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Micro-LED应用于近眼显示的现状与趋势 被引量:12
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作者 周自平 黎垚 +7 位作者 严银菓 江昊男 陈恩果 徐胜 叶芸 孙捷 严群 郭太良 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2022年第6期661-679,共19页
作为目前信息显示技术领域的热点,近眼显示设备的发展承载着人们对未来信息交互方式的美好愿景,同时,人们对于增强现实显示的需求也在不断提升,近眼显示中的AR显示无疑成为近年来研究的热点。伴随着显示技术的不断发展,高度微型化和集... 作为目前信息显示技术领域的热点,近眼显示设备的发展承载着人们对未来信息交互方式的美好愿景,同时,人们对于增强现实显示的需求也在不断提升,近眼显示中的AR显示无疑成为近年来研究的热点。伴随着显示技术的不断发展,高度微型化和集成化成为近眼显示中重要的发展趋势,微发光二极管(Micro Light-Emitting Diode,Micro-LED)显示技术在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和稳定性等方面相比于其他技术均有巨大的优势,是近眼显示设备较为理想的光源和图像显示源。本文从结构、制备工艺及挑战方面分析了Micro-LED显示技术的研究进展,从人眼的视觉特性出发综述了近眼显示的发展现状,总结了Micro-LED应用于近眼显示的优势,对比了各项技术的先进性和可实现性,最后对其发展进行了展望。 展开更多
关键词 近眼显示 微型发光二极管 微显示 增强现实
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激光辅助MicroLED巨量转移技术进展 被引量:7
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作者 孙宁宁 杨彪 +5 位作者 陈福荣 胡金龙 余海洋 卞敬 段永青 黄永安 《中国科学:技术科学》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期513-528,共16页
巨量转移是将几百万甚至上千万颗微米尺度的MicroLED芯片从源基板精准转移到显示基板上的制造技术,在转移良率、精度和速率等方面存在诸多挑战,成为制约新一代显示产品的技术瓶颈.基于激光-材料界面的相互作用已经发展了多种激光辅助转... 巨量转移是将几百万甚至上千万颗微米尺度的MicroLED芯片从源基板精准转移到显示基板上的制造技术,在转移良率、精度和速率等方面存在诸多挑战,成为制约新一代显示产品的技术瓶颈.基于激光-材料界面的相互作用已经发展了多种激光辅助转移技术,该种技术具有对器件损伤小、高度可选择性、响应快速高效等优势,目前成为极具潜力的巨量转移解决方案.本文首先介绍了巨量转移目前的技术实现方式和技术难点,随后评述了基于激光辅助的超薄微器件转移技术的最新进展,包括激光辅助的基本原理、转移工艺过程和目前达到的技术水平,最后探讨了在MicroLED芯片巨量转移领域的发展前景及挑战. 展开更多
关键词 微型发光二极管 巨量转移 激光辅助转移 激光剥离 动态释放层
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集成电路测试插座产品残留检测
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作者 张健 《中国集成电路》 2024年第9期76-78,共3页
集成电路自动测试过程中,如果产品残留在测试插座中,就会导致误分类。鉴于传统的残留检测方法存在各种各样的问题,本文介绍了一种简单易行的检测方法,在测试插座中植入微型发光二极管,使用微型摄像头拍照检测,提高了集成电路测试插座产... 集成电路自动测试过程中,如果产品残留在测试插座中,就会导致误分类。鉴于传统的残留检测方法存在各种各样的问题,本文介绍了一种简单易行的检测方法,在测试插座中植入微型发光二极管,使用微型摄像头拍照检测,提高了集成电路测试插座产品残留的检测能力。且成本低,检出能力强,适用各类薄型集成电路产品。 展开更多
关键词 集成电路测试 插座 残留(叠料) 微型发光二极管 摄像头
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Micro-LED蓝宝石衬底AlN上GaN激光剥离研究 被引量:2
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作者 张俊 张为国 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2023年第1期25-31,共7页
为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管(micro-LED)时AlN上GaN的热传导效果,采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光剥离理论模型进行计算分析的方法,取得了在不同的激光波长、激光脉冲宽度、激光能量密度下的紫外波段... 为了比较分析纳秒激光和皮秒激光剥离微型发光二极管(micro-LED)时AlN上GaN的热传导效果,采用了改进的实时紫外光吸收和热传导的激光剥离理论模型进行计算分析的方法,取得了在不同的激光波长、激光脉冲宽度、激光能量密度下的紫外波段光辐照时和停止辐照后GaN材料热场分布等数据,并获得了适合micro-LED器件剥离的所用纳秒激光和皮秒激光的阈值条件。结果表明,激光脉宽、激光波长、激光能量密度是实现激光剥离工艺的关键因素;较适合的激光波长为209 nm~365 nm的紫外波段;皮秒激光的剥离效果优于纳米激光,且激光的脉冲宽度越短,激光的波长越短,剥离所需激光脉冲阈值能量也越低,则对LED芯片区域的热影响也越小。该研究可为开发新型激光剥离设备和相关工艺应用提供重要参考。 展开更多
关键词 激光技术 激光剥离 仿真 微型发光二极管 皮秒激光
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基于喷墨打印的绿色量子点颜色转换层的工艺与性能优化
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作者 王昕怡 周浩杰 +4 位作者 嵇啸啸 杨铸 李建新 殷录桥 张建华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第14期267-276,共10页
本文研究了无滤光片、无分布式布拉格反射镜的条件下,喷墨打印技术(IJP)在高分辨率微型发光二极管(MicroLED)上沉积量子点颜色转换(QDCC)层的应用。通过采用固含量为20%(质量分数)的高质量分数(>10%)量子点墨水,并经过工艺优化,成功... 本文研究了无滤光片、无分布式布拉格反射镜的条件下,喷墨打印技术(IJP)在高分辨率微型发光二极管(MicroLED)上沉积量子点颜色转换(QDCC)层的应用。通过采用固含量为20%(质量分数)的高质量分数(>10%)量子点墨水,并经过工艺优化,成功实现了均匀且可重复的超厚(>10μm)量子点层沉积。在经过反应离子刻蚀(RIE)处理的挡光黑色矩阵(BM)层上,利用喷墨打印技术,实现了不同厚度绿色量子点膜层的精准沉积,子像素尺寸为40μm×40μm,线宽为5μm。绿色QDCC层表现出优异的性能,最大亮度达到159120.4 cd/cm^(2),相关色温(CCT)为5844.463 K,外量子效率(EQE)为3.11%。随着厚度的增大,CIE(x,y)色坐标从初始值(0.1853,0.2537)变化到最终值(0.2234,0.7252)。 展开更多
关键词 光学器件 喷墨打印 微型发光二极管 颜色转换层 量子点
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面向微显示的小电流655 nm Micro-RCLED 被引量:4
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作者 李建军 曹红康 +4 位作者 邓军 文振宇 邹德恕 周晓倩 杨启伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第15期170-175,共6页
针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED。该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光... 针对微显示对高外量子效率、低工作电流和稳定光谱波长的红光LED的需求,提出了一种将共振腔发光二极管与AlAs侧向氧化技术相结合的Micro-RCLED。该器件利用共振腔改变有源区自发辐射场的空间分布,将更多的光分布在光提取角之内以提高光提取效率,而且共振腔还有利于输出光谱波长的稳定。AlAs氧化孔对电流的横向限制既有利于降低侧壁的Shockley-Read-Hall非辐射复合,又可减少漏电,从而提高辐射复合效率。另外,P电极出光孔的直径大于AlAs氧化电流注入孔的直径,因此,金属P电极对出射光的吸收可以有效避免。同时,制作了3个并联的655 nm Micro-RCLED,每个单元的出光孔径为17μm。IdV/dI-I曲线的拟合结果表明,120Ω的串联电阻器件在1 mA时的输出光功率为0.21 mW,外部量子效率大于10%,并且可以在低于1μA的注入电流下点亮单个单元。另外,当工作电流密度变化12.5倍时,峰值波长仅增加1.5 nm,光谱的半峰全宽仅增加0.33 nm。这使得RCLED作为单色光源在Micro-LED中的应用成为可能。 展开更多
关键词 物理光学 发光 谐振腔 AlAs横向氧化 微型发光二极管 红光发光二极管
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考虑小尺寸效应的Micro-LED驱动结构设计 被引量:1
7
作者 殷录桥 张雪松 +4 位作者 任开琳 张楠 郝茂盛 李春亚 张建华 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期202-217,共16页
设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提... 设计一款芯片尺寸为300μm的蓝绿光微型发光二极管(Micro-LED)并将其点亮,通过TCAD仿真对芯片尺寸为10、38、100、300μm的Micro-LED进行模拟仿真,探究了Micro-LED的小尺寸效应,发现随着Micro-LED尺寸的减小,开关损耗增加。因此,针对提高小尺寸Micro-LED单点像素的驱动电流密度过程中产生的开关损耗增加的问题,模拟仿真驱动电路驱动Micro-LED的开关特性过程,进行减小开关损耗的研究。利用Sentaurus TCAD软件进行仿真,设计了一台沟道长度为0.18μm的p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOS)器件,将PMOS器件和Micro-LED器件通过铟凸点进行键合,并对PMOS驱动电路驱动单独Micro-LED像素进行仿真,进一步进行PMOS驱动两个Micro-LED像素的仿真,从而模拟阵列像素驱动的情况,通过比较开关延迟时间判断驱动效果并进行实验验证,发现当PMOS接入限流电阻驱动Micro-LED时,阻值越小,驱动效果越好,而且起到消除浪涌、限流分压的作用,但PMOS直接驱动Micro-LED比加入限流电阻的效果更好,PMOS驱动阵列Micro-LED相比于驱动单独Micro-LED开关损耗更小、驱动效果更好。 展开更多
关键词 光学器件 微型发光二极管 小尺寸效应 PMOS驱动 开关延迟时间
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高成品率和平整度的GaN基Micro LED芯片激光剥离工艺的研究
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作者 岳龙 徐俞 +1 位作者 王建峰 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第5期805-811,共7页
使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm^(-2),分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.0714 GPa,均方根粗糙度仅为0.5... 使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm^(-2),分离的器件完好无损,分离表面光滑,残余应力为0.0714 GPa,均方根粗糙度仅为0.597 nm,远低于目前报道的LLO方法分离表面。该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路,对柔性GaN基器件的制备具有一定意义。 展开更多
关键词 GAN 微型发光二极管 激光剥离 准分子激光器 成品率 平整度
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一种用于Micro-LED的新型PWM像素电路设计
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作者 王婷 《光源与照明》 2023年第1期136-138,共3页
目前,市场上的微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode. Micro-LED)的像素电路广泛使用的是有机发光半导体(OLED)上所使用的脉冲幅度调制(PAM)像素电路。PAM会导致Micro-LED的色移现象,不适用于Micro-LED。脉冲宽度调制(PWM)采用电... 目前,市场上的微型发光二极管(Micro-Light Emitting Diode. Micro-LED)的像素电路广泛使用的是有机发光半导体(OLED)上所使用的脉冲幅度调制(PAM)像素电路。PAM会导致Micro-LED的色移现象,不适用于Micro-LED。脉冲宽度调制(PWM)采用电压占空比控制LED的亮度,其电流是固定的,可以解决色移问题。因此,文章开发了一种用于Micro-LED的新型PWM像素电路。开发的像素电路可以降低功耗,实现60 Hz的驱动电路频率和120 Hz的LED照明频率。 展开更多
关键词 脉冲宽度调制 PWM 像素电路 微型发光二极管 Micro-LED
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GaN基Micro-LED的外量子效率研究 被引量:2
10
作者 杨杭 黄文俊 +2 位作者 张胡梦圆 林永红 刘召军 《半导体光电》 CAS 北大核心 2022年第3期522-528,共7页
基于氮化镓材料的微型发光二极管(micro-LED)已逐渐成为可见光通信和下一代显示器等许多光电器件的主要发光源。由非辐射复合和量子限制斯塔克效应(QCSE)引起的低外量子效率(EQE)是微型发光二极管应用开发过程中的主要瓶颈。文章讨论了... 基于氮化镓材料的微型发光二极管(micro-LED)已逐渐成为可见光通信和下一代显示器等许多光电器件的主要发光源。由非辐射复合和量子限制斯塔克效应(QCSE)引起的低外量子效率(EQE)是微型发光二极管应用开发过程中的主要瓶颈。文章讨论了微型发光二极管低EQE的成因,分析了其物理特性,并提出了改善其EQE的优化方法。 展开更多
关键词 光萃取效率 内量子效率 外量子效率 微型发光二极管 尺寸效应
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A brief review of innovative strategies towards structure design of practical electronic display device 被引量:1
11
作者 MA Li SHAO Yun-fei 《Journal of Central South University》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第6期1624-1644,共21页
Display devices have significantly changed our daily life for decades,from the watches,television,to the laptop and smartphone.As the desire of advanced display device with high-resolution,long operation life and ligh... Display devices have significantly changed our daily life for decades,from the watches,television,to the laptop and smartphone.As the desire of advanced display device with high-resolution,long operation life and lightweight properties,several display techniques have been demonstrated.There are mainly four types of electronic display device:cathode ray tube(CRT),liquid-crystal display(LCD),organic light-emitting diode(OLED),and micro-LED.Due to the different working principles and device structures,each type of display device has its special characteristic properties.The performance of devices could be adjusted through the material selection or device design.With careful device structure regulation,not only the efficiency but also the stability would be improved.Herein,a brief review of innovative strategies towards the structure design is presented. 展开更多
关键词 innovative strategies OLED QLED micro-LED display techniques
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石墨烯晶体管优化制备工艺在单片集成驱动氮化镓微型发光二极管中的应用
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作者 苑营阔 郭伟玲 +6 位作者 杜在发 钱峰松 柳鸣 王乐 徐晨 严群 孙捷 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第19期199-207,共9页
在显示领域,微型发光二极管(micro-LED)潜力巨大,有望引领下一代新型显示技术的发展方向,其显示性能在很多方面优于现有的液晶、有机发光二极管(OLED),但巨量的micro-LED像素点与驱动电路不在同一晶圆上制备,面临巨量转移的技术瓶颈.本... 在显示领域,微型发光二极管(micro-LED)潜力巨大,有望引领下一代新型显示技术的发展方向,其显示性能在很多方面优于现有的液晶、有机发光二极管(OLED),但巨量的micro-LED像素点与驱动电路不在同一晶圆上制备,面临巨量转移的技术瓶颈.本文将新兴的石墨烯场效应晶体管作为驱动元件与氮化镓(GaN)micro-LED进行单片集成,因为二者直接制备于同一衬底上,所以从根源上规避了巨量转移的技术难题.此外,传统光刻工艺中紫外光刻胶直接接触石墨烯,会引入严重掺杂导致场效应晶体管性能较差,进而影响集成器件性能.本文提出了一种利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为保护层,直接旋涂紫外光刻胶进行垫层光刻的全新工艺方法,优化了石墨烯场效应晶体管制备工艺.首先在分立的石墨烯场效应晶体管中进行验证,相比于没有进行PMMA薄膜保护的器件,采用新工艺制备的石墨烯器件狄拉克点的栅极电压(V_(g))距零点的偏差降低了22 V,载流子迁移率提升了32%.此外,将新工艺应用到集成器件制备后,发现集成器件性能得到了大幅提升.利用此新技术,由于有PMMA的保护,紫外光刻胶不再与敏感的石墨烯沟道直接接触.掺杂效应和随之而来的器件性能下降被有效扼制.因为此技术简便而廉价,所以也可应用到石墨烯之外的其他二维材料中,例如MoS2和h-BN,有望对本领域的器件工程师产生一定的参考价值. 展开更多
关键词 石墨烯 氮化镓 微型发光二极管 聚甲基丙烯酸甲酯
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基于Micro-LED器件光学测试标准的研究
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作者 胡飞 田文亚 +2 位作者 葛泳 程骥 黄秀颀 《微纳电子与智能制造》 2021年第4期4-9,共6页
本文基于Micro-LED器件阵列的制备与测试标准的研究,结合目前暂无规范测试标准的情况,尤其是针对单个微尺度芯片的亮度小于一般测量设备灵敏度区间时的特点,提出了一种针对Micro-LED光电特性优化的测试标准。该方法能够有效侦测Micro-LE... 本文基于Micro-LED器件阵列的制备与测试标准的研究,结合目前暂无规范测试标准的情况,尤其是针对单个微尺度芯片的亮度小于一般测量设备灵敏度区间时的特点,提出了一种针对Micro-LED光电特性优化的测试标准。该方法能够有效侦测Micro-LED器件阵列的电学参数和光学参数,尤其是光学均一性和近场光强分布,这对Micro-LED器件方向上国际标准的制定提供了重要的参考依据。 展开更多
关键词 微型发光二极管 测试标准 近场光强分布 光学均一性
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Micro-LED背板键合技术
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作者 王明星 曹占锋 +2 位作者 卢鑫泓 王珂 袁广才 《微纳电子与智能制造》 2021年第3期120-128,共9页
针对Micro-LED与背板的键合技术,分析和总结了现有用于集成电路及MEMS器件中导电键合技术,并结合Micro-LED特点,对Micro-LED键合技术进行了分析和总结,针对高分辨率微显示的Micro-LED外延片键合技术,可以采用集成电路及MEMS器件中直接... 针对Micro-LED与背板的键合技术,分析和总结了现有用于集成电路及MEMS器件中导电键合技术,并结合Micro-LED特点,对Micro-LED键合技术进行了分析和总结,针对高分辨率微显示的Micro-LED外延片键合技术,可以采用集成电路及MEMS器件中直接键合、表面活化键合、黏着键合、共晶键合、纳米键合、激光和超声辅助键合等常用键合技术,而对于巨量转移实现Micro-LED显示技术,更适宜采用黏着键合、共晶键合、金属微纳结构键合和激光辅助键合。共晶键合技术应用广泛,具有从材料到设备以及工艺等方面成熟的解决方案,是现有键合方案中最具前景的一种。 展开更多
关键词 微型发光二极管 显示技术 键合技术
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高度集成的μLED显示技术研究进展 被引量:16
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作者 严子雯 严群 +5 位作者 李典伦 张永爱 周雄图 叶芸 郭太良 孙捷 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期1309-1317,共9页
微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成... 微型发光二极管(μLED)是当今国际最前沿的显示技术之一,它一般指单个尺寸小于50μm的LED阵列。μLED相对于液晶显示(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示等技术有其独特的优势:寿命长、响应时间短、亮度高。最重要的是,它可以实现高度集成显示,既包括像素密度远远高于常规显示技术的高PPI显示器件,也包括我们首次提出的集成了某些非显示元件的超大规模集成半导体信息显示器件(HISID)。在许多显示技术的指标上,μLED的性能都很优异。但是,由于μLED将常规LED器件的尺寸大大缩小,且往往密度提高,因此产生了许多新的技术和物理上的挑战,例如巨量转移技术、全彩化显示等,所以μLED尚未实现真正意义上的产业化。本文对高度集成μLED显示技术的研究和发展情况进行了较系统的论述,首先对μLED的基本原理和结构进行了介绍,然后对其重点核心技术进行了分类研究和点评,最后对μLED显示技术的发展方向及其应用前景做出了分析。 展开更多
关键词 微型发光二极管(μLED) 驱动 巨量转移 全彩化 高度集成
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偏振光复用的液晶体光栅波导AR近眼显示系统
16
作者 林子健 姚立胜 +7 位作者 金华健 邱健滨 叶芸 徐胜 严群 郭太良 张万隆 陈恩果 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第5期646-655,共10页
光波导组合器在增强现实显示的出瞳扩展和外观薄化方面颇具优势。出瞳扩展技术是通过在耦出区域诱导多次衍射,将光线引导至人眼。然而,这种多次衍射可能导致出瞳亮度在沿光路径的空间分布上逐渐减弱,从而造成亮度不均。特别是当使用液... 光波导组合器在增强现实显示的出瞳扩展和外观薄化方面颇具优势。出瞳扩展技术是通过在耦出区域诱导多次衍射,将光线引导至人眼。然而,这种多次衍射可能导致出瞳亮度在沿光路径的空间分布上逐渐减弱,从而造成亮度不均。特别是当使用液晶制备而成的偏振体全息光栅作为耦合元件时,由于光栅仅对一种圆偏振光敏感,与之正交的圆偏振光会被直接透射,导致波导系统的能量利用率并不高。针对这一挑战,本文提出了一种实现左旋和右旋圆偏振光复用的偏振体全息光栅光波导AR显示光学系统,同时实现了大出瞳尺寸和良好入眼均匀性。在理论设计和仿真方面,首先通过k空间理论设计了大视场角下的光栅结构,再以微型发光二极管(Micro-LED,μLED)作为微显示屏,设计了一套与之匹配的投影镜头,并对整个波导系统进行了成像仿真。在实验部分,制备了中心波长为532 nm、出瞳尺寸为45 mm×25 mm的偏振体全息光栅波导。实验结果显示,该波导系统在基板折射率为1.51下的对角线视场角达到了预期的32.86°。相比于仅响应单一圆偏振光的方案,采用九点法测得的均匀性提升了48.8%,整体均匀性提升了34.1%,波导组合器的光学效率也实现了1.2倍的提升。本文工作为偏振体全息光栅波导的设计提供了宝贵的指导和参考。 展开更多
关键词 增强现实 液晶偏振体光栅 微型发光二极管显示 波导 衍射光栅
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AlGaN基深紫外微型发光二极管的研究进展(特邀)
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作者 刘召强 贾童 +3 位作者 许湘钰 楚春双 张勇辉 张紫辉 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2023年第8期92-110,I0008,共20页
随着AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的发展,其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应用,在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞灯、激光),其具有功耗低、设计灵活且调制带宽高的优势。而DUV ... 随着AlGaN基深紫外发光二极管(DUV LED)的发展,其不仅在杀菌消毒领域得到广泛应用,在日盲紫外光通信领域的应用也受到越来越多的关注。这主要是由于相比其他的紫外光源(如汞灯、激光),其具有功耗低、设计灵活且调制带宽高的优势。而DUV LED的带宽严重依赖于器件尺寸,器件尺寸越小,其带宽越高。但是,随着深紫外微型发光二极管(μLED)的尺寸减少,尽管其带宽得到提高,但是其光功率却急剧下降,这严重限制了深紫外μLED在光通信中的应用。文中主要总结了深紫外μLED作为日盲紫外光通信光源的研究现状和综合分析尺寸效应引起器件性能的变化及其机理;并分析出低的光提取效率和严重的自热效应是影响深紫外μLED光功率的两个主要因素。进而综述了各种提高深紫外μLED光提取效率和改善热学特性的方法。文中将为从事深紫外μLED研究的工作者提供一定的研究方向指导。 展开更多
关键词 ALGAN 深紫外微型发光二极管 调制带宽 光提取效率
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基于STC的微像源驱动系统
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作者 丁逸帆 张宇宁 丁进 《光电子技术》 CAS 2023年第3期201-206,共6页
选用半导体LT7911D以及LT9211芯片作为显示桥接芯片,采用Type‑C接口集成供电、数据传输、音视频信号传输功能,调试简便,工艺成熟,无需占用大量面积,有利于整个系统的小型化,实现了一种基于STC单片机的微像源驱动系统以及显示驱动的国产... 选用半导体LT7911D以及LT9211芯片作为显示桥接芯片,采用Type‑C接口集成供电、数据传输、音视频信号传输功能,调试简便,工艺成熟,无需占用大量面积,有利于整个系统的小型化,实现了一种基于STC单片机的微像源驱动系统以及显示驱动的国产化芯片方案。同时采用一种快速自适应Gamma校正算法,提高了微像源显示效果,使其更好应用于头戴式显示领域。 展开更多
关键词 微型有机发光二极管 头戴式 国产化芯片 伽马校正
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基于STM32的MicroOLED快速自适应Gamma校正 被引量:2
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作者 刘状 丁进 +2 位作者 宋文 丁逸帆 张宇宁 《光电子技术》 CAS 2022年第3期169-175,共7页
基于STM32提出了一种MicroOLED快速自适应Gamma校正算法,首先对MicroOLED内部Gamma寄存器线性赋值,测量多个灰度值下亮度,再拟合出亮度值和数据电压之间的关系式,根据关系式对Gamma寄存器的值精确修改,可快速实现不同γ值的校正,为抑制G... 基于STM32提出了一种MicroOLED快速自适应Gamma校正算法,首先对MicroOLED内部Gamma寄存器线性赋值,测量多个灰度值下亮度,再拟合出亮度值和数据电压之间的关系式,根据关系式对Gamma寄存器的值精确修改,可快速实现不同γ值的校正,为抑制Gamma曲线随亮度的偏移,引入多电压曲线拟合,使整个设备可以实现亮度自适应Gamma校正。实验证明了该算法在头戴式显示领域具有很大的应用价值。 展开更多
关键词 微型有机发光二极管 头戴式 伽马校正 曲线拟合
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Mini/Micro LED巨量转移关键技术与装备研究现状 被引量:1
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作者 汤晖 廖智燊 +3 位作者 魏玉章 林志杭 董志强 张晓辉 《振动.测试与诊断》 EI CSCD 北大核心 2023年第5期839-849,1033,共12页
微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting d... 微型半导体发光二极管显示技术(mini/micro light emitting diode,简称Mini/Micro LED)是一种基于微型LED芯片的自发光显示技术,相较于液晶显示技术(liquid crystal display,简称LCD)和有机发光二极管显示技术(organic light‑emitting diode,简称OLED),具有显著性能优势,被视为次世代显示技术的发展趋势。由于巨量转移技术与装备的限制,Mini/Micro LED显示设备尚未实现大规模量产。针对此问题,首先,根据现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法的不同工作原理,总结了3种主要工艺方法,即接触式微转印技术、非接触式激光转移技术和自组装转移技术;其次,调研了现有Mini/Micro LED巨量转移工艺方法中涉及到的技术与装备,归纳了其中的通用关键技术,即高速高精对位和视觉检测;然后,针对上述关键技术挑战,围绕Mini/Micro LED新型显示装备若干关键技术与典型设备集成开发介绍了笔者的前期研究工作;最后,讨论了实现Mini/Micro LED大规模量产中存在的问题及发展方向。 展开更多
关键词 微型半导体发光二极管显示技术 巨量转移 显示半导体装备 高速高精对位 振动抑制
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