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蓝宝石衬底的斜切角对GaN薄膜特性的影响 被引量：1
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作者 牛南辉 王怀兵 +7 位作者 刘建平 刘乃鑫 邢艳辉 李彤 张念国 韩军 邓军 沈光地 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1914-1916,共3页
利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采... 利用金属有机物化学气相沉积技术在具有斜切角度的蓝宝石衬底（0～0．3°）上生长了非故意掺杂GaN薄膜，并采用显微镜、X射线双晶衍射、光荧光及霍尔技术对外延薄膜的表面形貌、晶体质量、光学及电学特性进行了分析。结果表明，采用具有斜切角度的衬底，可以有效改善GaN外延薄膜的表面形貌、降低位错密度、提高GaN的晶体质量及其光电特性，并且存在一个衬底最优斜切角度0．2°，此时外延生长出的GaN薄膜的表面形貌和晶体质量最好。 展开更多
关键词 氮化镓 蓝宝石衬底 斜切角度 DCXRD MOCVD
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