期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
测试设备圆柱形防护壳体抗冲击性能的模拟和评估
被引量:
2
1
作者
郭学敏
朱平
《兵器装备工程学报》
CAS
北大核心
2019年第3期34-38,共5页
对测试受高冲击设备圆柱形防护壳体进行了理论和数值分析,并利用ANSYS/LS-DYNA软件模拟了高冲击环境,得到壳体在弹体侵彻过程中的最大应力值,验证分析了中厚型壳体的冲击受力强度、自由面受力强度、拐角受力强度和薄壁型圆柱形壳体的屈...
对测试受高冲击设备圆柱形防护壳体进行了理论和数值分析,并利用ANSYS/LS-DYNA软件模拟了高冲击环境,得到壳体在弹体侵彻过程中的最大应力值,验证分析了中厚型壳体的冲击受力强度、自由面受力强度、拐角受力强度和薄壁型圆柱形壳体的屈曲变形。根据仿真分析结果对测试设备圆柱形防护壳的抗冲击性能进行了评估。
展开更多
关键词
ANSYS/LS-DYNA
屈曲临界应力
层裂
拐角
断裂
仿真
评估
下载PDF
职称材料
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
2
作者
郭建飞
李浩
+5 位作者
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期347-353,共7页
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损...
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合.
展开更多
关键词
4H-SIC
双沟槽
MOSFET
单脉冲雪崩击穿能量
失效机理
栅极沟槽
拐角
氧化层
断裂
下载PDF
职称材料
题名
测试设备圆柱形防护壳体抗冲击性能的模拟和评估
被引量:
2
1
作者
郭学敏
朱平
机构
中北大学仪器与电子学院
出处
《兵器装备工程学报》
CAS
北大核心
2019年第3期34-38,共5页
文摘
对测试受高冲击设备圆柱形防护壳体进行了理论和数值分析,并利用ANSYS/LS-DYNA软件模拟了高冲击环境,得到壳体在弹体侵彻过程中的最大应力值,验证分析了中厚型壳体的冲击受力强度、自由面受力强度、拐角受力强度和薄壁型圆柱形壳体的屈曲变形。根据仿真分析结果对测试设备圆柱形防护壳的抗冲击性能进行了评估。
关键词
ANSYS/LS-DYNA
屈曲临界应力
层裂
拐角
断裂
仿真
评估
Keywords
ANSYS/LS-DYNA
buckling critical stress
split
corner fracture simulation
evaluation
分类号
TJ760.6 [兵器科学与技术—武器系统与运用工程]
下载PDF
职称材料
题名
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
2
作者
郭建飞
李浩
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
机构
西安电子科技大学广州研究院
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第13期347-353,共7页
基金
陕西省重点研发一般项目(批准号:2020GY-053)资助的课题.
文摘
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合.
关键词
4H-SIC
双沟槽
MOSFET
单脉冲雪崩击穿能量
失效机理
栅极沟槽
拐角
氧化层
断裂
Keywords
4H-SiC DT power mosfet
avalanche energy
failure mechanism
oxide crack at corner of gate trench
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
测试设备圆柱形防护壳体抗冲击性能的模拟和评估
郭学敏
朱平
《兵器装备工程学报》
CAS
北大核心
2019
2
下载PDF
职称材料
2
非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
郭建飞
李浩
王梓名
钟鸣浩
常帅军
欧树基
马海伦
刘莉
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部