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碳纳米管场发射电子源的仿真设计与性能测试
被引量：
1
1
作者
郝明
王聪
+5 位作者
蒋睿
蔡宗佳
齐天缘
巴要帅
谢元华
刘坤
《真空与低温》
2023年第1期58-66,共9页
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)因其优异的电学性能和大长径比被广泛用作电子源阴极材料。CNTs具有高稳定性和长寿命等特点,广泛应用于高压电极电真空器件中。CNTs电子源采用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)工艺,有助于质谱分...
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)因其优异的电学性能和大长径比被广泛用作电子源阴极材料。CNTs具有高稳定性和长寿命等特点,广泛应用于高压电极电真空器件中。CNTs电子源采用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)工艺,有助于质谱分析元件、电离真空计、微推力推进器等真空元器件的微型化。设计了一种基于碳纳米管的带有气体进样和离子传输通道的三电极场发射电子源,可为MEMS质谱离子源提供电子束。通过仿真分析和实验测试,研究了栅极结构和馈电参数对场发射性能的影响规律。仿真分析最大场发射阴极电流为46.085μA,电子透过率为64.28%;实验测试最高场发射电流密度为1.62 A/m^(2),电子透过率为75.34%。
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关键词
MEMS
微型
电子
源
场发射
碳纳米管
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职称材料
基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
被引量：
2
2
作者
王雨薇
魏贤龙
《真空电子技术》
2020年第6期1-7,共7页
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管...
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管的微型热发射电子源器件阵列的片上集成与批量制备以及微型热发射电子源器件栅电极的单片集成。基于碳纳米管材料的片上微型热发射电子源具有低工作电压、高发射电流密度、高稳定性与可重复性、较低的真空度要求、高均匀性与高集成度等优点,是实用的微型电子源器件的一种可选途径。
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关键词
微型
电子
源
片上
电子
源
热
电子
发射
碳纳米管
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职称材料
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
3
作者
朱韬远
李志伟
+2 位作者
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空...
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
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关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型
真空
电子
器件
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职称材料
片上电子源的真空阳极键合
被引量：
1
4
作者
陶俊明
刘文超
+3 位作者
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
《真空电子技术》
2020年第4期28-33,共6页
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪...
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。
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关键词
阳极键合
片上
微型
电子
源
微纳真空
电子
器件
片上
微型
真空腔室
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职称材料
题名
碳纳米管场发射电子源的仿真设计与性能测试
被引量：
1
1
作者
郝明
王聪
蒋睿
蔡宗佳
齐天缘
巴要帅
谢元华
刘坤
机构
东北大学机械工程与自动化学院
出处
《真空与低温》
2023年第1期58-66,共9页
基金
教育部中央高校基本科研业务(N2003010、N2103027)
辽宁省自然科学基金联合基金(2020-KF-15-01)。
文摘
碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNTs)因其优异的电学性能和大长径比被广泛用作电子源阴极材料。CNTs具有高稳定性和长寿命等特点,广泛应用于高压电极电真空器件中。CNTs电子源采用MEMS(Micro-Electro-Mechanical System)工艺,有助于质谱分析元件、电离真空计、微推力推进器等真空元器件的微型化。设计了一种基于碳纳米管的带有气体进样和离子传输通道的三电极场发射电子源,可为MEMS质谱离子源提供电子束。通过仿真分析和实验测试,研究了栅极结构和馈电参数对场发射性能的影响规律。仿真分析最大场发射阴极电流为46.085μA,电子透过率为64.28%;实验测试最高场发射电流密度为1.62 A/m^(2),电子透过率为75.34%。
关键词
MEMS
微型
电子
源
场发射
碳纳米管
Keywords
MEMS
micro electron source
field emission
carbon nanotubes
分类号
O462.5 [理学—电子物理学]
下载PDF
职称材料
题名
基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
被引量：
2
2
作者
王雨薇
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室
湖南大学电气与信息工程学院
出处
《真空电子技术》
2020年第6期1-7,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2019YFA0210201)。
文摘
纳米科技的飞速发展和半导体微加工技术的日益成熟使热电子发射源的微型化、片上化、集成化成为可能。本文回顾总结了近年来基于碳纳米管材料制备片上微型热发射电子源的研究工作,包括碳纳米管侧壁热电子发射的机制研究、基于碳纳米管的微型热发射电子源器件阵列的片上集成与批量制备以及微型热发射电子源器件栅电极的单片集成。基于碳纳米管材料的片上微型热发射电子源具有低工作电压、高发射电流密度、高稳定性与可重复性、较低的真空度要求、高均匀性与高集成度等优点,是实用的微型电子源器件的一种可选途径。
关键词
微型
电子
源
片上
电子
源
热
电子
发射
碳纳米管
Keywords
On-chip electron source
Miniature electron source
Thermionic electron emission
Carbon nanotube
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
3
作者
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
机构
北京大学电子学院纳米器件物理和化学教育部重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第9期737-748,共12页
基金
国家自然科学基金项目(62350040)
国家重点研发计划项目(2019YFZ0210201)。
文摘
电子源是真空电子设备的核心部件,片上微型电子源是实现微型化、片上化真空电子器件的关键和基础。氧化硅水平隧穿结电子源是本课题组近几年发展的一种新型片上微型电子源,其具有发射效率高、发射电流密度大、工作电压低、能耐受粗真空和时间响应快等优点,展现出较大的应用潜力。文章将从电子发射微观过程及理论模型、阵列化集成以及在真空电子器件中的应用三个方面系统介绍氧化硅水平隧穿结电子源,并对本课题组在该方向上所做的工作进行梳理与总结。
关键词
氧化硅水平隧穿结
电子
源
片上
微型
电子
源
微型
真空
电子
器件
Keywords
Silicon oxide horizontal tunneling junction electron sources
On-chip micro-electron sources
Micro-vacuum electronic devices
分类号
TN389 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
片上电子源的真空阳极键合
被引量：
1
4
作者
陶俊明
刘文超
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
机构
北京大学电子学系纳米器件物理与化学教育部重点实验室
北京大学软件与微电子学院
北京大学(天津滨海)新一代信息技术研究院
出处
《真空电子技术》
2020年第4期28-33,共6页
基金
国家重点研发计划项目(2019YFA0210201)。
文摘
本文介绍了一种新型片上微型电子源的真空阳极键合方法,以构建一个和片上微型电子源集成在一起的片上微型真空腔室。采用导线搭接的方法完成了硅玻璃交替的多层键合结构,实现了包含五层键合结构的片上微型真空三极管。使用氦质谱检漏仪对键合界面进行真空漏率的检测,提出了一种可改善电极跨越键合界面引起界面漏气的简单方法。
关键词
阳极键合
片上
微型
电子
源
微纳真空
电子
器件
片上
微型
真空腔室
Keywords
Anode bonding
On-chip micro electron source
Micro-nano vacuum electronic device
On-chip micro vacuum chamber
分类号
O53 [理学—等离子体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳纳米管场发射电子源的仿真设计与性能测试
郝明
王聪
蒋睿
蔡宗佳
齐天缘
巴要帅
谢元华
刘坤
《真空与低温》
2023
1
下载PDF
职称材料
2
基于碳纳米管的片上微型热发射电子源
王雨薇
魏贤龙
《真空电子技术》
2020
2
下载PDF
职称材料
3
氧化硅水平隧穿结电子源及其应用
朱韬远
李志伟
詹芳媛
杨威
魏贤龙
《真空科学与技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
下载PDF
职称材料
4
片上电子源的真空阳极键合
陶俊明
刘文超
郭等柱
赵振征
陈清
魏贤龙
《真空电子技术》
2020
1
下载PDF
职称材料
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