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扩展电阻探针在硅材料研究上的应用
1
作者 李冀东 施锦行 佘思明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第6期35-37,共3页
主要描述了扩展电阻探针在确定硅片电阻率的微区分布、硅片中施主态氧沉淀的微观分布，及经氧外扩散后，硅片表面区中间隙氧分布等方面的应用。
关键词 扩展电阻探针 硅 电阻率 氧施主
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扩展电阻探针在器件开发和失效分析中的应用 被引量：1
2
作者 吴晓虹 闵靖 《上海计量测试》 1999年第6期45-46,共2页
本文介绍了使用扩展电阻探针，通过测试硅外延片、器件芯片和集成电路特定区域的纵向杂质分布，从而用以器件开发、工艺调控和失效分析。
关键词 半导体器件 失效分析 器件开发 扩展电阻探针
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IC生产线上离子注入剂量测试方法
3
作者 杨富宝 金红杰 +1 位作者 陈荣 程宏亮 《计量技术》 2010年第1期36-39,共4页
在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW... 在IC生产线上，对离子注入剂量的监控非常重要。目前，离子注入剂量的测试方法有很多种，它们在测试原理、仪器价格、测试灵敏度、样品制备和操作方便性等方面存在较大差异。本文重点介绍了MOSC—V法、扩展电阻探针（SRP）法和热波（TW）法的测试原理和测试过程，并比较分析了上述各种测试方法的优缺点，从而给实际工作中选择合适的测试方法监控离子注入剂量提供参考。 展开更多
关键词 离子注入剂量 MOS C—V法 扩展电阻探针 热波法
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化学染色法测量B,Al及P扩散结深 被引量：6
4
作者 佟丽英 赵权 +2 位作者 史继祥 王聪 李亚光 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第12期1213-1215,共3页
采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比... 采取化学染色法对B,Al和P杂质扩散形成的结深进行检测,通过实验不同浓度染色液的腐蚀特性,选择易于控制和重复性好的染色腐蚀液。同时采用扩展电阻法对同一个样品的结深进行测试,以扩展电阻法所得结果为标准,与染色法的测量结果进行对比,根据测试结果与理论分析,对染色法的测试结果进行修正,确定P扩散结深的测试系数。 展开更多
关键词 扩散结深 染色液 扩展电阻探针法
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用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算 被引量：1
5
作者 杨恒青 颜佳骅 +1 位作者 陈俭 曹永明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期290-297,共8页
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径... 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响 . 展开更多
关键词 扩展电阻探针技术 硅 深度分布 分辨率 二次离子质谱 硼离子注入
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