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用热壁CVD法在SiC衬底上生长SiCGe合金的热场分析与设计 被引量：4
1
作者 蒲红斌 陈治明 +4 位作者 李留臣 封先锋 张群社 沃立民 黄媛媛 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期712-716,共5页
采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加... 采用有限元法,对热壁CVD法SiCGe合金生长炉中加热组件的感应加热和温度分布进行了研究。分析了感应线圈匝数和石墨衬托的厚度对磁矢势和温度分布的影响,获取了感应线圈数越多感应生成焦耳热越大且越均匀的结论,得出了随石墨厚度的增加升温速率而增加,相反轴向温度均匀性而变差的设计准则。模拟结果表明选取16匝线圈和10mm左右的石墨壁厚为优化的设计参数。 展开更多
关键词 碳化硅 碳硅镓化合物 温度场 优化设计 热壁化学气相沉积法 感应加热 有限元 石墨厚度 感应线圈数 半导体材料
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