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迁飞性害虫抗性治理的新策略——分区施药 被引量：1
1
作者 高希武 《世界农业》 1988年第9期37-38,共2页
一、害虫的扩散与抗性进化 害虫的扩散对于抗药性的发展有显著的影响,因为感性个体的迁入能够使种群的抗性基因得到稀释,从而种群对杀虫剂的抗性程度降低,延缓了抗性的发展;反之,抗性个体的迁入,则使抗性程度提高,促进抗性的发展。如果... 一、害虫的扩散与抗性进化 害虫的扩散对于抗药性的发展有显著的影响,因为感性个体的迁入能够使种群的抗性基因得到稀释,从而种群对杀虫剂的抗性程度降低,延缓了抗性的发展;反之,抗性个体的迁入,则使抗性程度提高,促进抗性的发展。如果有两个小区用同一种杀虫剂防治,则在这两个小区间种群的扩散交换就不能降低害虫的抗药性。 展开更多
关键词 抗药性 抗性治理 杀虫剂 抗性程度 种群 迁飞性害虫 抗性进化 抗性基因 扩散交换 施药
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油藏条件对非均相驱油体系流变性质影响
2
作者 邓朝阳 祝仰文 +2 位作者 朱焱 张路 张磊 《武汉理工大学学报》 CAS 北大核心 2020年第4期40-45,共6页
利用悬挂滴方法研究了油藏条件对非均相驱油体系的界面扩张流变性质影响。非均相驱油体系中包含表面活性剂、聚合物以及BPPG,考察了时间、工作频率、浓度以及界面压对界面扩张流变性质的影响。结果表明,界面张力随矿化度增大降低;不同... 利用悬挂滴方法研究了油藏条件对非均相驱油体系的界面扩张流变性质影响。非均相驱油体系中包含表面活性剂、聚合物以及BPPG,考察了时间、工作频率、浓度以及界面压对界面扩张流变性质的影响。结果表明,界面张力随矿化度增大降低;不同矿化度的非均相驱油体系,其扩张弹性随工作频率升高,但频率依赖性较弱,扩张粘性的频率依赖性较强。矿化度的增大可促进体相与界面的扩散交换作用。二价阳离子与碱可有效降低界面张力,其中碱的作用效果更加明显;同时两者在低浓度时均有促进界面膜的紧密排列,高浓度时促进扩散交换作用。 展开更多
关键词 界面流变 油藏条件 扩张模量 扩散交换 粘弹性
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新型红外晶体材料磷化镓(GaP)的生长结构缺陷及其性能 被引量：1
3
作者 闫泽武 王和明 +4 位作者 杨曜源 郝永亮 蔡以超 东艳萍 方珍意 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期154-,共1页
磷化镓 (GaP)晶体作为一种表面硬度高 ,热导率大 ,宽波段透过的红外光学材料 ,由于其优良的综合光学、机械和热学性能 ,使其在军事领域及民用高科技领域有着潜在应用的可能性。特别是该晶体材料有可能代替现有的最重要的长波红外材料Zn... 磷化镓 (GaP)晶体作为一种表面硬度高 ,热导率大 ,宽波段透过的红外光学材料 ,由于其优良的综合光学、机械和热学性能 ,使其在军事领域及民用高科技领域有着潜在应用的可能性。特别是该晶体材料有可能代替现有的最重要的长波红外材料ZnS ,或者与其形成复合材料 ,是高马赫数导弹窗口材料的选择之一。国外对磷化镓 (GaP)晶体材料已经进行了很长时间的生长研究 ,采用了许多制备方法 ,但多数只能生长磷化镓 (GaP)材料的薄膜或单晶。针对这一情况 ,我们进行了生长工艺的研究 ,选择出适合磷化镓 (GaP)晶体材料生长的条件。磷化镓 (GaP)晶体材料的制备是在真空、低压密封的生长炉中 ,采用一种新颖的气相扩散热交换法进行生长的。在磷化镓 (GaP)晶体的生长过程中 ,工艺条件要求严格控制 ,如生长界面的温场分布 ,温度梯度的大小 ,磷 (P)蒸气的蒸发与扩散速率的控制 ,以及坩埚容器材料的选择等 ,都能导致磷化镓 (GaP)晶体材料的结构缺陷 ,从而严重影响晶体材料的透过性能及其它性能。本文着重讨论了该方法生长磷化镓 (GaP)晶体材料的结构缺陷 ,以及导致各类缺陷的原因及对晶体性能的影响 ,提出了改进工艺生长条件的方法与措施 ,从而对生长出高品质的磷化镓 (GaP)晶体材料有着至关重要的作用。 展开更多
关键词 红外光学材料 磷化镓 结构缺陷 气相扩散热交换法
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GaP晶体的生长研究
4
作者 杨曜源 王和明 +4 位作者 闫泽武 蔡以超 东艳苹 郝永亮 方珍意 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期156-,共1页
由于磷化镓具有较高的硬度 845kg/mm2 ,可以弥补现有长波红外材料表面硬度低 ,易损坏的缺点 ,成为宽波段、高透过红外材料一种新的选择。本文着重讨论了GaP晶体的生长方法及其工艺条件对晶体性能的影响。GaP熔体离解压为 ( 3.5± 1 ... 由于磷化镓具有较高的硬度 845kg/mm2 ,可以弥补现有长波红外材料表面硬度低 ,易损坏的缺点 ,成为宽波段、高透过红外材料一种新的选择。本文着重讨论了GaP晶体的生长方法及其工艺条件对晶体性能的影响。GaP熔体离解压为 ( 3.5± 1 )× 1 0 6Pa ,使得在高温下直接通过熔体结晶生长方法制备GaP晶体比较因难 ,需要采用 ( 3.5 5 .0 ) 1 0 6Pa的高压条件 ,为此 ,我们选择了在其离解压相对小的温区内进行生长 ,这时 ,磷蒸气压远大于GaP的离解压 ,使其具备了生长的基本条件。我们采用一种新颖的气相扩散热交换方法制备GaP晶体 ,其工艺流程如下 :在晶体生长过程中 ,容器和沉积基底材料是沾污的主要来源 ,污染使磷化镓性能下降。本文采用不易污染的坩埚、合理的温场没计和工艺控制 ,较好的生长了GaP晶体。在GaP晶体生长中 ,由于原料和化合物都易于氧化 ,所以必须从环境气氛中排除一切氧源。文中还对生长GaP晶体遇到的技术条件问题进行了讨论。 展开更多
关键词 磷化镓晶体 晶体生长 气相扩散热交换法 红外光学材料
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