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题名掺AS硅单晶片外延技术
被引量：2
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作者
苗文生
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机构
天昊电子有限公司
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出处
《甘肃科技》
2004年第6期49-49,34,共2页
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文摘
本文论述的N/N +EPI ,是在重掺AS衬底单晶片上生长一层N型EPI层。因重掺AS硅单晶片在EPI生长过程中自掺杂严重 ,如何控制好EPI层的掺杂浓度一致性 ,便成为N/N
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关键词
掺砷衬底
外延(EPI)
自掺杂
自封闭
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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题名重掺砷衬底氧本征吸杂能力的探讨
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作者
谭淞生
朱德光
王自筠
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机构
中国科学院上海冶金研究所
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出处
《应用科学学报》
CAS
CSCD
1989年第2期179-181,共3页
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文摘
虽则集成电路级单晶衬底的氧本征吸杂工艺已作过广泛的探讨,重掺衬底的氧本征吸杂研究还仅是近年来才开始的.与体材料相比,采用P/P^+和n/n^+外延材料加工MOS电路有很多优点.自从得克萨斯仪器公司在81年首先成功地在工业上采用硅外延片加工64k RAM以来,MOS电路的衬底已开始从体单晶向外延片的过渡.同时,也激发了研究重掺衬底氧本征吸杂(IG)工艺的兴趣.本实验室通过对重掺砷衬底氧本征吸杂工艺的摸索,体内缺陷的观察,外延层上MOS C-t寿命以及二极管反向特性曲线的测定,以探讨高掺杂情况下,衬底硅材料的本征吸杂能力.
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关键词
重掺砷衬底
氧本征吸杂
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
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