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深紫外光刻照明系统光束整形单元的设计
被引量:
13
1
作者
赵阳
巩岩
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期29-34,共6页
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先,用几何光学定律和三角函数推导...
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先,用几何光学定律和三角函数推导了轴锥镜移动距离与光束放大倍率之间的函数关系;根据对变倍凸轮的合理性和装调公差灵敏度的分析,确定了轴锥镜组参数的变化范围,完成了变倍镜组与轴锥镜组合的光束整形单元的设计。最后,在组合系统后面加入了可连续变倍的缩束系统,实现了σ的连续可调。设计结果显示,在环形照明模式下,归一化的环宽Δσ和外环直径σouter分别在[0.25,1]和[0.4,1]内连续可调,满足设计要求。
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关键词
深紫外光刻
环形照明
轴锥
镜
部分相干因子
无
焦
变倍
镜
组
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职称材料
题名
深紫外光刻照明系统光束整形单元的设计
被引量:
13
1
作者
赵阳
巩岩
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第1期29-34,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.40974110)
文摘
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片,设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调,能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先,用几何光学定律和三角函数推导了轴锥镜移动距离与光束放大倍率之间的函数关系;根据对变倍凸轮的合理性和装调公差灵敏度的分析,确定了轴锥镜组参数的变化范围,完成了变倍镜组与轴锥镜组合的光束整形单元的设计。最后,在组合系统后面加入了可连续变倍的缩束系统,实现了σ的连续可调。设计结果显示,在环形照明模式下,归一化的环宽Δσ和外环直径σouter分别在[0.25,1]和[0.4,1]内连续可调,满足设计要求。
关键词
深紫外光刻
环形照明
轴锥
镜
部分相干因子
无
焦
变倍
镜
组
Keywords
deep ultraviolet lithography
annular illumination
axicon
partial coherent factor
afocal zoom system
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
O435.1 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
深紫外光刻照明系统光束整形单元的设计
赵阳
巩岩
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
13
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职称材料
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