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氧分压对室温制备掺铝氧化锌薄膜性能的影响 被引量:3
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作者 闫宁宁 汪洪 +1 位作者 刘静 左岩 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期1251-1257,共7页
室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝的氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜。采用配有λ-sensor氧分压传感器的控制器闭环控制氧分压,研究了氧分压对薄膜结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:在不同的氧分压... 室温下,采用脉冲直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了掺铝的氧化锌(ZnO:Al,AZO)透明导电薄膜。采用配有λ-sensor氧分压传感器的控制器闭环控制氧分压,研究了氧分压对薄膜结构、表面形貌和光电性能的影响。结果表明:在不同的氧分压下制备的AZO薄膜均为多晶纤锌矿结构,具有[002]择优取向,其晶体呈柱状生长,晶粒之间结合紧密。氧分压为3.36×10–2Pa时,AZO薄膜的性能指数最高,其电阻率为1.15×10–3·cm,相应的载流子浓度为2.1×1020/cm3,载流子迁移率为25.8cm2/(V s),可见光透射率为79.1%。随着AZO薄膜的载流子浓度由1.03×1020cm–3增加到3.64×1020cm–3,薄膜禁带宽度由3.49eV增大到3.72eV。 展开更多
关键词 氧化锌 反应磁控溅射 氧分压 透明导电薄膜
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