期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）
1
作者
郑卫民
黄海北
+4 位作者
李素梅
丛伟艳
王爱芳
李斌
宋迎新
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1240-1246,共7页
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱...
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。
展开更多
关键词
掺杂剂
量
δ-
掺杂
GaAs/AlAs
量
子阱
受主的扩散分布
下载PDF
职称材料
半导体外延掺杂剂量的直接算法
2
作者
郭世民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期45-49,共5页
本文介绍了一种用数理统计的方法对半导体外延掺杂剂量的直接算法。实用证明使用该方法可以使外延掺杂剂量控制得更加精确,避免了估算掺杂剂量而产生的误差,对提高半导体器件的成品率具有一定的实际意义。
关键词
半导体
处延
掺杂剂
量
算法
下载PDF
职称材料
题名
δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）
1
作者
郑卫民
黄海北
李素梅
丛伟艳
王爱芳
李斌
宋迎新
机构
山东大学(威海)空间科学与物理学院
墨尔本大学化学院
山东大学(威海)信息工程学院
中国科学院上海技术物理研究所
济南市半导体元件实验所
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第10期1240-1246,共7页
基金
Supported by Shandong Province Natural Science Foundation(ZR2017MF018)
National Natural Science Foundation of China(61675223)~~
文摘
在15 nm GaAs/5 nm AlAs单量子阱的GaAs阱层中间,分别进行不同浓度剂量的铍受主的δ-掺杂。铍受主在量子阱层中的扩散浓度分布,由扩散方程数值解出。高温下扩散在GaAs阱层中的Be受主将发生电离,成为带负电荷的受主离子,同时也向量子阱价带的子带中引入空穴。带负电荷的扩散受主离子和价带子带中的空穴,它们都是带电粒子在GaAs阱层中按库伦定律激发电场。相比较而言,对于无掺杂同结构量子阱,在空穴的薛定谔中增加了一个额外的微扰势,从而使无掺杂的量子阱价带的子带有所改变。在有效质量和包络函数近似下,通过循环迭代方法,数值求解了既满足薛定谔方程又满足泊松方程的空穴波函数,找出了自洽、收敛的空穴子带的能量本征值。计算发现考虑到这种额外微扰势,重空穴基态子带hh的能量有一个电子伏特变化,并且随着掺杂受主剂量的增加,重空穴基态子带hh向着价带顶红移,计算结果与实验测量符合得很好。
关键词
掺杂剂
量
δ-
掺杂
GaAs/AlAs
量
子阱
受主的扩散分布
Keywords
doping levels
δ-doped
GaAs/AlAs quantum wells
acceptor diffused profiles
分类号
O471.5 [理学—半导体物理]
下载PDF
职称材料
题名
半导体外延掺杂剂量的直接算法
2
作者
郭世民
机构
北京市半导体器件五厂一车间
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期45-49,共5页
文摘
本文介绍了一种用数理统计的方法对半导体外延掺杂剂量的直接算法。实用证明使用该方法可以使外延掺杂剂量控制得更加精确,避免了估算掺杂剂量而产生的误差,对提高半导体器件的成品率具有一定的实际意义。
关键词
半导体
处延
掺杂剂
量
算法
分类号
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
δ-掺杂受主的扩散对GaAs/AlAs量子阱子带的影响（英文）
郑卫民
黄海北
李素梅
丛伟艳
王爱芳
李斌
宋迎新
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
0
下载PDF
职称材料
2
半导体外延掺杂剂量的直接算法
郭世民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
