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单晶硅太阳电池黑角问题的研究被引量：2: 1; 作者和江变邹凯李显光《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第5期889-895,共7页; 用电致发光(EL)技术检测P型常规单晶硅太阳电池,发现角部发黑问题。研究其与电池制造工艺或单晶硅材料的相关性,测试正常和黑角电池片的电性能参数发现黑角电池光电转换效率低于19.90%。经腐蚀剥离电池分析基底单晶硅材料,发现黑角处材... 展开更多; 关键词单晶硅太阳电池 EL检测少子寿命 SEM测试择优腐蚀; 下载PDF 职称材料

低碳贝氏体钢在薄液膜下的初期腐蚀: 2; 作者王树涛高克玮 +1 位作者杨善武贺信莱《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期169-173,202,共6页; 用质量分数3.5%的NaCl溶液作为腐蚀液,滴于低碳铁素体钢、09CuPCrNi钢和低碳贝氏体钢的表面并形成薄液膜,用金相显微镜观测薄液膜下三种钢的初期腐蚀.低碳铁素体钢和09CuPCrNi钢均出现了明显的晶界择优腐蚀,而低碳贝氏体钢没有出现明显... 展开更多; 关键词低碳贝氏体钢薄液膜初期腐蚀择优腐蚀腐蚀速率; 原文传递

U-2Nb合金热处理后的相结构和成分分析被引量：1: 3; 作者陈勇忠张友寿柏朝茂《核科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期352-355,374,共5页; 观察了三种热处理工艺下U 2Nb合金的组织 ,分析了其微观结构和相成分。精确测定了U 2Nb合金中α相和γ相的点阵常数计算出了两相中的Nb含量。在测量中发现 ,机加工后经电解抛光改变了X射线衍射图 ,分析了该异常变化的原因 ,其结果为鉴定U; 关键词热处理相结构成分分析 U-2Nb合金 X射线衍射择优腐蚀电解抛光; 下载PDF 职称材料

多晶硅沉积厚度对氧沉淀和洁净区形成的影响被引量：1: 4; 作者黄栋栋曲翔 +3 位作者刘大力周旗钢刘斌刘红艳《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期1256-1259,共4页; 硅片背面沉积多晶硅是半导体生产中常用的吸杂手段,多晶硅中存在着大量的晶界,可以吸除金属杂质,它还可以影响硅片内氧沉淀的分布,增强内吸杂的作用。通过控制低压化学气相沉积(LPCVD)系统的沉积时间,在硅片背面沉积不同厚度的多晶硅薄... 展开更多; 关键词重掺硅片多晶硅吸杂择优腐蚀氧沉淀; 原文传递

用择优腐蚀技术制作MMI型GaAs光功率分配器被引量：1: 5; 作者马慧莲杨建义 +1 位作者李瑾王明华《光通信研究》北大核心 2000年第5期50-53,62,共5页; 通过对器件结构进行优化设计和择优腐蚀技术 ,用 H3 PO4 - H2 O2 - H2 O系腐蚀液制作了能直接与单模光纤阵列相耦合的 MMI型 Ga As1× 4光功率分配器 .最后用 1 .3 μm波长的He- Ne激光进行了测试 ,发现该器件基本实现了功率均分要... 展开更多; 关键词 GAAS 择优腐蚀 MMI型光功率分配器光通信; 下载PDF 职称材料

硅片表面机械损伤层厚度的测试方法研究被引量：1: 6; 作者邹子英闵靖《上海计量测试》 2000年第6期42-42,45,共2页; 本文介绍了用磨角、择优腐蚀的方法显示和测试硅片表面的机械损伤层厚度的测试方法。原理和实验结果。; 关键词单晶硅片表面机械损伤层厚度测试方法半导体材料磨角器择优腐蚀法; 下载PDF 职称材料

半导体工艺中硅衬底凹坑缺陷的检测: 7; 作者陈昊《南京工业职业技术学院学报》 2010年第2期39-41,共3页; 通过两个角度分析加深晶体缺陷的概念理解,结合一次工艺生产中造成芯片失效的晶体缺陷检测,分析造成此次芯片失效的晶体缺陷的种类和位置,并且给出了解决方案。; 关键词微缺陷失效择优腐蚀液凹坑退火; 下载PDF 职称材料

H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀: 8; 作者刘东红张玉生 +3 位作者戴英张福厚高建华李月芬《山东工业大学学报》 1993年第4期28-31,共4页; 为研制具有沟道衬底的单模激光器,讨论了H_2SO_4-H_2O_2-H_2O对GaAs晶片的择优腐蚀。实验证明,使用H_2SO_4∶H_2O_2∶H_2O=1∶8∶8腐蚀液,在GaAs(100)面上沿[011]和[01(?)]方向开槽分别获得燕尾槽和V型槽衬底,满足了器件设计的要求。; 关键词晶片单模激光器择优腐蚀试验; 下载PDF 职称材料

太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm^2的检测方法研究被引量：1: 9; 作者张学强方丽霞郭云鹏《科技资讯》 2014年第35期75-75,共1页; 该文在无位错单晶硅的检验检测方法GB/T1554-2009的基础上,结合太阳能单晶硅位错腐蚀坑的分布规律,通过实验总结分析,得出了针对太阳能单晶硅位错密度<3000个/cm2比较合理的检验检测方法。; 关键词太阳能单晶硅位错密度择优腐蚀位错迁移理论; 下载PDF 职称材料

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