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题名Stark阶梯的非线性修正
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作者
赵宪庚
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机构
中国科学院理论物理研究所
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出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1994年第4期378-382,共5页
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基金
国家自然科学基金
中国科学院理论物理研究所特别支持费资助项目
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文摘
本文借助SU(2)对称性求得了跳跃积分随格点变化时电子在外电场作用下的能谱和局域态的封闭解,结果发现,电子能谱除含有耦合的Stark阶梯外,还明显地依赖于电场势的非线性项,在弱场区域,非线性项将起主导作用,只有在强场区域,激发谱才呈现较为明显的Stark阶梯,其临界场强对半导体超晶格为200kV/m,这一结论与实验观测高度吻合。
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关键词
非线性修正
临界场强
斯塔克阶梯
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分类号
O48
[理学—固体物理]
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