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Blue light emission of porous silicon subjected to RTP treatments
1
作者
ZHAO Yi
YANG Deren
+1 位作者
LIN Lei
QUE Duanlin
《Chinese Science Bulletin》
SCIE
EI
CAS
2006年第22期2696-2699,共4页
多孔的硅样品在不同情形(N_2， Ar， O_2 和空气) 下面与快速的热过程(RTP ) 被对待。在处理前后，样品借助于光谱学和 Fourier 转变的光致发光(PL ) 被检查红外线的光谱学(FTIR ) 。排放山峰在多孔的硅样品的 PL 系列被发现的四盏蓝灯...
多孔的硅样品在不同情形(N_2， Ar， O_2 和空气) 下面与快速的热过程(RTP ) 被对待。在处理前后，样品借助于光谱学和 Fourier 转变的光致发光(PL ) 被检查红外线的光谱学(FTIR ) 。排放山峰在多孔的硅样品的 PL 系列被发现的四盏蓝灯在 400 deg C 上面在温度使遭到了到 RTP 处理，山峰位置被发现不与 RTP 处理的情形和温度变化。它在 RTP 处理期间由于氧化被认为那，在多孔的硅的 Si 水晶的杆尺寸减少了，导致轻排放的蓝移动。与 Si 晶体大小相关不连续的假设和以前的研究人员“理论计算， PL 山峰位置没与 theRTP 温度和情形变化。
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关键词
多孔渗水硅
蓝光发射
快速
热
进程
光致发光
原文传递
题名
Blue light emission of porous silicon subjected to RTP treatments
1
作者
ZHAO Yi
YANG Deren
LIN Lei
QUE Duanlin
机构
State Key Laboratory of Silicon Materials
Department of Material Engineering
出处
《Chinese Science Bulletin》
SCIE
EI
CAS
2006年第22期2696-2699,共4页
基金
This work was supported by the National Natural Science Foundation of China （Grant No. 60225010）.
文摘
多孔的硅样品在不同情形(N_2， Ar， O_2 和空气) 下面与快速的热过程(RTP ) 被对待。在处理前后，样品借助于光谱学和 Fourier 转变的光致发光(PL ) 被检查红外线的光谱学(FTIR ) 。排放山峰在多孔的硅样品的 PL 系列被发现的四盏蓝灯在 400 deg C 上面在温度使遭到了到 RTP 处理，山峰位置被发现不与 RTP 处理的情形和温度变化。它在 RTP 处理期间由于氧化被认为那，在多孔的硅的 Si 水晶的杆尺寸减少了，导致轻排放的蓝移动。与 Si 晶体大小相关不连续的假设和以前的研究人员“理论计算， PL 山峰位置没与 theRTP 温度和情形变化。
关键词
多孔渗水硅
蓝光发射
快速
热
进程
光致发光
Keywords
porous silicon, blue light emission, rapid thermal process.
分类号
TB32 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Blue light emission of porous silicon subjected to RTP treatments
ZHAO Yi
YANG Deren
LIN Lei
QUE Duanlin
《Chinese Science Bulletin》
SCIE
EI
CAS
2006
0
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