GaN微电子学的新进展 被引量：10

1

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第1期1-16,36,共17页

进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电... 进入21世纪后,GaN微电子发展迅速,2011年进入工程化。在5G移动通信等新一代应用的牵引下,GaN微电子的创新更加活跃,正开始步入高新产业的发展阶段。介绍了GaN微电子在新器件结构与工艺、微波混合集成、微波单片集成电路(MMIC)、集成电路和异构集成等方面的最新进展,主要包括新的势垒结构、新的器件结构和工艺、大尺寸Si基器件、高导热金刚石基器件、新的电路拓扑、新的3D集成技术和可靠性研究等,以及在微波电子学和功率电子学两大应用领域的最新成果。分析和评价了SiC基、Si基GaN微电子等的发展态势。 展开更多

关键词 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 混合集成电路 微波单片集成电路(MMIC) 3D异构集成 D模 E模 功率电子学 微波电子学

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百年电子学——纪念真空电子管发明一百周年 被引量：5

2

作者 谢文楷 王彬 高昕艳 《真空电子技术》 2004年第6期1-7,共7页

电子学的崛起、发展和广泛应用是20世纪最伟大的科学技术领域之一。在电磁波理论和自由电子发展的基础上,1904年出现了第一只真空二极电子管,一般认为这标志着电子学的诞生。电磁波频谱资源的开发和利用是电子学发展的基础和动力。从电... 电子学的崛起、发展和广泛应用是20世纪最伟大的科学技术领域之一。在电磁波理论和自由电子发展的基础上,1904年出现了第一只真空二极电子管,一般认为这标志着电子学的诞生。电磁波频谱资源的开发和利用是电子学发展的基础和动力。从电磁频谱统一的观点看,光已经象微波一样进入到电子学的领域,成为无线电电子学中不可分割的组成部分。电子学的基本任务是:研究带电粒子流与电磁场相互作用的物理概念和物理过程,以及利用相互作用的不同物理机制实现粒子与场之间能量有效转化的方法和条件。从电子器件的观点看,电子学可分为真空电子学与固态电子学;而从电子运动规律的观点看,现代电子学将处理自由电子,准自由电子和束缚电子的运动规律及其与电磁场的相互作用。1958年,电子学领域出现三个重要发现和发明:集成电路、激光和相对论自由电子的回旋辐射。相应的,半导体电子学(微电子学)、激光电子学和相对论电子学等现代电子学领域则发端于此。电子器件小型化、微型化、功能集成化将电磁频谱的开拓和占领推向光波和红外毫米波。 展开更多

关键词 电子学 真空电子学 微波电子学 激光电子学 半导体电子学

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黄宏嘉:我爱中国多一些

3

作者 龙美光 《云南社会主义学院学报》 2024年第2期F0002-F0002,F0003,共2页

黄宏嘉,湖南临澧人,微波电子学家。1922年8月27日生于北京。新中国成立后,在北方交通大学任教。后在中国科学院电子所(筹)兼任副研究员,电子所正式成立后,兼任所学术委员、微波传输研究室主任。1964年调任中国科学院光学精密机械研究所... 黄宏嘉,湖南临澧人,微波电子学家。1922年8月27日生于北京。新中国成立后,在北方交通大学任教。后在中国科学院电子所(筹)兼任副研究员,电子所正式成立后,兼任所学术委员、微波传输研究室主任。1964年调任中国科学院光学精密机械研究所上海分所,任所党委会成员、学术委员会副主任、理论室主任、研究员,同时兼任《激光》杂志主编。1979年6月起担任上海科技大学(今上海大学)教授、副校长、名誉校长。1980年当选中国科学院学部委员(院士)。 展开更多

关键词 中国科学院学部 北方交通大学 名誉校长 上海大学 微波传输 副校长 微波电子学 黄宏嘉

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“中国太赫兹之父”——刘盛纲

4

作者 任光莉 《党员干部之友》 2023年第7期40-41,共2页

“寸心未泯,犹老骥伏枥不停歇。科学原属勤奋人,愿终生相托!”这是一位耄耋老人的抒怀填词,更是他数十年科研工作的最好写照。深耕物理电子领域70余载,他被称为“国际太赫兹先驱”“中国太赫兹之父”,在电子回旋脉塞、自由电子激光与高... “寸心未泯,犹老骥伏枥不停歇。科学原属勤奋人,愿终生相托!”这是一位耄耋老人的抒怀填词,更是他数十年科研工作的最好写照。深耕物理电子领域70余载,他被称为“国际太赫兹先驱”“中国太赫兹之父”,在电子回旋脉塞、自由电子激光与高功率微波、微波电子学及微波等离子体电子学等领域做出开创性贡献,影响着世界物理电子研究的发展。他就是中国科学院院士、我国著名物理电子学家刘盛纲。 展开更多

关键词 中国科学院院士 物理电子学 耄耋老人 自由电子激光 太赫兹 微波电子学 高功率微波 开创性贡献

原文传递

变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究 被引量：5

5

作者 仇志军 蒋春萍 +7 位作者 桂永胜 疏小舟 郭少令 褚君浩 崔利杰 曾一平 朱战平 王保强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第11期2879-2882,共4页

在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度... 在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 .通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象 ,结合变温度的Hall测量 ,系统研究了不同In组分沟道MM_HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系 .结果表明 ,沟道中In组分为 0 6 5的样品 ,材料电学性能最好 ,In组分高于 0 6 5的样品 ,严重的晶格失配将产生位错 ,引起迁移率下降 ,大大影响材料和器件的性能 . 展开更多

关键词 变缓冲层高迁移率晶体管 MM-HEMT材料 量子振荡 毫米波器件 横向磁阻振荡 Shubnikov-de Hass振荡 微波电子学

原文传递

电子束横波器件原理及应用 被引量：1

6

作者 王秩雄 陈绳乾 黄建仁 《空间电子技术》 2011年第4期50-54,60,共6页

几十年前,前苏联成功研制了一系列电子束横波器件,其主要优点是线性、高效率和自保护。这些器件已在微波输电、雷达和通信中获得应用。文章对它们的结构、工作原理和技术参数等进行简要介绍。

关键词 微波电子学 电子束横波 非传统微波器件 微波输电

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氮化镓微波电子学的进展(续) 被引量：2

7

作者 袁明文 潘静 《半导体情报》 1999年第4期1-9,共9页

关键词 氮化镓 微波电子学 MOCVD

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电子迴旋脉塞研究的现状和展望 被引量：2

8

作者 陈增圭 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第1期57-67,共11页

电子迴旋脉塞作为开拓毫米波、亚毫米波波谱的高功率相干辐射源,近年来研究工作十分活跃,取得了不少鼓舞人心的新进展。本文综述了迴旋单腔振荡器、迴旋管放大器、高次谐波迴旋管和强流相对论迴旋管等电子迴旋脉塞各类器件的研究现状,... 电子迴旋脉塞作为开拓毫米波、亚毫米波波谱的高功率相干辐射源,近年来研究工作十分活跃,取得了不少鼓舞人心的新进展。本文综述了迴旋单腔振荡器、迴旋管放大器、高次谐波迴旋管和强流相对论迴旋管等电子迴旋脉塞各类器件的研究现状,指出了一些技术关键问题及其解决措施,并展望了它的发展前景。 展开更多

关键词 微波电子学 电子回旋脉塞

全文增补中

超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) 被引量：1

9

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期81-103,共23页

3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效... 3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。 展开更多

关键词 金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路

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短毫米波和亚毫米波的新进展

10

作者 杨鸿生 《电气电子教学学报》 1991年第3期46-52,共7页

微波理论与技术的发展,微波电子学与有源器件的发展使人类可以利用的频率资源从低频扩展到微波波段.现在微波波段的工作已相当成熟,世界趋势是继续开拓频谱资源,由微波波段推进到短毫米波波段甚至亚毫米波(极远红外)波段.要开发如此宽... 微波理论与技术的发展,微波电子学与有源器件的发展使人类可以利用的频率资源从低频扩展到微波波段.现在微波波段的工作已相当成熟,世界趋势是继续开拓频谱资源,由微波波段推进到短毫米波波段甚至亚毫米波(极远红外)波段.要开发如此宽广的频段。 展开更多

关键词 亚毫米波 微波波段 毫米波雷达 有源器件 激射器 微波理论 自由电子激光器 微波电子学 输出功率 谐振腔

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时间频率相关技术研究 被引量：1

11

作者 赵阳 朱陵凤 李超 《中国科技财富》 2009年第3X期154-156,共3页

一、时间频率的研究意义时间和频率作为两个最常用的基本参量,是描述自然现象的绝大多数方程中不可缺少的两个变量。随着量子力学、微波电子学和空间技术的发展,时间和频率的稳定度、准确度和测量精度在过去几十年中提高很快,遥遥领先... 一、时间频率的研究意义时间和频率作为两个最常用的基本参量,是描述自然现象的绝大多数方程中不可缺少的两个变量。随着量子力学、微波电子学和空间技术的发展,时间和频率的稳定度、准确度和测量精度在过去几十年中提高很快,遥遥领先于其他物理量。 展开更多

关键词 时间频率 时间比对 测量精度 陕西天文台 频率稳定度 微波电子学 频标 载波相位 基本参量 GLONASS

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微波电子学的最新进展

12

作者 张国兴 《电子器件》 CAS 1992年第4期206-214,共9页

本文介绍国外微波器件的目前发展水平,真空与固态微波器件的比较以及当今发展微波电子学的几个重要方向.文中着重描述磁控管的锁相技术、行波管的功率合成技术和新型真空微电子学器件的工作原理、工作特性,为挖掘原有器件潜力,发展高质... 本文介绍国外微波器件的目前发展水平,真空与固态微波器件的比较以及当今发展微波电子学的几个重要方向.文中着重描述磁控管的锁相技术、行波管的功率合成技术和新型真空微电子学器件的工作原理、工作特性,为挖掘原有器件潜力,发展高质量微波器件,开拓新型器件确定目标. 展开更多

关键词 微波器件 微波电子学 发展

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微波电子学的最新进展

13

作者 张国兴 《电子工程师》 1992年第4期31-37,共7页

关键词 微波电子学 磁控管 微波器件 发展

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辐射缺陷工程

14

作者 胡光华 《国外科技新书评介》 2007年第8期19-20,共2页

半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对... 半导体电子学问题复杂性的持续增加，以及类似微波电子学、光电子学这样的新方向发展说明了目前使用的掺杂工艺没有足够的潜力，而且寻求与开发新的方法是不可避免的。其中一种最有希望的技术是辐射掺杂，即在各种类型辐射的作用下，对半导体的性质有目的地定向改进。中性的粒子，例如中子和γ量子，它们在对半导体晶片和锭料的均匀掺杂中被广泛应用。利用辐射掺杂，非均匀掺杂剖面只能通过应用辐射来获得，它能确保半导体的性质在预定深度上的有效改进。 展开更多

关键词 辐射 缺陷工程 半导体电子学 掺杂工艺 微波电子学 半导体晶片 光电子学 非均匀

原文传递

电子回旋脉塞中相位俘获的数值分析

15

作者 张春雨 张培德 +1 位作者 付强 翟群 《西南民族学院学报（自然科学版）》 CAS 2001年第4期381-383,共3页

通过对柱型腔回旋管中电子与电磁波互作用自洽非线性方程组的数值计算 ,模拟出电子的相轨迹图 ,分析了与相位俘获有关的饱和现象 ,指出这种现象主要与波场幅值和互作用长度有关 。

关键词 电子回旋脉塞 饱和机理 相位俘获 数值分析 微波电子学 电子 电磁波 相轨迹 图

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固态微波电子学的新进展 被引量：4

16

作者 赵正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期1-14,47,共15页

固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达... 固态微波电子学是现代电子学的重要分支之一,其基础材料已由第一代半导体Si和Ge、第二代半导体GaAs和InP,发展到第三代半导体GaN和SiC,石墨烯和金刚石等C基新材料正在进行探索性的研究,其加工工艺的尺寸也已进入纳米尺度,其工作频率已达到1 THz,应用的频率可覆盖微波毫米波到太赫兹。目前固态微波电子学呈多代半导体材料和器件共同发展的格局。综述了具有代表性的11类固态器件（RF CMOS,SiGe BiCMOS,RF LDMOS,RF MEMS,GaAs PHEMT,GaAs MHEMT,InP HEMT,InP HBT,GaN/SiC HEMT,GFET和金刚石FET）近几年的最新研究进展,详细介绍了有关固态微波电子学的应用需求、技术特点、设计拓扑、关键技术突破和测试结果,分析了当前固态微波电子学总的发展趋势和11类固态微波器件的发展特点和定位。最后介绍了采用3D异构集成技术的射频微系统的最新进展,指出射频微系统是发展下一代射频系统的关键技术。 展开更多

关键词 固态微波电子学 RF CMOS SiGe BIMOS RF LDMOS RF MEMS GAAS PHEMT GAAS MHEMT INP HEMT INP HBT GaN/SiC HEMT GFET 金刚石FET 射频微系统 3D异构集成

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微波能应用—张兆镗教授纪念专辑序

17

作者 王刚 《真空电子技术》 2024年第2期I0001-I0001,共1页

在我国磁控管和微波能应用技术领域著名学者和先驱电子科技大学张兆镗教授离开我们一周年之际,《真空电子技术》制作了本期专辑,以纪念为该领域奉献毕生精力的张兆镗教授。张兆镗老师1957年参与了我国第一支磁控管研制工作,从此和磁控... 在我国磁控管和微波能应用技术领域著名学者和先驱电子科技大学张兆镗教授离开我们一周年之际,《真空电子技术》制作了本期专辑,以纪念为该领域奉献毕生精力的张兆镗教授。张兆镗老师1957年参与了我国第一支磁控管研制工作,从此和磁控管结下不解之缘,在之后的数十年里,无论在讲台上还是在实验室,张老师一直辛勤耕耘、呕心沥血,为我国微波电子学学科教学和科研事业坚持不懈地努力。三尺讲台是张老师的最美舞台,他阅读了大量国内外相关领域的文献,精心编写的授课讲义烂熟于心,为了让学生更好地理解,无论多繁琐的公式和多复杂的图形都能在黑板上一一推导详细讲解。20世纪80、90年代,张老师的全英文板书授课风靡一时,很多外系学生慕名而来,在成电学生中传为佳话。 展开更多

关键词 真空电子技术 电子科技大学 磁控管 三尺讲台 微波电子学 张老师 微波能应用 毕生精力

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征稿通知

18

《电子器件》 CAS 北大核心 2022年第4期F0004-F0004,共1页

《电子器件》创刊于1978年,是由教育部主管、东南大学主办的学术性刊物。对国内外公开发行,并被英国科学文摘(SA)收录。本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、... 《电子器件》创刊于1978年,是由教育部主管、东南大学主办的学术性刊物。对国内外公开发行,并被英国科学文摘(SA)收录。本刊主要刊登真空电子学、微波电子学、光电子学、薄膜电子学、电子显示技术、激光与红外技术、半导体物理与器件、集成电路与微电子技术、光纤技术、真空物理与技术、表面分析技术、传感技术、电子材料与元器件。 展开更多

关键词 英国科学文摘 表面分析技术 激光与红外 光电子学 真空电子学 传感技术 光纤技术 微波电子学

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阻抗匹配

19

《电子质量》 2008年第7期12-12,共1页

阻抗匹配（Impedance matchjng）是微波电子学里的一部分，主要用于传输线上，达到所有高频的微波信号都能传至负载点的目的，不会有信号反射回源点。

关键词 阻抗匹配 微波电子学 微波信号 信号反射 传输线 负载点

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中国科学院电子学研究所

20

《真空电子技术》 2007年第3期19-19,共1页

中国科学院电子学研究所是我国最早从事微波电子学研究和微波电真空器件研制的单位之一。近50年来承担了一系列国家重大工程急需的各种微波器件的研制任务，为我国卫星、雷达、火箭、电子对抗、加速器和大科学装置等的发展做出了重大贡... 中国科学院电子学研究所是我国最早从事微波电子学研究和微波电真空器件研制的单位之一。近50年来承担了一系列国家重大工程急需的各种微波器件的研制任务，为我国卫星、雷达、火箭、电子对抗、加速器和大科学装置等的发展做出了重大贡献。先后获得了国家科技进步一等奖和二等奖、国防科学技术一等奖、中科院科技进步一等奖等国家和省部级奖40余项。在微波器件的研制及应用等方面做出了一批在国内外相当有影响力的研究工作，已成为我国微波电真空器件与技术领域重要的研制和生产基地。 展开更多

关键词 微波电子学 中国科学院 研究所 科技进步一等奖 电真空器件 微波器件 科学技术 大科学装置

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