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Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
被引量：
1
1
作者
刘海旭
孙甲明
+1 位作者
孟凡杰
侯琼琼
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期749-754,共6页
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不...
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。
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关键词
掺铒纳米硅
电致发光
离子注入
MOS-LED
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职称材料
激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究
被引量：
1
2
作者
周阳
刘云山
+3 位作者
褚立志
王英龙
彭英才
傅广生
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期619-622,共4页
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜...
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构.
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关键词
掺铒纳米硅晶薄膜
退火温度
表面形貌
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职称材料
题名
Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
被引量：
1
1
作者
刘海旭
孙甲明
孟凡杰
侯琼琼
机构
南开大学物理科学学院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期749-754,共6页
基金
国家自然科学基金NSFC(60776036)
教育部新世纪人才项目NCET(07-0459)
"973"项目(2007CB613403)资助项目
文摘
通过Er离子和Si离子注入并结合高温退火制备了Er掺杂的富硅SiO2薄膜以及ITO/SiON/富硅SiO2∶Er/Si MOS结构电致发光器件。研究了富Si浓度的变化对Er3+离子掺杂的电致发光器件的发光性能和传导特性的影响。发现不同Si含量对Er3+离子的不同能级的电致发光会产生不同作用。在富Si量小于5%的条件下,主要由Si离子注入产生氧空位缺陷发光中心(Si-ODC),它们和Er3+离子的高能级之间存在着共振能量传递,增强了Er3+离子的522 nm绿色发光峰强度。在富Si含量大于5%时,过量的Si在退火时形成了纳米硅微晶,电子在纳米硅微晶之间的隧穿改变了载流子输运机制,降低了过热电子的平均能量,导致Er3+离子的所有发光峰的猝灭。
关键词
掺铒纳米硅
电致发光
离子注入
MOS-LED
Keywords
erbium-doped silicon nanocrystal
electroluminescence
ion implantation
MOS-LED
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究
被引量：
1
2
作者
周阳
刘云山
褚立志
王英龙
彭英才
傅广生
机构
河北大学物理科学与技术学院
河北大学电子信息工程学院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期619-622,共4页
基金
河北省自然科学基金资助项目(503125E2005000129)
河北大学自然科学基金资助项目(2005Q08)
文摘
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构.
关键词
掺铒纳米硅晶薄膜
退火温度
表面形貌
Keywords
Er-doped nonocrystalline Si film
annealing temperature
morphology
分类号
O484 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Er离子注入的富硅SiO_2 MOS-LED的可见和红外电致发光特性
刘海旭
孙甲明
孟凡杰
侯琼琼
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
2
激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究
周阳
刘云山
褚立志
王英龙
彭英才
傅广生
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
1
下载PDF
职称材料
已选择
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