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熔喷非织造过滤材料驻极技术研究进展 被引量：4
1
作者 张淑苹 赵义侠 +5 位作者 钱子茂 程可为 吴其彤 刘亚 康卫民 程博闻 《毛纺科技》 CAS 北大核心 2022年第5期117-125,共9页
驻极体材料及驻极技术在制备高效低阻熔喷非织造过滤材料中至关重要,本文系统介绍了现阶段国内外驻极体材料、驻极技术以及驻极机制的研究进展。重点分析了电晕充电驻极、摩擦充电驻极、复合增强驻极的对应驻极体材料及技术应用方案,以... 驻极体材料及驻极技术在制备高效低阻熔喷非织造过滤材料中至关重要,本文系统介绍了现阶段国内外驻极体材料、驻极技术以及驻极机制的研究进展。重点分析了电晕充电驻极、摩擦充电驻极、复合增强驻极的对应驻极体材料及技术应用方案,以及不同驻极技术的性能特点和作用机制,总结了不同驻极方法在过滤材料性能衰减过程中存在的问题,提出了纤网纳微结构调整、聚合物原料改性、新型驻极技术和复合驻极方式是制备高效低阻熔喷非织造驻极过滤材料的主要途径。 展开更多
关键词 熔喷 驻极 电晕充电 摩擦充电 复合增强驻极
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小麦粉螺旋输送荷电特性数值分析 被引量：2
2
作者 王依 李永祥 徐雪萌 《包装与食品机械》 CAS 北大核心 2022年第5期51-56,共6页
为研究螺杆类型和输送长度对小麦粉螺旋输送荷电的影响,基于EDEM中“Tribocharging”摩擦充电模型及“Hertz-Mindlin (no slip)”接触模型,用SolidWorks建立螺旋喂料结构三维模型;以小麦粉为仿真材料,对同一螺杆、不同长度和同一长度、... 为研究螺杆类型和输送长度对小麦粉螺旋输送荷电的影响,基于EDEM中“Tribocharging”摩擦充电模型及“Hertz-Mindlin (no slip)”接触模型,用SolidWorks建立螺旋喂料结构三维模型;以小麦粉为仿真材料,对同一螺杆、不同长度和同一长度、不同螺杆的颗粒荷电过程进行模拟分析。在螺旋转速为120 rad/min仿真条件下,粒径为0.3 mm小麦粉颗粒在900,1 100,1 300 mm等距螺杆输送后,平均荷质比分别为1.16,1.23,1.28 nC/g;在输送长度为1 300 mm仿真条件下,粒径为0.3 mm小麦粉颗粒在进料口变螺距、出料口变螺距和等距螺杆输送后,平均荷质比分别为1.46,1.36,1.28 nC/g。小麦粉颗粒的平均荷质比随着输送长度的增加而增加;小麦粉颗粒等距螺杆输送时平均荷质比更小。研究为食品粉体除静电技术提供理论基础。 展开更多
关键词 小麦粉 螺旋输送 荷电特性 摩擦充电
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食品粉体螺旋输送荷电特性数值模拟
3
作者 王依 李永祥 徐雪萌 《包装工程》 CAS 北大核心 2022年第5期167-172,共6页
目的 研究食品粉体螺旋输送的荷电特性,为食品粉体除静电技术提供理论基础。方法 基于EDEM中“Tribocharging”摩擦充电模型以及“Hertz-Mindlin(noslip)”接触模型,用SolidWorks软件建立螺旋喂料结构三维模型并导入EDEM软件;以小麦粉... 目的 研究食品粉体螺旋输送的荷电特性,为食品粉体除静电技术提供理论基础。方法 基于EDEM中“Tribocharging”摩擦充电模型以及“Hertz-Mindlin(noslip)”接触模型,用SolidWorks软件建立螺旋喂料结构三维模型并导入EDEM软件;以小麦粉为仿真材料,对同一转速、不同粒径或同一粒径、不同转速下的颗粒荷电过程进行模拟仿真。结果 在螺旋轴转速为100r/min等距螺旋输送仿真条件下,粒径为0.1、0.2、0.3mm小麦粉体颗粒的平均荷质比分别为1.43、1.6、2.45nC/g;粒径为0.3mm的小麦粉颗粒,在螺旋转速为80、100、120 r/min仿真条件下,平均荷质比分别为2.68、2.45、2.26 nC/g;带电颗粒主要集中在与料筒和螺旋体接触的区域,出料口中间区域存在带电量较少或不带电的颗粒。结论 小麦粉等距螺旋输送,颗粒的平均荷质比随粒径增大而增大,随螺旋轴转速增加而减小,为粉体除静电技术提供了参考。 展开更多
关键词 食品粉体 螺旋输送 荷电特性 摩擦充电 平均荷质比
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静电粉末喷涂技术的基本原理与控制技术的进展
4
作者 杨汉屏 《武汉轻工设计》 1998年第1期27-31,共5页
本文扼要地介绍了静电粉末喷涂的基本原理及３种高压静电粉末喷涂（电晕充电）控制技术；可控电压，可控电流与部能量控制的基本特点。
关键词 摩擦充电 电晕充电 静电喷涂 粉末喷涂 SEP
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MoS_(2)的摩擦起电及充电特性研究
5
作者 谢云锋 彭金峰 郑学军 《湘潭大学学报（自然科学版）》 CAS 2021年第6期43-50,共8页
二维二硫化钼(2D MoS_(2))由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注.该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD制备多层MoS_(2)的隧道摩擦起电和充电特性.通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用P... 二维二硫化钼(2D MoS_(2))由于其优越的电学、光学和压电性能,使其在未来电子器件领域被广泛关注.该文利用AFM接触模式和SKPM,在纳米尺度上,测试CVD制备多层MoS_(2)的隧道摩擦起电和充电特性.通过AFM接触模式,在75 nN的法向载荷力下,用Pt导电探针摩擦MoS_(2)样品的1μm×1μm正方形区域,同时使硅基底接地.然后通过SKPM,对以摩擦区域为中心的5μm×5μm正方形区域的接触电势进行成像.最后以上述方式,依次在A、B、C区域进行摩擦起电测试.研究结果表明:MoS_(2)不仅具有摩擦起电特性,而且表现出摩擦其他区域,可以对初始区域充电的现象.因此,可以利用MoS_(2)的摩擦起电特性和充电现象,指导构建一类新的基于2D MoS_(2)纳米电子器件和摩擦电子学功能器件的应用. 展开更多
关键词 原子力显微镜 摩擦起电 MoS_(2) 摩擦充电 开尔文模式
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