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测试设备圆柱形防护壳体抗冲击性能的模拟和评估 被引量:2
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作者 郭学敏 朱平 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2019年第3期34-38,共5页
对测试受高冲击设备圆柱形防护壳体进行了理论和数值分析,并利用ANSYS/LS-DYNA软件模拟了高冲击环境,得到壳体在弹体侵彻过程中的最大应力值,验证分析了中厚型壳体的冲击受力强度、自由面受力强度、拐角受力强度和薄壁型圆柱形壳体的屈... 对测试受高冲击设备圆柱形防护壳体进行了理论和数值分析,并利用ANSYS/LS-DYNA软件模拟了高冲击环境,得到壳体在弹体侵彻过程中的最大应力值,验证分析了中厚型壳体的冲击受力强度、自由面受力强度、拐角受力强度和薄壁型圆柱形壳体的屈曲变形。根据仿真分析结果对测试设备圆柱形防护壳的抗冲击性能进行了评估。 展开更多
关键词 ANSYS/LS-DYNA 屈曲临界应力 层裂 拐角断裂 仿真 评估
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非钳位感性开关测试下双沟槽4H-SiC功率MOSFET失效机理研究
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作者 郭建飞 李浩 +5 位作者 王梓名 钟鸣浩 常帅军 欧树基 马海伦 刘莉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第13期347-353,共7页
本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损... 本文对非钳位感性开关(unclamped inductive switching,UIS)下4H-SiC双沟槽功率MOSFET失效机理进行实验和理论研究.结果表明,不同于平面功率MOSFET器件失效机理,在单脉冲UIS测试下双沟槽功率MOSFET器件的栅极沟槽底角处的氧化层会发生损坏,导致了器件失效.测量失效器件的栅泄漏电流和电阻,发现栅泄漏电流急剧增大,电阻仅为25Ω;失效器件的阈值电压稳定不变.使用TCAD软件对雪崩状态下的器件电场分布进行仿真计算发现,最大电场位于栅极沟槽底拐角处,器件内部最大结温未超过电极金属熔点,同时也达到了理论与仿真的吻合. 展开更多
关键词 4H-SIC 双沟槽 MOSFET 单脉冲雪崩击穿能量 失效机理 栅极沟槽拐角氧化层断裂
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