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电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究
被引量:
2
1
作者
刘岐
沈鸣杰
董艺
《航天器环境工程》
2019年第3期264-270,共7页
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦...
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。
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关键词
浮栅型Flash存储器
电离总剂量效应
擦写
耐久
数据保持
可靠性
试验研究
下载PDF
职称材料
浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究
被引量:
1
2
作者
刘振旺
刘岐
+2 位作者
刘文宝
肖磊
李清
《质量与可靠性》
2020年第6期17-22,共6页
对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议。
关键词
NAND
Flash存储器
擦写
耐久
数据保持
试验方法
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职称材料
提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析
3
作者
宋金星
《集成电路应用》
2024年第7期6-7,共2页
阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。
关键词
集成电路设计
EEPROM
擦写
耐久
力
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职称材料
存储器循环擦写耐久性与数据保持可靠性
被引量:
3
4
作者
董燕
蒋玉茜
王西国
《中国集成电路》
2022年第3期85-89,共5页
工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦...
工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦写耐久性评估存储器的可反复擦写性能,数据保持测试表征存储器在不带电或带电情况下长时间数据保持能力,考核浮栅存储电荷的保持能力。文章通过对存储器擦写耐久性和数据保持测试数据的分析比较,初步探讨了两者的失效机理,最后介绍了影响存储器擦写耐久性和数据保持能力的其他可能因素。
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关键词
存储器
循环
擦写
耐久
性
数据保持能力
可靠性
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职称材料
题名
电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究
被引量:
2
1
作者
刘岐
沈鸣杰
董艺
机构
上海复旦微电子集团股份有限公司
出处
《航天器环境工程》
2019年第3期264-270,共7页
基金
国家重大科技专项工程
文摘
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。
关键词
浮栅型Flash存储器
电离总剂量效应
擦写
耐久
数据保持
可靠性
试验研究
Keywords
floating gate flash memory
TID effect
endurance
data retention
reliability
test study
分类号
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
V416.5 [航空宇航科学与技术—航空宇航推进理论与工程]
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职称材料
题名
浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究
被引量:
1
2
作者
刘振旺
刘岐
刘文宝
肖磊
李清
机构
中国航天标准化研究所
上海复旦微电子集团股份有限公司
出处
《质量与可靠性》
2020年第6期17-22,共6页
文摘
对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议。
关键词
NAND
Flash存储器
擦写
耐久
数据保持
试验方法
Keywords
NAND flash memory
program∕erase endurance
data retention
test methods.
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析
3
作者
宋金星
机构
上海贝岭股份有限公司
出处
《集成电路应用》
2024年第7期6-7,共2页
文摘
阐述基于器件工艺特性,提高EEPROM擦写次数耐久力的一种方法,采用控制掺杂氯的比例提高浮栅氧化层(隧穿氧化层)的质量,尤其是两侧的质量,并利用快速热退火技术修复氧化层缺陷,进一步提高氧化层质量。
关键词
集成电路设计
EEPROM
擦写
耐久
力
Keywords
integrated circuit design
EEPROM
erase durability
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
存储器循环擦写耐久性与数据保持可靠性
被引量:
3
4
作者
董燕
蒋玉茜
王西国
机构
北京中电华大电子设计有限责任公司/射频识别芯片检测技术北京市重点实验室
出处
《中国集成电路》
2022年第3期85-89,共5页
文摘
工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦写耐久性评估存储器的可反复擦写性能,数据保持测试表征存储器在不带电或带电情况下长时间数据保持能力,考核浮栅存储电荷的保持能力。文章通过对存储器擦写耐久性和数据保持测试数据的分析比较,初步探讨了两者的失效机理,最后介绍了影响存储器擦写耐久性和数据保持能力的其他可能因素。
关键词
存储器
循环
擦写
耐久
性
数据保持能力
可靠性
Keywords
FLASH Memory
Program/Erase
endurance
Data Retention
Reliability
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究
刘岐
沈鸣杰
董艺
《航天器环境工程》
2019
2
下载PDF
职称材料
2
浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究
刘振旺
刘岐
刘文宝
肖磊
李清
《质量与可靠性》
2020
1
下载PDF
职称材料
3
提高EEPROM擦写次数耐久力的工艺分析
宋金星
《集成电路应用》
2024
0
下载PDF
职称材料
4
存储器循环擦写耐久性与数据保持可靠性
董燕
蒋玉茜
王西国
《中国集成电路》
2022
3
下载PDF
职称材料
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