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一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现
被引量：
4
1
作者
武岳
吕红亮
+1 位作者
张玉明
张义门
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期30-34,共5页
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿...
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声.
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关键词
K波段
相位噪声
改进
的
n
形
反馈
网络
砷化镓异质结双极晶体管
压控振荡器
下载PDF
职称材料
题名
一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现
被引量：
4
1
作者
武岳
吕红亮
张玉明
张义门
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期30-34,共5页
基金
共性基础基金资助项目(9140A***501)
国家部委基金资助项目(3151***301)
国家部委科技创新基金资助项目(48**4)
文摘
为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器.该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移.芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm;整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc/Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm^2.文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声.
关键词
K波段
相位噪声
改进
的
n
形
反馈
网络
砷化镓异质结双极晶体管
压控振荡器
Keywords
K-ba
n
d
phase
n
oise
modified π-fccdback
n
etwork
gallium arse
n
ide （GaAs） hctcro-ju
n
ctio
n
bipolar tra
n
sistor （HBT）
voltage co
n
trolled oscillator（ VCO ）
分类号
TN431.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现
武岳
吕红亮
张玉明
张义门
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
4
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职称材料
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