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电子束蒸发制备织构状纳米ZnO∶Al及其光电性能研究
1
作者
王丽军
孙义清
+1 位作者
李剑
王小平
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第21期21085-21088,共4页
采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350-400 ℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响. 研究发现,其光学透过率在390-1100nm的...
采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350-400 ℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响. 研究发现,其光学透过率在390-1100nm的整个波段都超过87%,在580-1100nm光谱范围内光学透过率超过93%. 当沉积温度为380℃时,掺铝ZnO 薄膜的电阻率最低,其值可达1.2×10^-4 Ω·cm.
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关键词
掺
铝
zno
电子束蒸发沉积
透明导电薄膜
下载PDF
职称材料
题名
电子束蒸发制备织构状纳米ZnO∶Al及其光电性能研究
1
作者
王丽军
孙义清
李剑
王小平
机构
上海理工大学理学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第21期21085-21088,共4页
基金
上海市教委重点创新资助项目(14ZZ137)
沪江基金资助项目(B14004)
上海理工大学国家级项目培育基金资助项目(14XPM04)
文摘
采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下（350-400 ℃）直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响. 研究发现,其光学透过率在390-1100nm的整个波段都超过87%,在580-1100nm光谱范围内光学透过率超过93%. 当沉积温度为380℃时,掺铝ZnO 薄膜的电阻率最低,其值可达1.2×10^-4 Ω·cm.
关键词
掺
铝
zno
电子束蒸发沉积
透明导电薄膜
Keywords
zno
∶Al
electron beam vapor deposition
transparent conductive film
分类号
TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束蒸发制备织构状纳米ZnO∶Al及其光电性能研究
王丽军
孙义清
李剑
王小平
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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