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1
作者 唐正林 《人事与人才》 2000年第9期24-24,共2页
关键词 WINDOWS 派克墨水 蓝墨水 墨水瓶 作业本 方阵列 粘上胶 学习用品 大学生 电脑
全文增补中
微立方结构基底上生长碳纳米管薄膜的强流脉冲发射特性 被引量：2
2
作者 麻华丽 张新月 +3 位作者 霍海波 曾凡光 王淦平 向飞 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期2406-2408,2415,共4页
采用酞氰铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究。研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNT... 采用酞氰铁高温热解方法在具有微立方结构的化学镀镍硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Ni-CNTs),并在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对其强流脉冲发射特性进行了研究。研究结果表明,在单脉冲发射条件下,随脉冲电场峰值的增大,Si/Ni-CNTs薄膜的发射电流峰值呈线性增加,当宏观场强达到31.4 V/μm时,发射脉冲电流的峰值可达到14.74kA,对应的发射电流密度1.23kA/cm2,在相同峰值,连续多脉冲情况下,碳纳米管薄膜具有良好的发射可重复性,且发射性能稳定。 展开更多
关键词 强流脉冲发射 碳纳米管 微立方阵列 线性增加 稳定性
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正交群OL_n的直积群的研究 被引量：1
3
作者 吴炎 《陕西师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第S1期5-8,12,共5页
以正交方阵及其性质为基础，利用正交方阵列为手段研究正交群的直积群并给出其不变子群、自同构。
关键词 直积群 正交方阵列 不变子群
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线性群GL_n(F)的直积群的自同构及生成问题 被引量：1
4
作者 吴炎 《海南师范学院学报（自然科学版）》 2000年第1期9-14,共6页
本文以研究域F上n阶可逆方阵列为对象,研究n阶线性群GL_n(F)的直积群的不变子群及其自同构,并讨论了生成问题。
关键词 线性群 直积群 自同构 生成问题 可逆方阵列 不变子群
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两种微方阵列基底上碳纳米管薄膜强流脉冲发射比较
5
作者 麻华丽 霍海波 +2 位作者 曾凡光 向飞 王淦平 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第2期140-143,共4页
采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在具有微方结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,基底微方阵列的单元尺度分别为10μm×10μm×20μm(微方底边长为10μm,高为20μm)和40μm×40μm×20μm(微方底边长为40μm... 采用酞菁铁高温热解方法,以化学镀铜层为缓冲层在具有微方结构阵列的硅基底上制备了CNTs薄膜,基底微方阵列的单元尺度分别为10μm×10μm×20μm(微方底边长为10μm,高为20μm)和40μm×40μm×20μm(微方底边长为40μm,高为20μm),微结构的阵列间距分别为30μm和80μm;在20GW脉冲功率源系统中采用二极管结构对两种CNTs薄膜进行强流脉冲发射特性测试。结果显示:随着脉冲电场峰值的增大,两种冷阴极的强流脉冲发射电流值逐渐增大,在相同峰值的脉冲电场下,微方结构单元尺度为10μm×10μm×20μm的基底上CNTs薄膜冷阴极的发射能力较大。结合利用有限元分析软件ANSYS模拟计算的微方阵列结构上表面的电场分布,研究了基底上两种微方阵列结构对碳纳米管薄膜强流脉冲发射能力的影响。 展开更多
关键词 碳纳米管 强流脉冲发射 微立方阵列 电场模拟
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