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硅基底的CVD扩磷工艺研究
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作者 杨旭 何晓雄 +1 位作者 胡冰冰 马志敏 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期192-195,共4页
文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的... 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。 展开更多
关键词 硅基底 扩磷工艺 表面形貌 化学气相沉积 chemical VAPOUR depo-sition(CVD)
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