期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
提高地电观测线路抗漏电影响的有效途径
1
作者
金安忠
吴子泉
+1 位作者
赵强
李润贤
《防灾减灾学报》
1992年第3期84-89,共6页
本文对漏电场进行了系统计算,给出漏电场的空间分布特征;对供电线与测量线间的漏电及其转化进行了理论分析,在此基础上讨论了提高地震台站观测线路抗漏电影响适合地震电法特点的较科学经济的布线原则和方法。荷泽地震台线路改造实例及...
本文对漏电场进行了系统计算,给出漏电场的空间分布特征;对供电线与测量线间的漏电及其转化进行了理论分析,在此基础上讨论了提高地震台站观测线路抗漏电影响适合地震电法特点的较科学经济的布线原则和方法。荷泽地震台线路改造实例及某些实验结果证明了方法的可行性及其效果。
展开更多
关键词
地电
抗
漏电
漏电
场
下载PDF
职称材料
全耗尽CMOS／SIMOX器件研制
2
作者
李金华
姜美芬
+1 位作者
蒋美萍
林成鲁
《微细加工技术》
1996年第3期31-35,共5页
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ...
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。
展开更多
关键词
SIMOX材料
CMOS器件
抗
漏电
工艺
下载PDF
职称材料
题名
提高地电观测线路抗漏电影响的有效途径
1
作者
金安忠
吴子泉
赵强
李润贤
机构
山东省地震局
出处
《防灾减灾学报》
1992年第3期84-89,共6页
基金
地震科学联合基金
文摘
本文对漏电场进行了系统计算,给出漏电场的空间分布特征;对供电线与测量线间的漏电及其转化进行了理论分析,在此基础上讨论了提高地震台站观测线路抗漏电影响适合地震电法特点的较科学经济的布线原则和方法。荷泽地震台线路改造实例及某些实验结果证明了方法的可行性及其效果。
关键词
地电
抗
漏电
漏电
场
Keywords
earth electricity resistant leakage leakage field
分类号
P315 [天文地球—地震学]
下载PDF
职称材料
题名
全耗尽CMOS／SIMOX器件研制
2
作者
李金华
姜美芬
蒋美萍
林成鲁
机构
江苏石油化工学院物理教研室
出处
《微细加工技术》
1996年第3期31-35,共5页
文摘
在表层硅厚度为１８０ｕｍ的ＳＩＭＯＸ材料上，用局部增强氧化隔离等工艺研制了沟道长度为２．５μｍ的全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件。该工艺对边缘漏电的抑制及全耗尽结构对背沟漏电的抑制降低了器件的整体漏电水平，使ＰＭＣＯＳ和ＮＭＯＳ的漏电分别达到３．Ｏ×１０－１１Ａ／μｍ和２．２×１０－１０Ａ／μｍ。５Ｖ时，例相器的平均延迟时间达６ｎｓ。
关键词
SIMOX材料
CMOS器件
抗
漏电
工艺
Keywords
SIMOX material
CMOS device
fully-depleted structure
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高地电观测线路抗漏电影响的有效途径
金安忠
吴子泉
赵强
李润贤
《防灾减灾学报》
1992
0
下载PDF
职称材料
2
全耗尽CMOS／SIMOX器件研制
李金华
姜美芬
蒋美萍
林成鲁
《微细加工技术》
1996
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
