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掺硼a-Si:H薄膜脉冲快速光热退火(PRPTA)的研究
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作者 汪昌州 杨仕娥 +2 位作者 赵尚丽 文书堂 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2007年第3期28-31,共4页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法制备掺硼非晶硅(a-Si:H)薄膜,然后用脉冲快速光热退火(PRPTA)法对其进行固相晶化。研究结果表明:掺硼a-Si:H薄膜在550℃恒温条件下退火3h后,其结晶状况无明显变化;而通过加高温热脉冲可以在玻璃衬底上获得晶化较好的P型多晶硅薄膜。另外,非晶硅薄膜的掺硼浓度及脉冲条件对脉冲快速光热退火的效果有一定影响。 展开更多
关键词 掺硼非晶硅薄膜 脉冲快速光热退火 固相晶化
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