期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响 被引量：1
1
作者 陈艳明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第6期569-572,共4页
简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响。实验采用掺Au扩散温度在900℃以上,观... 简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响。实验采用掺Au扩散温度在900℃以上,观察随着扩Au温度升高trr变小、而IR和VF随之增大,通过实验着重讨论了这三个电参数的相互制约关系。同时指出,选择Si片时,衬底电阻率范围不易过宽,避免由于衬底电阻率Rs差值较大对Si片与Si片之间的电参数工艺控制指数的影响。 展开更多
关键词 二极管 掺au扩散 反向恢复时间 正向压降 反向电流 衬底电阻率
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部