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微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究
被引量：
18
1
作者
杨洁
刘尚合
+1 位作者
原青云
武占成
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期111-114,158,共5页
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示...
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。
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关键词
微波
低噪声
硅
晶体管
方波电磁脉冲
敏感端对
灵敏参数
损伤功率
统计分布
损伤机理
下载PDF
职称材料
微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究
被引量：
11
2
作者
杨洁
王长河
刘尚合
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期99-102,共4页
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基...
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。
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关键词
微波
低噪声
硅
晶体管
静电放电
方波电磁脉冲
损伤电压
损伤机理
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职称材料
题名
微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究
被引量：
18
1
作者
杨洁
刘尚合
原青云
武占成
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第7期111-114,158,共5页
基金
国家自然科学基金(50237040)~~
文摘
为了得到电磁脉冲注入对硅半导体器件的作用效应,对两个批次的同型号微波低噪声硅晶体管进行方波注入试验,得出了此类器件对电磁脉冲的最灵敏端对CB结和最敏感参数VBRCEO、损伤电压值、损伤电流值及损伤功率值。电磁脉冲注入时,通过示波器记录晶体管上的瞬时电压、电流波形并得出器件瞬时功率波形。将器件损伤时出现的二次击穿点的功率平均值作为该器件的损伤功率值,将二次击穿点的延迟时间与对应的损伤功率值作P-T图,得出其拟合曲线方程。根据拟合方程把各延迟时间下的损伤功率换算为1μs脉宽下的功率值,统计其损伤能量基本符合正态分布。经分析,器件方波电磁脉冲注入时的损伤机理为热二次击穿。
关键词
微波
低噪声
硅
晶体管
方波电磁脉冲
敏感端对
灵敏参数
损伤功率
统计分布
损伤机理
Keywords
microwave low-noise silicon transistors
square-wave EMP
sensitive port
susceptive parameters
dam- age power
statistic and distribution
damage mechanism
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究
被引量：
11
2
作者
杨洁
王长河
刘尚合
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期99-102,共4页
基金
国家自然科学基金重点资助课题(50237040)
文摘
在研究电磁脉冲对微电子器件作用效应的过程中,针对三种不同型号的微波低噪声硅半导体器件进行了电磁脉冲(静电放电和方波电磁脉冲)直接注入的试验,结果发现该类器件对电磁脉冲最敏感的端对并不是EB结(发射极-基极),而是CB结(集电极-基极)。通过对器件结构与放电过程的分析,分别得出了CB结、EB结的损伤机理:随放电电压的增大,热载流子撞击界面,使流经界面处的少数载流子复合速度增加,少数载流子在界面处及界面附近被复合,从而降低了器件的电流放大系数。而无论从哪个结注入,器件完全失效均是由热二次击穿造成。从而更进一步地证明了CB结比EB结更敏感。
关键词
微波
低噪声
硅
晶体管
静电放电
方波电磁脉冲
损伤电压
损伤机理
Keywords
Micro-wave low-noise transistor
ESD
Square-wave EMP
Damage voltage
Damage mechanism
分类号
O441 [理学—电磁学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
微波低噪声硅晶体管的方波电磁脉冲损伤研究
杨洁
刘尚合
原青云
武占成
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
18
下载PDF
职称材料
2
微波低噪声晶体管电磁脉冲敏感端对研究
杨洁
王长河
刘尚合
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
11
下载PDF
职称材料
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