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题名石英晶片剪切增稠抛光优化实验
被引量：10
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作者
翁海舟
吕冰海
胡刚翔
邵琦
戴伟涛
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机构
浙江工业大学超精密加工研究中心
金华出入境检验检疫局
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出处
《纳米技术与精密工程》
CSCD
北大核心
2017年第3期227-233,共7页
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基金
国家自然科学基金资助项目(51175166
51275476)
浙江省科技计划公益资助项目(2013C31014)
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文摘
剪切增稠抛光(STP)是利用非牛顿流体抛光液在抛光过程中产生的剪切增稠效应实现工件表面高效、低损伤的抛光.本文以材料去除率和表面粗糙度作为评价指标;采用田口法对石英晶片剪切增稠抛光过程中的4个关键影响参数:抛光液转速、工件倾斜角度、磨粒粒度、磨粒质量分数进行优化实验分析,得到最优抛光参数组合以及各主要工艺参数对抛光效果的影响程度;通过实验验证了优化结果的可靠性.对于材料去除率,工件倾斜角度的影响最明显,抛光液转速次之,再次是磨粒质量分数,磨粒粒度影响最小;对于表面粗糙度,抛光液转速的影响最明显,工件倾斜角度次之,再次是磨粒质量分数,磨粒粒度影响最小.通过信噪比平均响应分析,材料去除率优化参数组合为:Al_2O_32 500#、磨粒质量分数18%、抛光液转速80 r/min、工件倾斜角度15°,石英晶片材料去除率最高达到12.25μm/h;石英晶片最佳表面粗糙度参数组合为:Al_2O_35 000#、磨粒质量分数18%、抛光液转速80 r/min、工件倾斜角度15°,抛光1 h后石英晶片表面粗糙度R_a由300.08 nm降低至4.26 nm.
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关键词
石英晶片
剪切增稠抛光
抛光液转速
工件倾斜角度
磨粒质量分数
磨粒粒度
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Keywords
quartz substrate
shear thickening polishing
polishing speed
workpiece inclination angle
abrasive mass fraction
abrasive size
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分类号
O786
[理学—晶体学]
TQ127.2
[化学工程—无机化工]
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