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碳化硅圆柱槽微结构表面的化学机械抛光 被引量:7
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作者 赵清亮 孙智源 郭兵 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第15期183-189,共7页
目前工业界对高精度微结构功能表面玻璃元件,比如作为高性能二极管激光器准直透镜关键元件的圆柱槽阵列微结构功能表面玻璃元件的需求日趋增加,而其微结构表面质量的优劣也会直接影响激光器输出功率的大小。该类元件能否很好的实现其特... 目前工业界对高精度微结构功能表面玻璃元件,比如作为高性能二极管激光器准直透镜关键元件的圆柱槽阵列微结构功能表面玻璃元件的需求日趋增加,而其微结构表面质量的优劣也会直接影响激光器输出功率的大小。该类元件能否很好的实现其特定的光学功能取决于玻璃模压用具有微结构表面的模具(如碳化硅陶瓷等)最终加工质量,但由于碳化硅等陶瓷的超硬材料属性导致其微结构表面在精密磨削后还需要进行后续的抛光加工以达到使用精度要求。因此针对精密磨削后的无压烧结碳化硅(SSi C)微结构表面展开原位化学机械抛光(CMP)试验,试验结果表明,微结构表面粗糙度Ra及面形精度PV由磨削后的71.8 nm和2.14μm降低到了抛光后的7.7 nm和0.46μm;抛光后微结构尖角处形貌完整无破损,但尖角圆弧半径R有所扩大,由磨削后的8.082μm增大到9.294μm;微结构亚表面裂纹深度经抛光后由磨削后的5μm左右降低至1μm左右,从而有效地提高了模具精度。 展开更多
关键词 烧结碳化硅 微结构 化学机械抛光 表面质量 亚表面裂纹
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碳含量对无压烧结碳化硅陶瓷的显微组织和力学性能的影响
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作者 刘宝友 岳新艳 +2 位作者 冯东 茹红强 刘春明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第S01期169-171,共3页
在碳化硼添加量为1wt%的条件下,考察不同碳含量对2000℃下制备的无压固相烧结碳化硅陶瓷的显微组织和力学性能的影响。实验结果表明:物相分析显示不同C含量的SiC陶瓷样品的XRD衍射图谱近似相同,其中主相均为SiC,检测到少量C,未检测到B_(... 在碳化硼添加量为1wt%的条件下,考察不同碳含量对2000℃下制备的无压固相烧结碳化硅陶瓷的显微组织和力学性能的影响。实验结果表明:物相分析显示不同C含量的SiC陶瓷样品的XRD衍射图谱近似相同,其中主相均为SiC,检测到少量C,未检测到B_(4)C相。当C含量为3wt%时,SiC陶瓷样品的力学性能达到最佳,其相对密度、抗折强度、断裂韧性与维氏硬度分别为98.6%、452 MPa、4.5 MPa·m^(1/2)和30 GPa。继续增加碳含量,SiC晶粒存在局部异常长大现象,相应样品的力学性能也有所下降。 展开更多
关键词 碳含量 烧结碳化硅 显微组织 力学性能
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闪蒸缓冲罐进料口无压烧结碳化硅复合套管内衬的设计及应用
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作者 杨锦斌 张海庆 《中国有色冶金》 CAS 2019年第5期58-60,共3页
本文通过分析锌氧压浸出工艺中氧压釜排料角阀及闪蒸缓冲罐进料颈部冲刷严重的情况,从套管的方案设计及工作机理、内衬无压烧结碳化硅复合套管结构设计等方面予以论述,提出内衬无压烧结碳化硅复合套管替代904L不锈钢管的改造方案,使排... 本文通过分析锌氧压浸出工艺中氧压釜排料角阀及闪蒸缓冲罐进料颈部冲刷严重的情况,从套管的方案设计及工作机理、内衬无压烧结碳化硅复合套管结构设计等方面予以论述,提出内衬无压烧结碳化硅复合套管替代904L不锈钢管的改造方案,使排料角阀及闪蒸缓冲罐进料颈部使用寿命得到大幅度提高,保证了氧压釜排料的稳定性、连续性和可靠性。 展开更多
关键词 闪蒸缓冲罐 烧结碳化硅 复合套管 进料口 内衬 改造
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活性填料对聚硅氮烷连接SiC陶瓷接头性能的影响 被引量:1
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作者 刘洪丽 李慕勤 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期65-67,116,共4页
采用陶瓷先驱体聚合物——含乙烯基聚硅氮烷并加入活性填料纳米铝粉连接无压烧结SiC陶瓷。研究了纳米铝粉填料对连接强度的影响,并对连接层的微观结构及成分进行了分析。结果表明,纳米铝粉的加入,促进了聚硅氮烷的裂解,降低了连接温度,... 采用陶瓷先驱体聚合物——含乙烯基聚硅氮烷并加入活性填料纳米铝粉连接无压烧结SiC陶瓷。研究了纳米铝粉填料对连接强度的影响,并对连接层的微观结构及成分进行了分析。结果表明,纳米铝粉的加入,促进了聚硅氮烷的裂解,降低了连接温度,减少了连接层内的孔隙等缺陷,从而有效地提高了连接强度。当连接温度为1 150℃,加入纳米铝粉填料所获得的连接件经2次浸渍/裂解增强处理后,其室温三点抗弯强度达到最大值为146.8 MPa。XRD分析表明,连接层含有Si3N4,SiC及少量AlN等微粒。微观结构及成分分析显示,连接层厚度约为5μm,元素分布较为均匀,连接层与母材之间接合良好。 展开更多
关键词 陶瓷连接 聚硅氮烷 活性填料 纳米铝粉 烧结碳化硅陶瓷
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采用新型聚硅氮烷连接无压烧结SiC陶瓷 被引量:1
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作者 刘洪丽 田春英 +1 位作者 钟文武 李洪波 《热处理技术与装备》 2008年第1期25-28,共4页
采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷。研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析。结果表明,在1200~1400℃温度范围内,PS... 采用新型陶瓷先驱体聚合物-含乙烯基聚硅氮烷(PSZ)连接无压烧结SiC陶瓷。研究了PSZ的裂解过程以及连接温度、浸渍/裂解增强处理、惰性填料对连接强度的影响,并对连接区域微观结构进行了分析。结果表明,在1200~1400℃温度范围内,PSZ的裂解产物发生了由非晶态向晶态的转变。随着连接温度的升高,连接强度先升高后降低;浸渍/裂解增强处理可较大幅度提高接头强度;另外加入适量的纳米SiC填料可有效提高连接强度。当连接温度为1300℃,纳米SiC填料(质量分数)为5%时,经三次增强处理的连接件接头剪切强度达33.5MPa。微观结构分析显示,连接层厚度约为3~4μm,连接层与母材之间界面接合良好。 展开更多
关键词 陶瓷连接 聚硅氮烷 纳米SiC填料 烧结碳化硅陶瓷
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