿提出了单极点系统的无电容型LDO线性稳压器.该稳压器采用由反相增益级和反相可变增益级组成的可变增益缓冲器,可提高LDO的压摆率和负载瞬态变化时的稳定性.基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,设计了一款2.5V200mA的适合SoC应用的无电容型LDO,仿真结果表明其漏失电压为150mV,在1mA到200mA的负载电流范围内,该LDO在输出电容为0～1μF的范围内都能稳定,负载电流为200mA时,环路的最大相位裕度可达86°,最小相位裕度高达76°. 展开更多
关键词 低压差线性稳压器 无电容型 反嵌套式共源共栅米勒补偿 可变增益缓冲器
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一种无片外电容高电源抑制比LDO设计
5
作者 郭少威 盛祥和 +1 位作者 卢杨 王少昊 《中国集成电路》 2024年第5期28-33,78,共7页
低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路要求低输入输出压差和高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。本文采用前馈纹波消除电路和负电容电路实现了在低输入输出压差(≤0.2 V)条件下分别对无片外电容高电源抑制比... 低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路要求低输入输出压差和高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)。本文采用前馈纹波消除电路和负电容电路实现了在低输入输出压差(≤0.2 V)条件下分别对无片外电容高电源抑制比LDO的10 KHz以下频段和1 MHz频带内的电源噪声抑制能力进行提升。此外,提出的方案还通过调整第二级误差放大器的增益,实现了级间电源噪声制约,进一步提升了电源抑制比。本文基于SMIC 55 nm工艺对提出的LDO电路进行了设计与仿真。结果表明,设计的LDO在1.8 V输入电压下可以获得稳定的1.6 V输出电压,输入输出压差≤0.2 V,在1MHz以下频段内PSRR均大于75 dB,10~100 KHz频段的积分噪声为15μV_(RMS)。此外,该LDO还实现1.43 mV/V线性调整率,负载调整率为10μV/mA,总体电路消耗静态电流为76μA。 展开更多
关键词 高电源抑制比 前馈纹波消除 负电容电路 无电容型LDO
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一种低静态电流瞬态增强的无电容型LDO设计 被引量：4
6
作者 池上升 胡炜 +1 位作者 樊明辉 许育森 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期36-40,共5页
基于推挽式结构能提高运算放大器压摆率的特性,设计了一款静态电流低、内含推挽式AB类放大器的无电容型低压差线性稳压器（LDO）。通过优化,改善了LDO的瞬态响应性能,与传统的LDO相比,所提出的无电容型LDO的静态电流明显减小。采用SMIC ... 基于推挽式结构能提高运算放大器压摆率的特性,设计了一款静态电流低、内含推挽式AB类放大器的无电容型低压差线性稳压器（LDO）。通过优化,改善了LDO的瞬态响应性能,与传统的LDO相比,所提出的无电容型LDO的静态电流明显减小。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺模型,利用Cadence工具对电路进行仿真验证。仿真结果表明,当输入电压为1.4~4V时,优化后LDO的输出电压为1.2 V,静态电流为5.2μA,最大负载电流达到100 mA,线性调整率为0.016%,负载调整率为0.67%,下过冲为157mV,上过冲为121mV,建立时间为1.5μs。优化后电路瞬态响应性能改善了约50%,版图面积约为0.017mm2。 展开更多
关键词 低静态电流 无电容型LDO 瞬态增强
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DRAM研究现状与发展方向
7
作者 牛君怡 孙锴 《电子技术应用》 2024年第12期21-30,共10页
动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。... 动态随机存取存储器(DRAM)因其高存储密度和成本效益,在现代大规模计算机和超高速通信系统中得到广泛应用。主要介绍动态DRAM的发展历程、关键技术、国内外研究进展以及未来发展方向。首先,介绍了DRAM的分类、基本单元结构、工作原理。其次,详细介绍了DDR SDRAM的关键性能指标以及专用DRAM的发展。然后,介绍了提高DRAM访问速度、容量与密度的创新DRAM架构和技术,以及无电容存储单元结构、3D堆叠DRAM技术以及Rowhammer安全问题及其防御机制。最后,展望了DRAM技术的未来发展方向,阐述了为了应对日益增长的高速、低功耗和高可靠性的存储需求,对现有DRAM技术的进行深入研究和创新的重要性。 展开更多
关键词 DRAM 无电容存储单元 3D DRAM Rowhammer 2T0C DRAM
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四相无电容裂相式开关磁阻电机的调速控制 被引量：3
8
作者 吴玉飞 刘闯 张磊 《电机技术》 2012年第2期14-17,共4页
开关磁阻电机系统采用无电容裂相式主电路,每相半周期导通。在分析电机相绕组自感和互感基础上,得出两相电感之和随转子位置角周期变化,两相同时通电产生转矩,并提出适合于四相无电容裂相式的角度位置控制策略。整个调速范围使用PWM调... 开关磁阻电机系统采用无电容裂相式主电路,每相半周期导通。在分析电机相绕组自感和互感基础上,得出两相电感之和随转子位置角周期变化,两相同时通电产生转矩,并提出适合于四相无电容裂相式的角度位置控制策略。整个调速范围使用PWM调压控制,同时解决了系统不同转速段控制模式的平滑切换问题。 展开更多
关键词 四相开关磁阻电机 无电容裂相式 角度位置控制 调速控制
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基于阻尼系数控制频率补偿的无电容型LDO设计 被引量：2
9
作者 邹志革 杨诗洋 +3 位作者 邹雪城 雷鑑铭 陈晓飞 余国义 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第7期49-52,56,共5页
基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用... 基于级间密勒补偿技术,产生一个低频主极点,并通过阻尼系数控制(DFC)单元调节两个次主极点略高于单位增益频率(UGF),使得无电容型LDO开环传递函数中在UGF内只有一个极点,从而保证环路稳定性,同时又优化了系统的动态响应.基于该结构,采用HHNEC0.25μm CMOS工艺,设计了一个1.8V100mA的适合SoC应用的无电容型LDO.其电压降为50mV,在50μA到100mA的负载电流范围内,开环传递函数相位裕度高于55度,瞬态电压过冲值低于140mV,负载电流在最大值与最小值之间阶跃变化时,最大恢复时间为3μs,系统静态电流为40μA. 展开更多
关键词 线性低压差稳压器 无电容型 阻尼系数控制 频率补偿 稳定性
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一种带瞬态增强电路的无电容型LDO 被引量：2
10
作者 李江昆 杨汝辉 +3 位作者 杨康 祝晓辉 甄少伟 罗萍 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期54-57,62,共5页
设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易... 设计了一种可用于SOC片内供电的新型瞬态增强无电容型线性压差调整器电路。相对于需要由误差放大器、缓冲器和反馈网络三级结构构成的传统LDO,该设计在简单的一级单管控制结构上增加了摆率增强电路(SRE)来实现瞬态响应增强,可以更容易地进行频率补偿,在简化设计过程的同时,保证了较快的响应速度。 展开更多
关键词 无电容型LDO 瞬态增强 摆率增强
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一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计 被引量：2
11
作者 赖松林 黄淑燕 陈金伙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期762-766,771,共6页
基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响... 基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。 展开更多
关键词 快速瞬态响应 类密勒补偿 无电容型LDO
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一种低静态电流瞬态增强型无片外电容LDO 被引量：1
12
作者 罗伟淞 朱梓杰 +1 位作者 卢杨 王少昊 《中国集成电路》 2023年第4期66-72,共7页
低压差线性稳压器(LDO)具有低功耗、瞬态响应性能好、电源噪声抑制比高、结构简单等优势,被广泛地应用在物联网、生物医疗、便携式设备等领域。无片外负载电容型LDO无需外接大容量负载电容,易于片上集成,是当前LDO技术发展的主要方向之... 低压差线性稳压器(LDO)具有低功耗、瞬态响应性能好、电源噪声抑制比高、结构简单等优势,被广泛地应用在物联网、生物医疗、便携式设备等领域。无片外负载电容型LDO无需外接大容量负载电容,易于片上集成,是当前LDO技术发展的主要方向之一。但是,随着等效电容的减小,无片外电容型LDO在设计上难以同时满足低静态电流和高瞬态响应的要求。本文基于低静态电流优先的设计思路,采用SMIC 180 nm CMOS工艺设计了一种具有双向动态偏置推挽级误差放大器的瞬态增强型无片外电容LDO,仅需微安级的静态电流即可实现高压摆率并足以驱动调整管。在此基础上,该LDO采用基于衬底偏置效应的瞬态增强电路,在无需消耗额外功率和引入旁路电容的同时,进一步降低了输出端过冲电压幅度,在实现低功耗的同时提升了整体瞬态响应性能。仿真结果表明,设计的LDO在1.2 V电源电压下可以获得稳定的1 V输出,在1 kHz下,其电源抑制比达到了-72 dB;当负载电流在50μA~100 mA区间时可实现1.69μA的静态电流、0.019 mA/mV的负载调整率、2.5μs的恢复时间和小于200 mV的过冲电压。 展开更多
关键词 低静态电流 瞬态增强 无电容型LDO
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无交流电容的构网型换流器电压电流比例控制及故障限流 被引量：1
13
作者 管敏渊 沈建良 +3 位作者 楼平 来骏 李凡 王建锋 《电力自动化设备》 EI CSCD 北大核心 2023年第7期197-203,共7页
通过引入电压电流比例关系,构建了适用于高压构网型换流器的无电容矢量电压控制,可与传统内环电流控制组成构网型换流器级联控制架构,保留正序电流限幅和负序电流抑制能力,防止换流器在电网故障时发生过流闭锁和损坏。与传统外环电压控... 通过引入电压电流比例关系,构建了适用于高压构网型换流器的无电容矢量电压控制,可与传统内环电流控制组成构网型换流器级联控制架构,保留正序电流限幅和负序电流抑制能力,防止换流器在电网故障时发生过流闭锁和损坏。与传统外环电压控制不同,该电压电流比例控制不依赖于交流侧并联容性滤波器的电气关系构建,适用于无交流电容的高压构网型换流器的外环电压控制。通过选取特定的交流电压频率指令值,构网型换流器可实现恒电压运行或虚拟同步机运行。时域仿真结果表明,所提高压构网型换流器控制在电网故障时可自动实现换流器的负序电流抑制和故障穿越功能,避免换流器过流闭锁及损坏,并在故障清除后恢复正常运行。 展开更多
关键词 无电容矢量电压控制 跟网型 构网型 换流器 电压电流比例控制 虚拟同步机 故障穿越 不对称
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四相SR无电容裂相式主电路的分析与应用 被引量：2
14
作者 王云林 刘闯 张磊 《微电机》 北大核心 2014年第1期40-43,56,共5页
本文开关磁阻电机系统采用无电容裂相式主电路,每相半周期导通。电机内部相绕组线包反相串联,四相绕组星形连接;具体分析了裂相式主电路中点电压脉动的原理,总结出无中点电容电路运行情况,并通过仿真验证了分析的结果;两相同时通电产生... 本文开关磁阻电机系统采用无电容裂相式主电路,每相半周期导通。电机内部相绕组线包反相串联,四相绕组星形连接;具体分析了裂相式主电路中点电压脉动的原理,总结出无中点电容电路运行情况,并通过仿真验证了分析的结果;两相同时通电产生转矩,并提出适合于四相无电容裂相式的角度位置控制策略,整个调速范围使用PWM调压控制。最后,通过实验验证,四相无电容裂相式开关磁阻电机系统稳定可靠运行,控制方法可行。 展开更多
关键词 四相开关磁阻电机 无电容裂相式主电路 中点电压 角度位置控制
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一种瞬态增强的无片外电容LDO设计
15
作者 刘伟明 曹先国 +1 位作者 李涛 李青鸿 《中国集成电路》 2023年第10期63-67,共5页
基于SMIC 0.18 um BCD工艺,采用自适应功率管技术和直接电压尖峰检测技术,设计了一种瞬态响应增强的无片外电容低压差线性稳压器。瞬态增强电路采用对称的频率补偿网络提高功率管瞬时摆率,抑制下冲;采用PMOS管组成的电荷泄放通路减小系... 基于SMIC 0.18 um BCD工艺,采用自适应功率管技术和直接电压尖峰检测技术,设计了一种瞬态响应增强的无片外电容低压差线性稳压器。瞬态增强电路采用对称的频率补偿网络提高功率管瞬时摆率,抑制下冲;采用PMOS管组成的电荷泄放通路减小系统瞬时输出阻抗,抑制上冲。仿真结果显示:输入电压为3.5~4.5 V、漏失电压为100 mV时,系统最大输出电流为100 mA;线性调整率为0.04 mV/V,负载调整率为7.33 mV/A。负载电流在0~100 mA@1 us跳变时,上冲、下冲电压小于130 mV,建立时间小于1 us。 展开更多
关键词 无电容LDO 瞬态增强电路 电压尖峰检测 自适应功率管
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TDA2030A在有源音响中的应用
16
作者 李春彪 《电子元器件应用》 2004年第11期39-41,共3页
以TI公司的TDA2030A型电路为核心器件构成高保真声频放大器的功率放大器部分, 推动扬声器系统放音,构建一种输出功率足够大、谐波失真和互调失真很低、频率特性平坦的有源音响。
关键词 功率放大 有源音响 无电容输出 无平衡变压器
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基于混合宏模型的无电容型LDO设计
17
作者 邹志革 邹雪城 +2 位作者 雷鑑铭 杨诗洋 陈晓飞 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期90-93,100,共5页
模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率。提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计。基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC ... 模拟集成电路的"自顶向下"设计方法能大大提高电路设计效率。提出了一种"混合宏模型",能高效、简便地完成模拟集成电路的建模,进而指导器件级电路设计。基于"混合宏模型"的设计方法,完成了一款基于HHNEC 0.25μm标准CMOS工艺的无电容型LDO设计。 展开更多
关键词 混合宏模型 模拟集成电路 设计流程 无电容型LDO
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一种单级式高功率因数无电解电容AC/DC LED驱动电源略 被引量：31
18
作者 张艺文 金科 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第22期5851-5858,共8页
传统的发光二极管(lighting emitting diode,LED)驱动电源一般含有电解电容作为储能元件,其寿命成为制约LED驱动电源寿命的主要因素,并且会限制功率密度进一步提高。因此,提出一种在反激变换器变压器上增加一个绕组并增加全桥辅助电路... 传统的发光二极管(lighting emitting diode,LED)驱动电源一般含有电解电容作为储能元件,其寿命成为制约LED驱动电源寿命的主要因素,并且会限制功率密度进一步提高。因此,提出一种在反激变换器变压器上增加一个绕组并增加全桥辅助电路的无电解电容的LED驱动电源,其不仅去除了电解电容,延长了LED驱动电源的使用寿命,减小了驱动电源的体积,并且实现了功率因数校正,减小了输出电流两倍工频交流分量,输出电流近似恒定。本文详细分析了这种变换器的工作原理并试制了一台样机给出了实验结果。 展开更多
关键词 LED驱动 功率因数校正 无电解电容 恒流 储能电容大纹波
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无电解电容单相电力变换器直接脉动功率控制方法 被引量：29
19
作者 王浩然 朱国荣 +2 位作者 伏潇斌 刘卫星 王怀 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第13期3573-3581,3376,共9页
在单相电力变换系统中,大容量电解电容常用于消除交流侧与直流侧瞬时功率不平衡所产生的直流侧二次纹波电流以及交流侧低次谐波引起的直流侧谐波电流。然而电解电容的使用会直接降低系统工作效率,缩短使用寿命,给单相电力变换系统带来... 在单相电力变换系统中,大容量电解电容常用于消除交流侧与直流侧瞬时功率不平衡所产生的直流侧二次纹波电流以及交流侧低次谐波引起的直流侧谐波电流。然而电解电容的使用会直接降低系统工作效率,缩短使用寿命,给单相电力变换系统带来不良影响。针对该问题,文中首先将直流侧谐波(由交流侧基波和谐波引起的直流侧谐波成分)抑制的本质归纳为脉动功率的减弱、转移和就地补偿,基于此分析提出将脉动功率控制在交流侧,通过控制交流侧串联交流电容瞬时功率直接就地补偿而不在直流侧补偿的直接脉动功率控制思路,并总结出适用于交流侧直接脉动功率控制的电路结构特征。基于该电路结构推导出补偿多次谐波引起的交流侧脉动功率的控制函数,提出适用于多模块串联结构的无电解电容单相电力变换器(整流和逆变)直接脉动功率控制策略。该方法在不增加硬件成本的条件下保证电能质量,同时在交流侧对脉动功率进行直接就地补偿,缩短了脉动功率流通路径,提高了系统的效率。通过实验验证了所提方法的有效性。 展开更多
关键词 无电解电容 单相电力变换器 脉动功率 谐波抑制
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无电解电容AC/DCLED驱动电源中减小输出电流脉动的前馈控制策略 被引量：25
20
作者 杨洋 阮新波 叶志红 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2013年第21期18-25,189,共8页
高可靠性、高效率、高功率因数、低成本的LED驱动电源是保证发光二极管(light emitting diode,LED)发光品质和性能的关键。一种无频闪无电解电容AC/DC LED驱动电源已经被提出,它包括一个无电解电容的功率因数校正(power factor correcti... 高可靠性、高效率、高功率因数、低成本的LED驱动电源是保证发光二极管(light emitting diode,LED)发光品质和性能的关键。一种无频闪无电解电容AC/DC LED驱动电源已经被提出,它包括一个无电解电容的功率因数校正(power factor correction,PFC)变换器和一个在其输出端并联的双向变换器,式中双向变换器是用来吸收PFC变换器输出电流中的低频交流脉动电流,以达到消除LED照明频闪的目的。为了减小双向变换器输出侧的储能电容,储能电容设计为含有较大电压纹波的形式。该文在此基础上,分析双向变换器输出侧储能电容电压大纹波致使双向变换器的占空比中存在相应的谐波成分,其电流内环无法提供这些成分,只能通过增大双向变换器输入电流的跟踪稳态误差来满足这些谐波的需求,最终引起LED驱动电流畸变,会引发频闪问题。为了提高双向变换器输入电流对两倍输入频率交流电流吸收的准确性,减小LED驱动电流脉动,对双向变换器进行稳态分析,提出一种基于电流基准的前馈控制策略,实验结果验证了此方法的正确性。 展开更多
关键词 LED驱动 无电解电容 储能电容大纹波 双向变换器 电流畸变 前馈控制策略
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