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Cr_(2)O_(3)掺杂UO_(2)芯块晶粒生长动力学研究
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作者 郑新海 吴学志 尹邦跃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期5-10,共6页
本工作采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了不同Cr_(2)O_(3)掺杂量UO_(2)芯块的晶粒生长动力学。结果表明,掺杂少量Cr_(2)O_(3)可以提高UO_(2)烧结速度,降低烧结温度。1500~1750℃下烧结,添加0.1wt%、0.5wt%Cr_(2)O_(3)均可以加速芯... 本工作采用恒速升温和等温烧结实验方法研究了不同Cr_(2)O_(3)掺杂量UO_(2)芯块的晶粒生长动力学。结果表明,掺杂少量Cr_(2)O_(3)可以提高UO_(2)烧结速度,降低烧结温度。1500~1750℃下烧结,添加0.1wt%、0.5wt%Cr_(2)O_(3)均可以加速芯块致密化进程,添加Cr_(2)O_(3)后,烧结温度可以降低至1600℃,而标准UO_(2)烧结温度需在1700℃以上。掺杂Cr_(2)O_(3)可以明显促进UO_(2)晶粒生长,Cr_(2)O_(3)掺杂量越多,温度越高,UO_(2)晶粒生长速度越快。掺杂0.1wt%Cr_(2)O_(3)的UO_(2)芯块的晶粒生长动力学符合3次方模型,晶粒生长指数n=3,激活能Q=454.2 kJ/mol,掺杂0.5wt%Cr_(2)O_(3)的UO_(2)芯块的晶粒生长动力学符合2.2次方模型,晶粒生长指数n=2.2,激活能Q=371.3 kJ/mol。 展开更多
关键词 掺杂cr_(2)o_(3) Uo_(2)芯块 晶粒尺寸 晶粒生长动力学 晶粒生长指数 激活能
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二维钒掺杂Cr_(2)S_(3)纳米片的生长与磁性研究
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作者 杨瑞龙 张钰樱 +4 位作者 杨柯 姜琦涛 杨晓婷 郭金中 许小红 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第24期100-106,共7页
二维磁性材料是近年来发展起来的新兴材料,在单层或者少层的原子厚度中以其独特的磁性特性和结构特征而备受关注.其中铁磁性材料在信息存储和处理等方面有着广泛的应用,所以当前研究主要集中在丰富二维铁磁数据库以及开发磁调制的修饰... 二维磁性材料是近年来发展起来的新兴材料,在单层或者少层的原子厚度中以其独特的磁性特性和结构特征而备受关注.其中铁磁性材料在信息存储和处理等方面有着广泛的应用,所以当前研究主要集中在丰富二维铁磁数据库以及开发磁调制的修饰策略上.本文通过常压化学气相沉积法在云母片衬底上成功生长出了二维钒掺杂Cr_(2)S_(3)纳米片,获得了钒源温度765℃和质量0.010 g为纳米片生长情况最适中条件,并通过光学显微镜、原子力显微镜、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线能谱、X射线光电子能谱对纳米片进行表征.同时掺杂样品的磁性表征表明钒掺杂后样品居里转变温度变为105 K,由亚铁磁性变为铁磁性,矫顽力也显著增大,证明钒掺杂可以有效地调控Cr_(2)S_(3)纳米片的磁性.这些研究结果将有望推动钒掺杂Cr_(2)S_(3)材料向着实际应用的的可能性,成为下一代自旋电子应用的理想候选材料之一. 展开更多
关键词 二维磁性材料 化学气相沉积 钒掺杂cr_(2)S_(3) 铁磁性
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